KR850002683A - 반도체 장치 - Google Patents

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KR850002683A
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semiconductor device
semiconductor
semiconductor substrate
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게루노리 와리바사꼬 (외 2)
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미쓰다 가쓰시게
가부시기 가이샤 히다찌 세이사꾸쇼
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 반도체 장치를 도시한 단면도. 제2도는 본 발명의 제1의 실시예를 도시한 단면도. 제3도는 본 발명의 제2의 실시예를 도시한 단면도. 제4도는 본 발명의 제3의 실시예를 도시한 단면도. 제5도는 본 발명의 제4의 실시예를 도시한 단면도.

Claims (7)

  1. 반도체 기체와, 해당 반도체 기체위에 마련된 제1의 절연막과, 해당 제1의 절연막 위에 적어도 그 일부에 존재하며, 상기 반도체 기체와 적어도 그 일부에서 접하고 있는 제1의 도체층과, 상기 절연막 중에 적어도 그 일부가 매입되는 제2의 도체층과, 해당 제2의 도체층과 상기 제1의 도체층의 사이에 마련된 제2의 절연막을 가진 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 특허청구의 범위 제1항 기재의 반도체 장치에 있어서, 상기 제1의 절연막은, 상기 반도체 기체 위에 마련된 얇은 절연막과, 해당 얇은 절연막 위에 마련된, 주절연막으로 되고, 상기 제1의 도체층은, 상기 얇은 절연막 위에 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 특허청구의 범위 제1항 기재의 반도체 장치에 있어서, 상기 제1의 절연막을 형성하는 절연막 중, 1개는 상기 반도체 기체를 산화해서 형성한 산화막이며, 다른 절연막은 퇴적해서 마련된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 특허청구의 범위 제2항 기재의 반도체 장치에 있어서, 상기 제2의 도체층이 다수개 마련되어 있고, 해당 제2의 도체층 사이에는, 해당 제2의 도체층을 산화한 절연막이 가득채워서 된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 특허청구의 범위 제1항 기재의 반도체 장치에 있어서, 상기 제1의 도체층 위에 마련된 제3의 절연막과, 해당 제3의 절연막 위에 적어도 그 일부가 존재하고, 상기 제1의 도체층과 적어도 그 일부에서 접하고 있는 제3의 도체층을 가진 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 반도체 기체와, 해당 반도체 기체 위에 마련된 제1의 절연막과, 해당 제1의 절연막 위에 적어도 그 일부가 존재하고, 상기 반도체 기체와 적어도 그 일부에서 접하고 있는 제1의 도체층과, 상기 반도체 기체중에 마련된 흠의중에 마련된, 제2의 절연막과, 해당 제2의 절연막과 상기 제1의 절연막의 사이에 마련된 제2의 도체층을 가진 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 반도체 기체와, 해당 반도체 기체 위에 마련된 제1의 절연막과, 해당 절연막 위에 적어도 그 일부가 존재하고, 상기 반도체 기체와 적어도 그 일부에서 접하고 있는 제1의 도체층과, 해당 제1의 도체층중에 마련된 불순물 영역과, 상기 제1의 도체층에 적어도 그 일부가 매입되여, 상기 제1의 도체층과는 절연막을 사이에 두고 마련된 제2의 도체층과, 해당 제2의 도체측과, 상기 불순물 영역과 전기적으로 접속하는 제3의 도체층을 가진 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019840004554A 1983-08-19 1984-07-31 반도체 장치 KR850002683A (ko)

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JP58150149A JPS6042855A (ja) 1983-08-19 1983-08-19 半導体装置

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1987000969A1 (en) * 1985-07-29 1987-02-12 American Telephone & Telegraph Company Three-level interconnection scheme for integrated circuits
JPS62112078U (ko) * 1985-12-27 1987-07-16
JPS6319876A (ja) * 1986-07-11 1988-01-27 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ装置
CN100466021C (zh) * 2002-07-12 2009-03-04 夏普株式会社 主动元件基板及制造方法、主动功能元件、以及显示器件
JP4433404B2 (ja) * 2005-01-06 2010-03-17 セイコーエプソン株式会社 半導体装置、液晶装置、電子デバイス及び半導体装置の製造方法
US7436044B2 (en) * 2006-01-04 2008-10-14 International Business Machines Corporation Electrical fuses comprising thin film transistors (TFTS), and methods for programming same

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL134388C (ko) * 1964-05-15 1900-01-01
US3393088A (en) * 1964-07-01 1968-07-16 North American Rockwell Epitaxial deposition of silicon on alpha-aluminum
US3484662A (en) * 1965-01-15 1969-12-16 North American Rockwell Thin film transistor on an insulating substrate
JPS5267532A (en) * 1975-12-03 1977-06-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor memory unit
US4185294A (en) * 1975-12-10 1980-01-22 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Semiconductor device and a method for manufacturing the same
JPS5293285A (en) * 1976-02-02 1977-08-05 Hitachi Ltd Structure for semiconductor device
JPS56160050A (en) * 1980-05-14 1981-12-09 Fujitsu Ltd Semiconductor device and manufacture thereof
US4389481A (en) * 1980-06-02 1983-06-21 Xerox Corporation Method of making planar thin film transistors, transistor arrays
US4412242A (en) * 1980-11-17 1983-10-25 International Rectifier Corporation Planar structure for high voltage semiconductor devices with gaps in glassy layer over high field regions
JPS5799777A (en) * 1980-12-12 1982-06-21 Toshiba Corp Metal oxide semiconductor type semiconductor device
DE3278799D1 (en) * 1981-08-31 1988-08-25 Toshiba Kk Method for manufacturing three-dimensional semiconductor device
JPS5837949A (ja) * 1981-08-31 1983-03-05 Toshiba Corp 集積回路装置
US4489478A (en) * 1981-09-29 1984-12-25 Fujitsu Limited Process for producing a three-dimensional semiconductor device
US4500905A (en) * 1981-09-30 1985-02-19 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Stacked semiconductor device with sloping sides
JPS5893282A (ja) * 1981-11-30 1983-06-02 Seiko Epson Corp 薄膜半導体素子
JPS58153371A (ja) * 1982-03-08 1983-09-12 Mitsubishi Electric Corp Ｍｏｓトランジスタ

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EP0134692A3 (en) 1986-10-22
US4695856A (en) 1987-09-22
JPS6042855A (ja) 1985-03-07
EP0134692A2 (en) 1985-03-20

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