KR930014802A - 상, 하부 도전층 사이의 층간절연층 제조방법 - Google Patents
상, 하부 도전층 사이의 층간절연층 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 고집적 반도체 소자에서 상,하부 도전층 사이의 층간절연층 제조방법에 관한 것으로 하부 도전층패턴 측벽에 SOG막을 도포할때 공동의 발생을 방지하고 평탄화 정도를 향상시키기 위해 실리콘 기판 또는 절연층 상부에 하부도전층 패턴을 형성하고 그 상부에 제1산화막을 예정된 두께 형성하는 단계와 블랜켓 식각공정으로 제1산화막을 식각하여 하부 도전층 패턴 측벽에 산화막 스페이서를 형성하는 단계와, 전체구조 상부에 SOG막을 예정된 두께로 도포한 후 SOG막 상부에 제2산화막을 형성하는 단계로 이루어지는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제3도는 본 발명에 의해 배선층간 절연층간 절연층을 형성하는 단계를 도시한 단면도.
Claims (4)
- 상,하부 도전층 사이의 층간절연층 제조방법에 있어서 하부 도전층 패턴 상부에 SOG막을 도포할때 하부 도전층 패턴 측벽에 공동이 발생하는 것을 방지하고 평탄화 정도를 향상시키기 위해, 실리콘 기판 또는 절연층상부에 하부도전층 패턴을 형성하고 그 상부에 제1산화막을 예정된 두께 형성하는 단계와, 블랜켓 식각공정으로 제1산화막을 식각하여 하부 도전층 패턴 측벽에 산화막 스페이서를 형성하는 단게와, 전체구조 상부에 SOG막을 예정된 두께로 도포한 후 SOG막 상부에 제2산화막을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 상,하부 도전층 사이의 층간절연층 제조방법.
- 제1항에 있어서 상기 블랜켓 식각공정으로 제1산화막을 식각할때 하부도전층 패턴 상부에 예정된 두께의 제1산화막이 남아있도록 식각하는 것을 특징으로 하는 상,하부 도전층 사이의 층간절연층 제조방법.
- 제1항에 있어서 상기 SOG막을 도포한후 초기경화 및 후기경화를 실시하는 것을 특징으로 하는 상,하부 도전층 사이의 층간절연층 제조방법.
- 제1항에 있어서 상기 SOG막을 도포하는 대신에 플리이미드 또는 폴리아마이드산으로 도포하는 것을 특징으로 하는 상,하부 도전층 사이의 층간절연층 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910025610A KR930014802A (ko) | 1991-12-31 | 1991-12-31 | 상, 하부 도전층 사이의 층간절연층 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910025610A KR930014802A (ko) | 1991-12-31 | 1991-12-31 | 상, 하부 도전층 사이의 층간절연층 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930014802A true KR930014802A (ko) | 1993-07-23 |
Family
ID=67346069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910025610A KR930014802A (ko) | 1991-12-31 | 1991-12-31 | 상, 하부 도전층 사이의 층간절연층 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930014802A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040024714A (ko) * | 2002-09-16 | 2004-03-22 | 아남반도체 주식회사 | 반도체 장치의 다층 층간 절연막의 제조 방법 |
| KR100481981B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2005-06-17 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체소자의층간절연막형성방법 |
-
1991
- 1991-12-31 KR KR1019910025610A patent/KR930014802A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100481981B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2005-06-17 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체소자의층간절연막형성방법 |
| KR20040024714A (ko) * | 2002-09-16 | 2004-03-22 | 아남반도체 주식회사 | 반도체 장치의 다층 층간 절연막의 제조 방법 |
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