KR870008388A - 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

반도체장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1A도 내지 제 1D도는 이 발명의 일 실시예인 반도체장치의 제조공정을 공정순으로 표시하는 측면단면도.
제 2A도 및 제 2B도는 종래의 반도체장치의 제조공정을 공정순으로 표시한 개략적인 측면단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 :심리콘반도체기판 2 : 제 1 절연막
3 : 제 1 배선막 4 : 단단한 산화막(알루미나막)
5 : 제 2 절연막 6 : 제 2 배선막
10 : 제 1의 관통공 11 : 제 2 의 관통공
20 : 돌기부

Claims (9)

  1. 반도체기판과 상기 반도체기판 표면상에 형성되고 또한 미리 정해놓은 영역에 상기 반도체기판 표면에 이르는 제 1 의 관통공을 가진 제 1 의 절연막과, 상기 제 1 의 절연막상의 미리 정해놓은 영역에 형성되고 또한 상기 제 1 의 관통공을 통하여 상기 제 1 반도체기판표면과 전기적으로 접속되는 도전성의 제 1 배선막과, 상기 제 1 배선막상 및 상기 제 1 절연막상에 형성되고 또한 상기 제 1 의 관통공과 평면도적으로 보아 중첩되는 영역에 상기 제 1 배선막 표면에 이르는 제 2 의 관통공을 가진 제 2 절연막과, 상기 제 2 절연막상에 미리 정해놓은 영역에 형성되고 또한 상기 제 2 의 관통공을 통하여 상기 제 1 배선막과 전기적으로 접속되는 도전성의 제 2 배선막을 포함하는 반도체장치의 제조방법이며, 상기 제 1 배선막은 상기 제 1 의 관통공영역에서 요(凹) 상의 고저차가 있고 상기 제 1 배선막에 선택적으로 형성처리를 실시하여 그 위에 상기 제 2 의 관통공이 형성되어야할 영역을 제외한 영역의 상기 제 1 배선막상에 상기 제 1 배선막보다 단단한 산화막을 형성하는 스탭과 가열처리를 실시하여 상기 제 1 의 관통공영역에 형성된 제 1 배선막상에만 선택적으로 상기 제 1 배선막의 상기 고저차를 보상하기에 충분한 돌기부를 형성하는 스탭을 포함하는 반도체 장치의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    배선막은 알미늄으로 구성되는 반도체장치의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    배선막은 알미늄합금으로 구성되는 반도체장치의 제조방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 알미늄합금은 규소화알미늄인 반도체장치의 제조방법.
  5. 상기 제 1 항 내지 제 4 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 형성처리는 정수중에서의 보일링처리인 반도체장치의 제조방법
  6. 반도체기판과, 상기 반도체기판표면에 형성되고 또한 미리 정해놓은 영역에 상기 반도체기판표면에 이르는 제 1 의 관통공을 가진 제 1 절연막과, 상기 제 1 절연막상의 미리 정해놓은 영역에 형성되고 또한 상기 제 1 의 관통공을 통하여 상기 반도체기판표면과 전기적으로 접속되는 제 1 배선막과, 상기 제 1 배선막상 및 상기 제 1 절연막상에 형성되고 또한 상기 제 1 의 관통공과 평면도적으로 보다 중첩되는 영역에 상기 제 1 배선막 표면에 이르는 제 2 의 관통공을 가진 제 2 절연막과, 상기 제 2 절연막상의 미리 정해놓은 영역에 형성되고 또한 상기 제 2 의 관통공을 통하여 상기 제 1 배선막과 전기적으로 접속되는 제 2 배선막과를 포함하는 반도체 장치이며, 상기 제 1 배선막과 상기 제 1 의 관통공 영역에서 요(凹)상의 고저차를 가지고 있고 상기 제 1 배선막의 상기 고저차부에 선택적으로 형성되며 또한 상기 제 1 배선막의 상기 제 1의 관통공에서의 상기 고저차를 보상하는데 충분한 막두께를 가지는 상기 제 1 배선막의 돌기부를 구비한 반도체장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 배선막은 알미늄으로 구성되는 반도체장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 배선막은 알미늄합금으로 구성되는 반도체장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 알미늄합금은 규소화알미늄인 반도체장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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