KR960026199A - 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 고집적 반도체소자에 사용되는 미세콘택홀을 형성하기 위하여 감광막 또는 SOG막을 사용하여 높은 단차를 갖는 하부층을 평탄화시키고 그 상부에 감광막을 도포하므로써 감광막 마스크 이메이징(Imaging)시 촛점의 심도가 양호하여 양질의 감광막패턴을 형성할 수 있으며, 그로인해 미세콘택홀을 효과적이며 용이하게 형성시킬 수 있도록 한 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A 내지 제1E도는 본 발명의 제1실시예를 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (4)
- 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 있어서, 접합부가 형성된 실리콘기판상에 절연막이 형성된 상태에서 BPSG막을 증착한 후 플로우시키는 단계와, 상기 단계로부터 제1감광막을 도포한 후 경화공정을 실시하여 평탄화시키는 단계와, 상기 단계로부터 상기 제1감광막 상부에 제2감광막을 도포한 후 콘택마스크를 이용하여 상기 제2감광막을 패터닝시키는 단계와, 상기 단계로부터 패터닝된 상기 제2감광막을 마스크로 이용하여 노출된 제1감광막, BPSG막 및 절연층을 순차적으로 식각하여 상기 접합부가 노출되도록 콘택홀을 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 잔류된 제2 및 제1감광막을 제거시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1감광막 경화공정은 100 내지 150℃의 온도에서 2분 이상 핫 플레이트 오븐방식으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 있어서, 접합부가 형성된 실리콘기판상에 절연막이 형성된 상태에서 질화막을 형성하는 BPSG막을 증착한 후 상기 BPSG막을 플로우시키는 단계와, 상기 단계로부터 SOG막을 도포하여 평탄화시킨 다음 감광막을 도포하고 콘택마스크를 이용하여 상기 감광막을 패터닝시키는 단계와, 상기 단계로부터 패터닝된 상기 감광막을 마스크로 이용하여 노출된 SOG막 및 BPSG막을 순차적으로 식각한 후 상기 감광막을 제거시키는 단계와, 상기 단계로부터 블랜켓식각을 실시하여 노출된 SOG막, 질화막 및 절연층을 순차적으로 식각하여 상기 접합부가 노출되도록 콘택홀을 형성시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 SOG막 및 BPSG막 식각시 상기 질화막이 식각정지층으로 이용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940038559A KR960026199A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940038559A KR960026199A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026199A true KR960026199A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66769402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940038559A KR960026199A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026199A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100382548B1 (ko) * | 2000-12-19 | 2003-05-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
-
1994
- 1994-12-29 KR KR1019940038559A patent/KR960026199A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100382548B1 (ko) * | 2000-12-19 | 2003-05-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
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