KR930011113A - 반도체장치의 콘택 형성방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체장치의 콘택을 형성하는 방법에 관한 것으로, 에치 스토퍼 역할을 하는 니이트라이드(2)를 증착시킨후 콘택을 형성하기 때문에 다른 관련없는 층과의 단락을 방지하고 콘택형성을 위해 충분한 등방성 식각을 할수 있으므로 콘택의 종횡비(Aspect ratio)및 스텝커버리지(step coverage)를 향상시키는 반도체장치의 콘택 형성방법이다.

Description

반도체장치의 콘택 형성방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2(a)-(e)는 본 발명에 따른 반도체장치의 콘택 형성방법의 1실시예를 나타내는 도면.

제3도(a)-(e)는 본 발명에 따른 반도체장치의 콘택 형성방법의 또다른 1실시예를 나타내는 도면.

Claims (4)

1. 실리콘기판(11)상부에 절연막(1)으로 데포하고 콘택이 형성될 부위를 식각하는 제1공정과, 에치스토퍼(etch stopper)역할을 하게될 나이트라이드(Nitride, 2)를 증착하는 제2공정과, 상기 질화막 상부를 BPSG막(3)을 형성하여 평탄화하는 제3공정과, 상기 BPSG막을 패턴에 따라 식각하는 제4공정과 식각하여 형성된 콘택에 도전층으로 알루미늄을 증착하는 제5공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택 형성방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 제2공정의 에치스토퍼 역할을 하게되는 나이트라이드(2)로는 질화실리콘(Si₃N₄)을 이용하고 그 두께는 0.01-0.05㎛로 실리콘 기판에 직접 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택 형성공정.,
3. 제2항에 있어서, 상기 제2공정의 나이트라이드(2)를 직접 실리콘기판에 형성하지 않고 0.01-0.04㎛두께의 산화막(12)을 형성시켜 버퍼역할을 하게 한 다음 그 상부에 나이트라이드(2)를 증착시키는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택 형성방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 제4공정의 식각방법을 습식식각(6)으로 0.3-0.6㎛정도 등방성식각을 하고, 이후 건식식각(7)으로 실리콘기판까지 식각을 하되 접촉 부위만의 나이트라이드를 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택 형성방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.