KR970003663A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 abstract 2
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
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- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/76843—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속배선 형성방법이 개시된다.
본 발명은 확산방지층으로 사용되는 시준된 티타늄 나이트라이드 증착공정조건을 조절하여 확산방지층의 표면 평활도를 개선시킴에 의해 콘택홀에서의 알루미늄 층덮힘을 개선할 수 있다. 시준된 티타늄 나이트라이드 증착공정의 조건은 반응압력을 3 내지 6mTorr로 하고, 직류 전력을 3 내지 18㎾로 하고, 반응온도를 200 내지 500℃로 하고, 불활성 기체를 아르곤 10 내지 25SCCM과 질소 60 내지 70SCCM으로 하고, 증착속도를 3 내지 15A/sec로 한다. 따라서, 본 발명은 알루미늄의 층덮힘을 개선함에 의해 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A 및 2B도는 본 발명에 의한 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 설명하기 위해 도시한 소자의 단면도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 있어서, 기판상에 소자를 전기적으로 절연 및 보호하는 절연층을 형성하고, 상기 절연층의 소정부분을 식각하여 상기 기판의 소정부분이 노출된 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀을 포함한 상기 절연층상에 티타늄을 증착하여 점착층을 형성하는 단계와, 상기 점착층상에 시준된 티타늄 나이트라이드를 증착하여 표면 평활도가 우수한 확산방지층을 형성하는 단계와, 상기 확산방지층상에 티타늄을 증착하여 젖음층을 형성하는 단계와, 상기 젖음층상에 알루미늄을 증착한 후, 금속배선 마스크를 사용한 식각공정으로 금속배선을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 확산방지층은 반응압력을 3내지 6mTorr로 하고, 직류 전력을 3 내지 18㎾로 하고, 반응온도를 200 내지 500℃로 하고, 불활성 기체를 아르곤 10 내지 25SCCM과 질소 60 내지 70SCCM으로 하고, 증착속도를 3 내지 15A/sec로 하여 시준된 티타늄 나이트라이드를 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950017277A KR100212012B1 (ko) | 1995-06-24 | 1995-06-24 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950017277A KR100212012B1 (ko) | 1995-06-24 | 1995-06-24 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970003663A true KR970003663A (ko) | 1997-01-28 |
KR100212012B1 KR100212012B1 (ko) | 1999-08-02 |
Family
ID=19418162
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950017277A KR100212012B1 (ko) | 1995-06-24 | 1995-06-24 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100212012B1 (ko) |
-
1995
- 1995-06-24 KR KR1019950017277A patent/KR100212012B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100212012B1 (ko) | 1999-08-02 |
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