KR970053555A - 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법에 관한 것으로, SOG막으로 인한 소자의 신뢰성 저하를 방지하기 위하여 제1층간 절연막을 스페이서 식각한 후 평탄화 특성이 우수한 제2층간 절연막을 형성하므로써 금속층간의 절연 특성 및 표면의 평탄도가 향상된다. 그러므로 소자의 수율이 증대될 수 있도록 한 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1C도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도이다.
Claims (6)
- 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법에 있어서, 절연층이 형성된 실리콘 기판상에 하부 금속층을 형성하고 패터닝한 후 전체 상부면에 제1층간 절연막을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 표면의 단차를 감소시키기 위하여 상기 제1층간 절연막을 소정 두께 스페이서 식각하는 단계와, 상기 단계로부터 전체 상부면에 평탄화 특성이 우수한 제2층간 절연막을 형성한 후 상기 제2층간 절연막상에 제3층간 절연막을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1층간 절연막은 4000 내지 5000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 스페이서 식각은 상기 제1층간 절연막의 두께가 800내지 1200Å 잔류되는 시점까지 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2층간 절연막은 O3-TEOS이 증착된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성방법.
- 제1 또는 제4항에 있어서, 상기 제2층간 절연막은 3000내지 5000Å의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3층간 절연막은 2000내지 3000Å의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950065684A KR970053555A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950065684A KR970053555A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053555A true KR970053555A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66622717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950065684A KR970053555A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053555A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100481981B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2005-06-17 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체소자의층간절연막형성방법 |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950065684A patent/KR970053555A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100481981B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2005-06-17 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체소자의층간절연막형성방법 |
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