KR950012701A - 박막 저항체를 갖는 반도체 장치 - Google Patents

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니뽄 덴끼 가부시끼 가이샤
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    • H01L27/01Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
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Abstract

반도체 기판상에 박막 저항체와, 이 박막의 저항체를 전기적으로 도출해내기 위한 금속 배선이 제1층간 절연막을 통해 형성된다. 제1층간 절연막상에는 박막 저항체와 금속배선을 덮는 제2층간 절연막이 형성된다. 방막 저항체위의 제2층간 절연막 일부를 에칭으로 제거하여 막두께를 얇게 만든다 막두께가 얇아진 제2층간 절연막상에는 방열 금속막이 형성된다.

Description

박막 저항체를 갖는 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 박막 저항제를 갖는 반도체 장치의 단면도,
제2도는 박막 저항체를 갖는 반도체 장치의 제1실시예의 단면도,

Claims (6)

  1. 반도체 기판과 ; 상기 반도체 기판상에 형성된 제1층간 절연막과 ; 상기 제1층간 절연막상에 금속 또는 금속 화합물로 형성된 박막 저항체 및, 상기 박막 저항체에 접속된 금속 배선차 ; 상기 박막 저항체와 상기 금속 배선을 덮고, 강기 박막 저항체 바로 윗부분의 막두께가 다른 부분의 막두께보다 더 작은 제2층 간 절연막 및 ; 더 작은 두께의 상기 제2층간 절연막 부분상에 형성된 방열 금속층을 포함하는 박막 저항체를 가진 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판의 이면에서 상기 박막 저항체 바로 밑부분이 제거되어 이면 개구부를 형성하, 상기 이면 개구부의 저면에는 방열 금속막이 형성된 것을 특징으로 하는 박막 저항체를 가진 반도체장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2층간 절연막상에 형성된 상기 방열 금속막이 상부 배선층과 동시에 형성된 것을 특징으로 하는 박막 저항체를 가진 반도체 장치.
  4. 제1항에 있어서, 규기 이면 개구부의 저면에 형성진 상기 방열 금속막이 이면 전극으로도 기능하는 것을 특징으른 하는 박막 저항체를 가진 반도체장치.
  5. 박막 저항체 바로 밑부분을 제거하여 이면 개구부를 형성시킨 반도체 기판과; 상기 반도체기판상에 형성된 제1중간 절연막과; 상기 제1층간 절연상에는 금속 또는 금속화합물로 형성된 박막 저항체 및, 상기 박막 저항체에 접속된 금속배선과 상기 박막 저항체와 상기 금속 배선을 덮는 제2층간 절연막 및; 상기 이면 개구부의 저면에서 형성된 방열 금속막을 포함하는 박막 저항체를 가진 반도체장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 이면 개구부의 저면에 형성된 상기 방열 금속막이 이면 전극으로도 기능하는 것을 특징으로 하는 박막 저항체를 가진 반도제 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940026170A 1993-10-14 1994-10-13 박막 저항체를 갖는 반도체 장치 KR0140143B1 (ko)

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JP93-280537 1993-10-14

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