KR920015559A - 반도체 장치 - Google Patents

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KR920015559A
KR920015559A KR1019920001164A KR920001164A KR920015559A KR 920015559 A KR920015559 A KR 920015559A KR 1019920001164 A KR1019920001164 A KR 1019920001164A KR 920001164 A KR920001164 A KR 920001164A KR 920015559 A KR920015559 A KR 920015559A
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trench capacitor
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KR1019920001164A
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마사유끼 야나기사와
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세끼모또 다다히로
니뽄덴끼 가부시끼가이샤
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H10B12/37—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells the capacitor being at least partially in a trench in the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10B12/01—Manufacture or treatment
    • H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
    • H10B12/038—Making the capacitor or connections thereto the capacitor being in a trench in the substrate
    • H10B12/0385—Making a connection between the transistor and the capacitor, e.g. buried strap

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Abstract

내용 없음

Description

반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 양호한 실시예의 반도체 장치를 보여주는 사시도, 제4도는 제3도의 라인 AB를 따라 자른 양호한 실시예의 반도체를 도시하는 단면도, 제5도 내지 제15도는 제1도의 라인 AB에 따라 자른 제조 과정하에서 양호한 실시예의 반도체 장치를 보여주는 단면도.

Claims (3)

  1. 반도체 장치에 있어서, 주면상에서 제1전도 형태의 제1불순물 영역과 상기 제1불순물 영역상에서 형성된 제2전도 형태의 제2불순물 영역을 가지는 반도체 기판과, 상기 제2불순물 영역에 형성된 제1전도 형태의 소스 및 드레인 영역을 가지는 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터와, 저장 전극, 상기 저장 전극을 둘러싸고 있는 용량성 절연막과, 상기 용량성 절연막의 소정의 상부 부분을 제외하고 용량성 절연막을 둘러싸는 제1전도 형태의 불순물 층을 포함하는 트렌치 캐패시터를 구비하며, 여기서, 상기 트렌치 캐패시터는 상기 제2불순물 영역을 통해 통과하도록 상기 반도체 기판의 제2불순물 영역의 면상에 제공되고, 상기 트렌치 캐패시터의 불순물 층은 상기 소스 및 드레이 영역중 하나에 제2전도 형태의 불순물 층을 통해 접속되고, 상기 제2전도형 불순물 층은 절연막을 통해 저장 전극에 대항하고 있으며, 상기 저장 전극은 용량성 절연막의 측벽 개구를 통해 소스 및 드레인 영역중 하나에 접속되는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 트렌치 캐패시터는 소정 깊이만큼 반도체 장치의 제1불순물 영역에 대해 연장되는 반도체 장치.
  3. 반도체 장치에 있어서, 제1불순물 영역의 제1전도 형태를 가지는 주면상과 제2불순물 영역의 제2전도 형태를 가지는 제1불순물 영역에 선택적으로 제공된 반도체 기판과, 제2불순물 영역에 형성된 제3 및 제4불순물 영역의 제1전도 형태가 되는 소스 및 드레인 영역을 가지는 절연 게이트형 전계효과 트랜지스터와, 상기 제3불순물 영역에 접속된 접촉부를 가지고 제2불순물 영역을 통해 통과하는 제2불순물 영역의 면에 제공된 트렌치 캐패시터와, 상기 접촉부를 제외하고 트렌치 캐패시터의 내부 벽면에 제공된 용량성 절연박과, 상기 접촉부를 제외하고 트렌치 캐패시터의 내부 벽면에서 접촉부에 근접한 부분에 제공된 절연막과, 상기 제3불순물 영역에 대해 접촉부에서 접속되고 용량성 절연막을 회복하기 위해 형성된 전도체와 상기 제3불순물 영역으로부터 분리된 부분에서 용량성 절연막을 둘러싸고 제1전도 형태가 되는 제5불순물 영역과 제3 및 제5불순물 영영과 접촉하여 제2전도 형태가 되는 제6불순물 영역을 구비하는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920001164A 1991-01-28 1992-01-28 반도체 장치 KR0139513B1 (ko)

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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5574621A (en) * 1995-03-27 1996-11-12 Motorola, Inc. Integrated circuit capacitor having a conductive trench
JP3191693B2 (ja) * 1996-08-29 2001-07-23 日本電気株式会社 半導体記憶装置の製造方法
US6020609A (en) * 1997-10-31 2000-02-01 Texas Instruments - Acer Incorporated DRAM cell with a rugged stacked trench (RST) capacitor
KR19990072936A (ko) * 1998-02-27 1999-09-27 가나이 쓰도무 아이솔레이터및그것을사용하는모뎀장치
EP0971414A1 (de) * 1998-06-15 2000-01-12 Siemens Aktiengesellschaft Grabenkondensator mit Isolationskragen und vergrabenen Kontakt und entsprechendes Herstellungsverfahren
EP0977266A1 (de) * 1998-06-15 2000-02-02 Siemens Aktiengesellschaft Grabenkondensator mit Isolationskragen und entsprechendes Herstellungsverfahren
US6828191B1 (en) 1998-06-15 2004-12-07 Siemens Aktiengesellschaft Trench capacitor with an insulation collar and method for producing a trench capacitor
US6211544B1 (en) * 1999-03-18 2001-04-03 Infineon Technologies North America Corp. Memory cell layout for reduced interaction between storage nodes and transistors
US6190971B1 (en) 1999-05-13 2001-02-20 International Business Machines Corporation Formation of 5F2 cell with partially vertical transistor and gate conductor aligned buried strap with raised shallow trench isolation region
JP3943932B2 (ja) * 2001-12-27 2007-07-11 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
TWI222720B (en) * 2003-09-19 2004-10-21 Promos Technologies Inc DRAM process and structure
US8557657B1 (en) 2012-05-18 2013-10-15 International Business Machines Corporation Retrograde substrate for deep trench capacitors
US9553011B2 (en) * 2012-12-28 2017-01-24 Texas Instruments Incorporated Deep trench isolation with tank contact grounding

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4801988A (en) * 1986-10-31 1989-01-31 International Business Machines Corporation Semiconductor trench capacitor cell with merged isolation and node trench construction
US4918502A (en) * 1986-11-28 1990-04-17 Hitachi, Ltd. Semiconductor memory having trench capacitor formed with sheath electrode
DE3851649T2 (de) * 1987-03-20 1995-05-04 Nippon Electric Co Aus einer Vielzahl von Eintransistorzellen bestehende dynamische Speichervorrichtung mit wahlfreiem Zugriff.
US4794434A (en) * 1987-07-06 1988-12-27 Motorola, Inc. Trench cell for a dram

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JP3128834B2 (ja) 2001-01-29
JPH04252071A (ja) 1992-09-08
US5187550A (en) 1993-02-16
KR0139513B1 (ko) 1998-06-01

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