KR970052219A - 반도체 소자의 텅스텐 플러그 제조 방법 - Google Patents

반도체 소자의 텅스텐 플러그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 콘택홀에 형성된 텅스텐 플러그가 움푹 들어가는 손상을 방지할 수있는 건식 식각 공정과 CMP공정을 도입한 반도체 소자의 텅스텐 플러그 제조 방법이 개시된다.

Description

반도체 소자의 텅스텐 플러그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a내지 2e도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 텅스텐 플러그 제조 방법을 설명하기 위한 단면도.

Claims (5)

  1. 반도체 소자의 텅스텐 플러그 제조 방법에 있어서, 절연층이 형성된 실리콘 기판상에 콘택 홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀이 형성된 상부에 글루층으로 Ti막 및 TiN막을 형성하는 단계와, 상기 글루층 상부에 텅스텐막을 콘택 홀이 충분히 매립되도록 증착하는 단계와, 상기 전체 구조 상부를 엣치 백 공정으로 건식 식각하는 단계와, 상기 전체 구조 상부에 CMP 공정이 실시된 후, 상기 콘택 홀에만 텅스텐막과 글루층이 남아서 텅스텐 플러그를 형성하는 반도체 소자의 텅스텐 플러그 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 Ti막 및 TiN막을 300Å내지 600Å정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 텅스텐 플러그 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 텅스텐막이 5000Å내지 8000Å의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 텅스텐 플러그 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 건식 식각 공정시에는 CF4가스는 50∼100SCCM, CF3가스는 30∼70SCCM, Ar가스는 50∼200SCCM으로 공급하고 온도는 -20내지 -40℃로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 텅스텐 플러그 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 CMP 공정은 텅스텐막 제거율이 2410±170Å/min이며 상기 텅스텐용 슬러리의 조건은 중력이 1.17, 점도가 30cps, PH : 3.0(강산), 상기 텅스텐을 식각하는 에천트의 함량이 7%로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 텅스텐 플러그 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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