KR870010631A - 반도체 집적회로장치 - Google Patents

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KR870010631A
KR870010631A KR870003112A KR870003112A KR870010631A KR 870010631 A KR870010631 A KR 870010631A KR 870003112 A KR870003112 A KR 870003112A KR 870003112 A KR870003112 A KR 870003112A KR 870010631 A KR870010631 A KR 870010631A
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KR
South Korea
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single crystal
crystal silicon
region
silicon region
silicide layer
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Application number
KR870003112A
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Inventor
마사도 미우라
다다아키 가리야
다츠오 시무라
기요시 소쿠다
도모유키 다나카
Original Assignee
미타 가츠시게
가부시키 가이샤 히타치세이사쿠쇼
나가이 히데오
히타치하라마치 덴시고교 가부시키 가이샤
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
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    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/74—Making of localized buried regions, e.g. buried collector layers, internal connections substrate contacts

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Abstract

내용 없음

Description

반도체 집적회로장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본원 발명의 일실시예에 의한 유전체 분리기판을 나타내는 단면도.
제5도는 제4도에 나타낸 유전체 분리기판에 수직형 MOSFET를 배설한 반도체 집적 회로장치를 나타내는 단면도.
제6도는 본원 발명의 나른 실시예에 의한 반도체 집적회로장치의 부분 사시도.

Claims (6)

  1. 가) 지지영역에 매입되어 그 일면이 노출된 최소한 하나의 단결정 실리콘영역과, 이 단결정 실리콘 영역을 지지하기 위한 지지영역과, 상기 단결정 실리콘영역과 상기 지지영역 사이에 설치된 유전체층과, 상기 단결정 실리콘 영역과 상기 유전체층과의 사이에 배설된 실리콘과 금속으로 형성된 실리사이드층을 포함하는 유전체 분리기판과,
    나) 상기 단결정 실리콘 영역의 일면의 노출된 상기 유전체 분리기판이 표면에 설치되며, 상기 실리사이드층에 접속되는 전극으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 급속이 몰리브덴, 텅스텐 및 탄탈중의 그 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
  3. 제1항에 있어서,
    최소한 하나의 pn접합이 상기 단결정 실리콘영역에 형성되며, 상기 pn접합을 형성하는 한 또는 기타의 도전형으로 된 반도체층의 하나가 상기 실리사이드 층에 인접해서 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 실리사이드층에 인접해서 배설된 반도체층 부분에 상기 반도체층과 동일한 도전형의 고농도영역이 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 실리사이드 층에 접속된 전극은 2개이며, 2개의 전극은 서로 떨어져 있으며, 상기 유전체 분리기판의 상기 단정결 실리콘영역측의 일면상에 절연막이 있고, 이 절연막위에 전극배선이 상기 2개의 전극사이를 통과하도록 형성한 것을 특징으로 하는 집적회로장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 지지영역은 다결정 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR870003112A 1986-04-03 1987-04-02 반도체 집적회로장치 KR870010631A (ko)

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JP61075626A JPS62232965A (ja) 1986-04-03 1986-04-03 半導体装置

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US4839309A (en) * 1988-03-30 1989-06-13 American Telephone And Telegraph Company, At&T Technologies, Inc. Fabrication of high-speed dielectrically isolated devices utilizing buried silicide outdiffusion
DE3922671A1 (de) * 1989-07-10 1991-01-24 Siemens Ag Akustoelektronisches bauelement mit einer oberflaechenwellenanordnung und einer elektronischen halbleiterschaltung
DE102004050740A1 (de) * 2004-10-19 2006-04-20 Atmel Germany Gmbh Halbleitergegenstand und Verfahren zur Herstellung

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JPS62232965A (ja) 1987-10-13
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