KR920017249A - 스택형 캐패시터를 구비하는 반도체 메모리 장치 - Google Patents

스택형 캐패시터를 구비하는 반도체 메모리 장치 Download PDF

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내용 없음

Description

스택형 캐패시터를 구비하는 반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 스택형 캐패시터를 구비하는 반도체 메모리장치의 레이아웃도, 제2도는 제1도에 따른 단면도.

Claims (6)

  1. 제1도전형의 반도체 기판(30)과, 상기 기판(30)의 채널영역에 의해 소정거리 이격되는 제2도전형의 제1 및 제2확산영역(34,36)과, 상기 채널영역 상면의 제1절연막(38)을 중간층으로 하는 게이트(40)와, 마스얼라인에 의해 상기 제1또는 제2확산영역(34,36)과 소정거리 이격되는 소자분리 절연막(31)과, 상기 소자분리 절연막(31)과 그에 아웃하는 확산영역(34)사이의 노출된 기판영역과, 상기 노출된 기판영역과 그에 인접하는 확산영역(34)의 소정영역 상면에 접촉하는 제1도전층(50) 및 상기 제1도전층(50)표면의 제2절연막(52)을 중간층으로 하는 제2도전층(54)으로 형성되는 스택형 캐패시터를 구비하는 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 제1또는 제2확산영역(34,36)과 제1도전층(50)의 접촉면 및 상기 노출된 기판영역의 표면 하부에 제2도전형의 제4확산영역(48)을 가짐을 특징으로 하는 스택형 캐패시터를 구비하는 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제4확산영역(48)을 감싸는 제1도전형의 제5확산영역(58)을 더 구비함을 특징으로 하는 스택형 캐패시터를 구비하는 반도체 메모리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제5확산영역(58)의 도우핑 농도가 상기 제1또는 제2확산영역(34,36)의 도우핑 농도보다 낮고 상기 기판(30)의 도우핑 농도보다 높음을 특징으로 하는 스택형 캐패시터를 구비하는 반도체 메모리 장치.
  4. 제1도전형의 반도체 기판(30)과, 상기 기판(30)의 채널영역에 의해 소정거리 이격되는 제2도전형의 제1 및 제2확산영역(34,36)과, 상기 채널영역 상면의 제1절연막(38)을 중간층으로 하는 게이트(40)와, 미스얼라인에 의해 상기 제1또는 제2확산영역(34,36)과 소정거리 이격되는 소자분리 절연막(31,32)과, 상기 소자분리 절연막(31,32)과 그에 아웃하는 확산영역(34)사이의 노출된 기판영역과, 상기 노출된 기판영역의 상면 및 그에 인접하는 확산영역 상면의 소정영역과 접촉하는 도전층을 구비하는 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 제1또는 제2확산영역(34,36)과 도전층의 접촉면 및 상기 노출된 기판영역의 표면 하부에 형성된 제2도전형의 제4확산영역(48)과,상기 제4확산영역(48)을 감싸고, 상기 제1또는 제2확산영역(34,36)의 도우핑 농도보다 낮고 상기 기판(30)의 도우핑 농도보다 높은 도우핑 농도를 갖는 제1도전형의 제5확산영역(58)을 구비함을 특징으로 하는 스택형 캐패시터를 구비하는 반도체 메모리 장치.
  5. 제1도전형의 반도체 기판(30)과, 상기 기판(30)의 채널영역에 의해 서로 소정거리 이격되는 제2도전형의 제1 및 제2확산영역(34a,36a)과, 상기 채널영역 상면의 제1절연막(38)을 중간층으로 하는 게이트(40)와, 상기 제1또는 제2확산영역(34a,36a)과 접촉하는 제1도전층(50) 및 상기 제1도전층(50)표면의 제2절연막(52)을 중간층으로 하는 제2도전층(54)으로 형성되는 스택형 캐패시터를 구비하는 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 제1또는 제2확산영역(34a,36a)과 제1도전층(50)의 접촉면 하부에 제1도전형의 제3확산영역(58a)을 가짐을 특징으로 하는 스택형 캐패시터를 구비하는 반도체 메모리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제3확산영역(58a)의 도우핑 농도가 상기 기판(30)의 도우핑 농도보다 높음을 특징으로 하는 스택형 캐패시터를 구비하는 반도체 메모리 장치.
    ※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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