KR930006888A - 금속 배선막 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 금속배선막 형성방법에 관한 것으로, 하부배선층이 형성되어 있는 반도체기판상에 절연층을 형성하는 공정과, 상기 하부배선층의 일부분이 노출되도록 상기 절연층에 콘텍트 홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택트 홀 형성후 결과물 전면에 소정두께의 티타늄층을 형성하는 공정과, 상기 티타늄층위에 상기 콘낵트 홀의 채워지도록 소정두께의 다결정실리콘층을 형성하는 공정과, 상기 다결정실리콘층 및 티타늄층의 도전물질을 에치 백하여 상기 콘텍트 홀내에만 상기 도전물질의 플러그를 남기는 공정과, 상기 도전물질의 플러그를 열처리하여 티타늄 실리사이드를 형성하는 공정을 구비함을 특징으로 한다. 따라서 본 발명은 종래 일반적인 스피터링법에 의해 형성되는 금속배선막의 피복력의 저하를 극복함으로써 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2E도는 본 발명에 따른 금속배선막 형성방법을 나타낸 공정순서도
Claims (2)
- 하부배선층이 형성되어 있는 반도체기판상에 절연층을 형성하는 공정; 상기 하부배선층의 일부분이 노출되도록 상기 절연층에 콘텍트 홀을 형성하는 공정; 상기 콘텍트 홀 형성후 결과물 전면에 소정두께의 티타늄층을 형성하는 공정; 상기 티타늄층위에 상기 콘택트 홀이 채워지도록 소정두께의 다결정실리콘층을 형성하는 공정; 상기 다결정실리콘층 및 티타늄층의 도전물질을 에치 백하여 상기 콘택트 홀내에만 상기 도전물질이 플러그를 남기는 공정; 그리고, 상기 도전물질이플러그를 열처리하여 티타늄 실리사이드를 형성하는 공정을 구비함을 특징으로 하는 금속배선막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 티타늄 실리사이드는 상기 도전물질의 플러그를 700℃±200℃정도를 열처리함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 금속배선막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910016897A KR930006888A (ko) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 금속 배선막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910016897A KR930006888A (ko) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 금속 배선막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930006888A true KR930006888A (ko) | 1993-04-22 |
Family
ID=67433517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910016897A KR930006888A (ko) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 금속 배선막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930006888A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100321693B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2002-03-08 | 박종섭 | 티타늄실리사이드를이용한반도체소자의게이트전극및비트라인형성방법 |
-
1991
- 1991-09-27 KR KR1019910016897A patent/KR930006888A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100321693B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2002-03-08 | 박종섭 | 티타늄실리사이드를이용한반도체소자의게이트전극및비트라인형성방법 |
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