KR870008318A - 트렌치 콘덴서를 갖춘 다이나믹 랜덤 억세스메모리 - Google Patents

트렌치 콘덴서를 갖춘 다이나믹 랜덤 억세스메모리 Download PDF

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KR870008318A
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layer
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마사오 다구찌
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야마모도 다꾸마
후지쓰 가부시끼 가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

트렌치 콘덴서를 갖춘 다이나믹 랜덤 억세스메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 트렌치 콘덴서를 갖춘 종래 다이나믹 랜덤 억세스 메모리.
제 2 도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 트랜치 콘덴서를 갖춘 다이나믹 랜덤 억세스 메모리의 평면도.
제 3 도는 선(Ⅲ-Ⅲ)을 따라 취한 제 2 도의 단면도.

Claims (8)

1전도형의 반도체 기판 ; 상기 반도체 기판에 형성된 트렌치 ; 상기 트랜치의 개부에 인접한 영역을 제외한 상기 트렌치의 내부표면에 형성된 제 1 전도층 ; 상기 트렌치 및 상기 반도체 기판의 표면에 노출된 상기 제 1 전도층에 형성된 유전층 ; 상기 유전층을 통해 상기 트렌치에 채워진 제 2 전도층 ; 상기 제 1 전도층, 상기 유전층 및 상기 제 2 전도층으로 구성된 기억 콘덴서 ; 및 상기 제 2 전도층에 연결된 다른 전도형의 소스 또는 드레인 영역을 가지며, 상기 반도체 기판에 형성된 금속 절연 반도체 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 트렌치 콘덴서를 갖춘 다이나믹 랜덤 억세스 메모리.
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전도층은 제 3 전도층을 통해 다른 전도형의 상기 소스 또는 드레인 영역에 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 메모리.
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전도층의 상단부와 상기 소스 또는 드레인 층의 저면 사이에 소정 간격이 형성된 것을 특징으로 하는 메모리.
제 3 항에 있어서, 상기 소정 간격은 절연체 재질로 채워진 것을 특징으로 하는 메모리.
제 1 항에 있어서, 상기 소스 또는 드레인 영역은 상기 유전층을 통해 상기 제 2 전도층에 인접한 것을 특징으로 하는 메모리.
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전도층은 상기 트렌치에서 상기 반도체 기판과 접촉하는 것을 특징으로 하는 메모리.
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전도층은 다결정질 실리콘으로 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리.
제 1 항에 있어서, 상기 유전층은 상기 반도체 기판의 상기 표면에서 상기 제 1 전도층보다 더 큰 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 메모리.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR870001438A 1986-02-20 1987-02-20 트렌치 콘덴서를 갖춘 다이나믹 랜덤 억세스메모리 KR870008318A (ko)

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