KR970052921A - 반도체 소자의 금속층 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속층 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속층 형성 방법에 관한 것으로, 금속층과 SOG막의 접촉으로 인한 불순물의 침투를 방지하며, 금속 층간 절연막 및 SOG막 형성시 상기 금속층으로 스트레스가 가해지는 것을 방지하기 위하여 금속층을 형성한 후 플라즈마 처리를 이용하여 상기 금속층의 표면에 일정 두께의 보호막을 형성하므로써 금속층의 도전 특성을 향상시키며 변형을 방지하여 소자의 전기적 특성이 향상될 수 있도록 한 반도체 소자의 금속층 형성 방법에 관한 것이다.
선택도 : 제2B도
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속층 형성 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (13)
- 반도체 소자의 금속층 형성 방법에 있어서, 접합부가 형성된 실리콘기판상에 절연막을 형성한 후 상기 접합부가 노출되도록 상기 절연막을 패터닝하여 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 전체 상부면에 금속층을 형성한 후 불순물의 침투 및 스트레스를 방지하기 위하여 상기 금속층의 표면에 일정 두께의 보호막을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속층은 알루미늄이 중착된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 보호막은 AlXOY막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 AlXOY막은 자연적으로 생성된 알루미늄 산화막보다 산소 성분이 많이 함유된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 AlXOY막은 산소 플라즈마를 이용한 열처리에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 보호막은 AlXOYNZ막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 AlXOYNZ막의 두께는 100 내지 500Å인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 AlXOYNZ막은 자연적으로 성장된 알루미늄 산화막보다 질소 성분이 많이 함유된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 AlXOYNZ막은 질소 플라즈마를 이용한 열처리에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 플라즈마를 이용한 열처리시 반응로의 온도는 200 내지 500℃인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 AlXOYNZ막은 자연적으로 성장된 알루미늄 산화막보다 질소 성분이 많이 함유된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 AlXOYNZ막은 산화질소 플라즈마를 이용한 열처리에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 플라즈마를 이용한 열처리시 반응로의 온도는 200 내지 500℃인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950046300A KR970052921A (ko) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | 반도체 소자의 금속층 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019950046300A KR970052921A (ko) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | 반도체 소자의 금속층 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052921A true KR970052921A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66593520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950046300A KR970052921A (ko) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | 반도체 소자의 금속층 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052921A (ko) |
-
1995
- 1995-12-04 KR KR1019950046300A patent/KR970052921A/ko not_active Application Discontinuation
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