KR970052839A - 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성방법에 관한 것으로, 금속층의 들뜸 현상을 방지하기 위하여 인장 응력이 큰 금속층 및 압축 응력을 갖는 금속층간 절연막의 사이에 인장 응력을 가지는 금속층간 절연막을 형성하므로써 금속층 및 금속층간 절연막간의 열팽창 계수 차이가 감소된다. 그러므로 상기 금속층의 인장 응력 감소로 금속층의 들뜸이 방지되므로써 소자의 전기적 특성 및 수율이 향상될 수 있도록 한 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법에 관한 것이다.
※선택도 : 제2C도.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (4)
- 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법에 있어서, 절연층이 형성된 실리콘 기판상에 금속층을 형성한 후 상기 금속층 상에 제1금속층간 절연막을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 제1금속층간 절연막 및 상부에 형성될 금속층간의 열팽창 계수 차이를 감소시키기 위하여 상기 제1금속층간 절연막상에 인장 응력을 가지는 제2금속층간 절연막을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1금속층간 절연막은 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2금속층간 절연막은 PSG막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2금속층간 절연막은 BSG막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950058459A KR970052839A (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019950058459A KR970052839A (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052839A true KR970052839A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66619456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950058459A KR970052839A (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052839A (ko) |
-
1995
- 1995-12-27 KR KR1019950058459A patent/KR970052839A/ko not_active Application Discontinuation
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