JPH04278579A - スタック形キャパシタを用いるダイナミック形メモリーセルの製造方法 - Google Patents
スタック形キャパシタを用いるダイナミック形メモリーセルの製造方法Info
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- JPH04278579A JPH04278579A JP3248446A JP24844691A JPH04278579A JP H04278579 A JPH04278579 A JP H04278579A JP 3248446 A JP3248446 A JP 3248446A JP 24844691 A JP24844691 A JP 24844691A JP H04278579 A JPH04278579 A JP H04278579A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/31—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells having a storage electrode stacked over the transistor
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
けるスタック形キャパシタを具備するダイナミックラン
ダムアクセスメモリー (Dynamic Rando
m Access Memory;DRAM) に関す
るもので、その構造の中でも特にストレージ電極と接触
する拡散層の構造に関するものである。
つのトランジスタと一つのキャパシタとで形成される。 そして、このキャパシタに蓄積される電荷により論理状
態‘1’または‘0’の情報が記憶され、この情報の書
き込み及び読出し動作は、トランジスタを通して実行さ
れる。したがって、キャパシタに蓄積される電荷が大き
い程、メモリーセルに記憶された情報を確実に感知する
ことができる。
広い程、また、誘電膜が薄い程増加する。しかし、誘電
膜の薄膜化には限界があり、さらに、半導体装置の高集
積化の趨勢によりメモリー装置の占有面積も減少し、そ
のためキャパシタが占有できる面積も減少している。そ
の結果、平面形キャパシタでは充分な容量を確保するこ
とが難しくなった。そこで、半導体装置が高集積化され
てもメモリー動作に必要な充分な容量を確保するために
、基板に溝を掘ってキャパシタを形成するトレンチ(t
rench)形と、基板の上面に層を積み重ねてキャパ
シタを形成するスタック(stack) 形が提案され
ている。
導体メモリー装置のレイアウト図であって、横方向に伸
張されたアクティブ領域2と、アクティブ領域2に直交
して縦方向に伸張されたワード線4と、アクティブ領域
2の所定領域の上面に形成された第1及び第2接触領域
6、8と、第2接触領域8に接触して横方向に伸張され
たビット線10と、第1接触領域6に接触してアクティ
ブ領域2の上部に形成されたストレージ電極12と、ス
トレージ電極12の上部に、ストレージ電極12を覆う
ように形成されたキャパシタプレート14とを示してい
る。
あって、図4と同じ名称に該当するものは同じ番号を使
用している。同図には、素子領域間の分離のための素子
分離絶縁膜としてフィールド酸化膜21、22が形成さ
れた第1導電形の半導体基板20上に、チャネル領域に
よって相互に所定距離離隔された第1及び第2拡散領域
、すなわちソース及びドレイン領域16、18と、チャ
ネル領域の上面に形成された第1絶縁膜、すなわちゲー
ト絶縁膜24を中間層としてワード線に利用されるゲー
ト4と、第1及び第2接触領域6、8を除いた基板20
の上面に形成された層間絶縁膜26と、第2接触領域8
と接触して金属層で形成されたビット線10と、第1接
触領域6に接触して第1多結晶シリコン層で形成された
第1導電層であるストレージ電極12と、ストレージ電
極12を覆う第2絶縁膜である誘電膜28と、誘電膜2
8の上面に形成された第2多結晶シリコン層で形成され
た第2導電層であるキャパシタプレート14とを具備し
たメモリーセルを示しており、ソース及びドレイン領域
16、18及びゲート4によってMOSトランジスタが
構成され、トランジスタのソース領域16と接触するス
トレージ電極12及びその上面に積層された誘電膜28
及びキャパシタプレート14によってキャパシタが構成
されている。
工程マージン(process margin)が充分
に大きい場合には、図5に示したように、第1接触領域
6はソース領域16内に形成され、多少第1接触領域6
がずれたとしても、工程マージンにより、ソース領域1
6からはみ出ることはない。しかし、メモリーセルの集
積度が高くなると、セル面積の減少によって各領域間の
寸法は工程の最小限界値にまで減少される。そのため、
第1接触領域6の側面とこれに隣接するフィールド酸化
膜21との間の距離Dもミクロン(micron)以下
に短縮され、製造工程中のマスク工程では、高精度のア
ラインメント(Alignment) が要求されてい
る。
製造工程においては、工程マージンの減少によるアライ
メントミスが発生して、第1接触領域6がソース領域1
6をはみ出して形成されてしまう場合が多い。
ライメントミスが発生した場合の断面図を示したもので
、図4及び図5と同じ名称に該当するものは同じ番号を
使用している。同図から分かるように、アライメントミ
スが発生して、第1接触領域6aのパターンを形成する
ためのマスクが、フィールド酸化膜21の方に偏位して
しまった場合、第1接触領域6aがソース領域16をは
み出してフィールド酸化膜21の領域を侵犯して形成さ
れる。そのため、ソース領域16をはみ出して形成され
た第1接触領域6aの一部は、低不純物濃度の第1導電
形の半導体基板20と直接接触してしまう。その結果、
第1接触領域6aの内、低不純物濃度の基板20と接触
している領域は、高不純物濃度のソース領域16と接触
している領域に比べて弱い接合領域を形成する。この弱
い接合領域を通じて漏洩電流が発生し、ストレージ電極
12に蓄積された電荷が減少して、メモリーセルのリフ
レッシュ特性が低下してしまう問題点が発生している。
用される封止材料の中に含まれるウラニウムやトリウム
から放射されるα線が、基板内に入射することにより、
基板内の格子と衝突して正孔と電子を発生させ、この内
の電子がストレージ領域に浸透して、記憶されているデ
ータの反転を発生させるソフトエラー(soft er
ror)が、半導体装置の微細化により増加して、メモ
リーセル動作の信頼性が激減している問題点もある。
的は、スタック形キャパシタを用いた半導体メモリー装
置において、上記のようなマスクのアライメントミス等
が発生してもリフレッシュ特性が低下しない半導体メモ
リー装置や、また、ソフトエラーを抑制し得る半導体メ
モリー装置を提供することにある。
的を達成するために本発明では、ストレージ電極と第1
又は第2拡散領域(ソース又はドレイン領域)との接触
領域を形成した後に、第1又は第2拡散領域と同じ導電
形の不純物をイオン注入する工程を実施して、接触領域
の下面を完全に覆う第3拡散領域をさらに形成したこと
を特徴とする。このようにすることで、マスクのアライ
メントミスに等によって発生した、第1又は第2拡散領
域からはみ出した接触領域も、完全に第3拡散領域で覆
うことができ、漏洩電流を防止できる。また、上記のよ
うにして形成された、第3拡散領域の底面下部を覆うよ
うに、第3拡散領域と反対の導電形の第4拡散領域をさ
らに形成し、あるいは、アライメントミス等による接触
領域のはみ出し部分がないときは、ストレージ電極と接
触する拡散領域の下部に、反対の導電形の拡散領域をさ
らに形成することで、α線によって発生した電子がスト
レージ領域に達するのを防止してソフトエラーを抑制で
きるようになる。
説明する。図1は本発明によるメモリーセルの第1実施
例を示す断面図であって、図4に図示されたレイアウト
を有するDRAMメモリーセルの製造工程中に上述のよ
うなアライメントミスが発生した場合に対する実施例で
ある。
の上に、フィールド酸化膜31、32と、第2導電形の
第1ソース及びドレイン領域34、36と、ゲート絶縁
膜38と、ゲート40と、層間絶縁膜46とを形成した
後に、層間絶縁膜46に第1及び第2接触領域42、4
4のパターンを形成して、基板30の表面が露出するま
で層間絶縁膜46を食刻して第1及び第2接触領域42
、44を形成する。
ライメント時に、アライメントミスによって第1接触領
域42の一部が第1ソース領域34からはみ出して形成
されてしまっている。
2導電形の不純物をイオン注入して第2ソース領域48
を形成する。このとき、第2ソース領域48の不純物濃
度及びイオン注入による拡散領域の深さは、第1ソース
領域34の不純物濃度及び深さと略同じに調節する。こ
のようにすれば、アライメントミスが発生しても第1接
触領域42の下面は同じ導電形の第1及び第2ソース領
域によって完全に覆われるようになる。
1及び第2ソース領域34、48の不純物濃度を各々1
014〜1016ions/cm3 、1018〜10
21ions/cm3 の範囲で実施している。
リコン層(ストレージ電極)50、誘電膜52、第2多
結晶シリコン層(キャパシタプレート)54で構成され
るスタック形キャパシタと、ビット線である金属層56
とを形成して半導体メモリー装置を完成する。
であって、第1実施例と同様のアライメントミスが発生
した場合の別の実施例である。図1と同じ名称に該当す
るものは同じ番号を使用している。
第1ソース領域34と所定領域が重なる第2ソース領域
48を形成する。その後、第2ソース領域48形成のた
めのイオン注入工程に連続して、第1接触領域42の上
部から第1導電形の不純物をイオン注入する。これによ
り、第2導電形の第2ソース領域48の底面を覆う第1
導電形の拡散領域58を形成する。
不純物濃度は、基板30の不純物濃度と第1及び第2ソ
ース領域34、48の不純物濃度の間になるようにする
。第2実施例においては、1016〜1019ions
/cm3 の範囲で実施している。
領域58が障壁となって、基板30に入射したα粒子に
よって発生する正孔と電子の内の電子が、ストレージ領
域である第2ソース領域48に侵入するのを防止する。 したがって、α粒子によるソフトエラーを抑制すること
ができる。
であって、図4のレイアウトを有するDRAMメモリー
セルの製造工程中にアライメントミスが発生しなかった
場合、または集積度があまり高くない場合に対する実施
例である。尚、図1と同じ名称に該当するものは同じ番
号を用いている。
領域42がソース領域34aからはみ出していないので
、図1及び図2のような第2ソース領域を形成しなくて
もよい。
ためのイオン注入工程に連続して、ソース領域34aと
反対の導電形を有する不純物をイオン注入することによ
って、第1導電形の拡散領域58aを形成する。このと
き、不純物の濃度は、ソース領域34aの不純物濃度よ
り低濃度であり、基板30の不純物濃度より高濃度であ
るように調節する。この第3実施例においては、基板3
0の不純物濃度は1014〜1016ions/cm3
、ソース領域34aの不純物濃度は1018〜102
1ions/cm3 、拡散領域58aの不純物濃度は
1016〜1019ions/cm3 で実施している
。
パシタを用いた半導体メモリー装置において、ストレー
ジ電極と拡散領域との接触領域形成のためのマスクアラ
イメント時にアライメントミスが発生し、接触領域が拡
散領域からはみ出して形成されてしまった場合でも、接
触領域を形成した後に、拡散領域と同じ導電形の不純物
をイオン注入する工程を実施して、接触領域の下面を完
全に覆う拡散領域をさらに形成することで、拡散領域か
らはみ出した接触領域部分も完全に拡散領域で覆うこと
ができ、漏洩電流を防止できる。したがって、メモリー
セルのリフレッシュ特性を改善する効果がある。
ン注入後に、連続的に、拡散領域と反対の導電形の不純
物をイオン注入して、接触領域下部の拡散領域底面を覆
うように反対の導電形の拡散領域を形成したり、あるい
は、アライメントミスが発生しなかった場合、即ち接触
領域が拡散領域からはみ出ていない場合には、拡散領域
と反対の導電形の不純物を、接触領域形成後にイオン注
入して、接触領域下部の拡散領域の底面を覆うように反
対の導電形の拡散領域を形成する。
拡散領域が障壁となって、α粒子によって発生した電子
が、ストレージ領域である拡散領域に侵入することを防
止することができる。これにより、ソフトエラー率を大
幅に減少できる効果がある。
エラー率が改善されることにより、高性能で信頼性の高
い半導体メモリー装置を提供することができる。
のメモリーセル部分の断面図である。
のメモリーセル部分の断面図である。
のメモリーセル部分の断面図である。
レイアウト図である。
面図である。
ライメントミスが発生した場合の断面図である。
……第1ソース領域(第1拡散領域)42……第1接触
領域 46……層間絶縁膜 48……第2ソース領域(第3拡散領域)50……スト
レージ電極(第1導電層)52……誘電膜(第2絶縁膜
)
Claims (6)
- 【請求項1】 第1導電形の半導体基板と、チャネル
領域によって所定距離離隔されて基板に形成された第2
導電形の第1及び第2拡散領域と、チャネル領域の上部
の第1絶縁膜を中間層とするゲートと、素子分離絶縁膜
と、基板上面の第1及び第2接触領域を除いて基板上に
形成された層間絶縁膜と、第1接触領域で基板に接触す
る第1導電層及び第1導電層の表面に形成された第2絶
縁膜及び第2絶縁膜を中間層とする第2導電層で構成さ
れるキャパシタとを具備するスタック形キャパシタを用
いた半導体メモリー装置において、第1接触領域の下部
に第2導電形の第3拡散領域をもつことを特徴とするス
タック形キャパシタを用いた半導体メモリー装置。 - 【請求項2】 第3拡散領域の底面全体を覆う第1導
電形の第4拡散領域を具備した請求項1記載のスタック
形キャパシタを用いた半導体メモリー装置。 - 【請求項3】 第4拡散領域の不純物濃度が、基板の
不純物濃度より高い請求項2記載のスタック形キャパシ
タを用いた半導体メモリー装置。 - 【請求項4】 第1導電形の半導体基板と、チャネル
領域によって所定距離離隔されて基板に形成された第2
導電形の第1及び第2拡散領域と、チャネル領域の上面
の第1絶縁膜を中間層とするゲートと、素子分離絶縁膜
と、基板上面の第1及び第2接触領域を除いて基板上に
形成された層間絶縁膜と、第1接触領域で基板に接触す
る導電層とを具備するスタック形キャパシタを用いた半
導体メモリー装置において、第1接触領域の下部に形成
された第2導電形の第3拡散領域と、基板の不純物濃度
より高い不純物濃度で、第3拡散領域の底面全体を覆う
第1導電形の第4拡散領域とを具備したことを特徴とす
るスタック形キャパシタを用いた半導体メモリー装置。 - 【請求項5】 第1導電形の半導体基板と、チャネル
領域によって相互に所定距離離隔されて基板に形成され
た第2導電形の第1及び第2拡散領域と、チャネル領域
の上面の第1絶縁膜を中間層とするゲートと、第1拡散
領域と接触する第1導電層及び第1導電層の表面に形成
された第2絶縁膜及び第2絶縁膜を中間層とする第2導
電層で構成されたキャパシタとを具備するスタック形キ
ャパシタを用いた半導体メモリー装置において、第1拡
散領域と第1導電層の接触部の下部に、第1導電形の第
3拡散領域をもつことを特徴とするスタック形キャパシ
タを用いた半導体装置。 - 【請求項6】 第3拡散領域の不純物濃度が、基板の
不純物濃度より高い請求項5記載のスタック形キャパシ
タを用いた半導体装置。
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Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3212150B2 (ja) * | 1992-08-07 | 2001-09-25 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
JP3653107B2 (ja) * | 1994-03-14 | 2005-05-25 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置およびその製造方法 |
KR100190834B1 (ko) | 1994-12-08 | 1999-06-01 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | 반도체장치및그제조방법 |
TW288200B (en) * | 1995-06-28 | 1996-10-11 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device and process thereof |
KR100239690B1 (ko) * | 1996-04-30 | 2000-01-15 | 김영환 | 반도체 메모리 셀의 필드산화막 형성방법 |
US6021064A (en) * | 1998-02-04 | 2000-02-01 | Vlsi Technology, Inc. | Layout for data storage circuit using shared bit line and method therefor |
US6072713A (en) * | 1998-02-04 | 2000-06-06 | Vlsi Technology, Inc. | Data storage circuit using shared bit line and method therefor |
KR100292943B1 (ko) | 1998-03-25 | 2001-09-17 | 윤종용 | 디램장치의제조방법 |
KR100464414B1 (ko) * | 2002-05-02 | 2005-01-03 | 삼성전자주식회사 | Dc 노드와 bc 노드에 연결된 소오스/드레인 접합영역의 접합 프로파일이 서로 다른 디램 소자의 메모리 셀트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP5191132B2 (ja) | 2007-01-29 | 2013-04-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5574175A (en) * | 1978-11-29 | 1980-06-04 | Nec Corp | Preparing interpolation type mos semiconductor device |
JPS56134757A (en) * | 1980-03-26 | 1981-10-21 | Nec Corp | Complementary type mos semiconductor device and its manufacture |
JPS5885559A (ja) * | 1981-11-18 | 1983-05-21 | Nec Corp | Cmos型半導体集積回路装置 |
JPS63318151A (ja) * | 1987-06-22 | 1988-12-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | Dramメモリセル |
JPH02101769A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61156862A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-16 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JPS6260256A (ja) * | 1985-09-10 | 1987-03-16 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JPS62114265A (ja) * | 1985-11-13 | 1987-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
KR900002474B1 (ko) * | 1985-11-22 | 1990-04-16 | 미쓰비시 뎅기 가부시끼가이샤 | 반도체 메모리 |
KR900003028B1 (ko) * | 1985-12-13 | 1990-05-04 | 미쓰비시 뎅기 가부시끼가이샤 | 반도체 집적회로장치 |
JPS62145860A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置の製造方法 |
JPS63260065A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-27 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置とその製造方法 |
JPS63318150A (ja) * | 1987-06-22 | 1988-12-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | Dramメモリセルの製造方法 |
JPH01120862A (ja) * | 1987-11-04 | 1989-05-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体メモリ装置の製造方法 |
DE3918924C2 (de) * | 1988-06-10 | 1996-03-21 | Mitsubishi Electric Corp | Herstellungsverfahren für eine Halbleiterspeichereinrichtung |
JPH07114257B2 (ja) * | 1988-11-15 | 1995-12-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
US5068707A (en) * | 1990-05-02 | 1991-11-26 | Nec Electronics Inc. | DRAM memory cell with tapered capacitor electrodes |
-
1991
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- 1991-09-02 DE DE4129130A patent/DE4129130C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-03 JP JP3248446A patent/JP2532182B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-03 IT ITRM910657A patent/IT1250772B/it active IP Right Grant
- 1991-09-03 GB GB9118795A patent/GB2253092B/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5574175A (en) * | 1978-11-29 | 1980-06-04 | Nec Corp | Preparing interpolation type mos semiconductor device |
JPS56134757A (en) * | 1980-03-26 | 1981-10-21 | Nec Corp | Complementary type mos semiconductor device and its manufacture |
JPS5885559A (ja) * | 1981-11-18 | 1983-05-21 | Nec Corp | Cmos型半導体集積回路装置 |
JPS63318151A (ja) * | 1987-06-22 | 1988-12-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | Dramメモリセル |
JPH02101769A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4129130C2 (de) | 1995-03-23 |
TW198117B (ja) | 1993-01-11 |
JP2532182B2 (ja) | 1996-09-11 |
GB2253092B (en) | 1994-11-16 |
US5208470A (en) | 1993-05-04 |
ITRM910657A0 (it) | 1991-09-03 |
KR930009127B1 (ko) | 1993-09-23 |
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DE4129130A1 (de) | 1992-09-03 |
GB9118795D0 (en) | 1991-10-16 |
FR2673325B1 (fr) | 1997-03-14 |
KR920017249A (ko) | 1992-09-26 |
GB2253092A (en) | 1992-08-26 |
FR2673325A1 (fr) | 1992-08-28 |
ITRM910657A1 (it) | 1992-08-26 |
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