KR920018953A - 동적램과 그의 제조공정 - Google Patents

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KR920018953A
KR920018953A KR1019920003966A KR920003966A KR920018953A KR 920018953 A KR920018953 A KR 920018953A KR 1019920003966 A KR1019920003966 A KR 1019920003966A KR 920003966 A KR920003966 A KR 920003966A KR 920018953 A KR920018953 A KR 920018953A
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오스카 아단 알베르토
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쓰지 하루오
샤프 가부시끼가이샤
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
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    • H10B12/37—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells the capacitor being at least partially in a trench in the substrate
    • H10B12/377—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells the capacitor being at least partially in a trench in the substrate having a storage electrode extension located over the transistor

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Abstract

내용 없음

Description

동적램과 그의 제조공정
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 구체화 하는 FEC-DRAM셀을 표시하고 부분적으로 표시하는 사시도,
제2도는 제1도에 대응하는 레이아웃도,
제3도는 제조공정의 코스에서 셀을 표시하는 사시도.

Claims (4)

  1. (a)기판상에 병행하여 형성되는 한쌍의 MOS트랜지스터와, (b)MOS 트랜지스터의 각 1단부에 서로 인접하는 불순물 영역 A와 B사이 기판에 형성되는 트랜치와, 그리고 (c)불순물 영역 A에 접속되는 제1전극층을 포함하는 스택 커패시터와, 불순물 영역 B에 접속되는 제2전극층과 커패시터 절연층과, 언급한 순서로 트렌치에 매립되어 서로 형성되는 층을 포함하는 동적램.
  2. 제1항에 있어서, 스택 커패시터는 각 MOS 트랜지스터의 게이트로서 작용하는 워드선 영역을 부분적으로 카버하도록 확장하는 동적 램.
  3. (a)기판상에 병행하여 제공되는 한쌍의 MOS 트랜지스터의 각 1단부에 서로 인접하는 불순물 영역 A와 B사이의 기판에 트렌치를 형성하고, (b)불순물 영역 B의 하나에 로칼배선 스트랩을 형성하고, (c)로칼배선 스트랩에서 절연될 때, 트렌치의 내부 표면과 다른 불순물 영역 A상에 제1전극층을 형성하고, (d)제1전극층 상에 커패시터 절연층을 형성하고, 그리고 (e)로칼배선 스트립에 접속되는 제2전극층을 커패시터 절연층 상에 형성하는 스텝을 포함하는 동적램의 제조공정.
  4. 제3항에 있어서, 제1전극층, 커패서터 절연층 그리고 제2전극층은 각 MOS 트랜지스터의 게이트로 작용하는 워드선 영역을 부분적으로 카버하게 구성도는 동적 램의 제조공정.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019920003966A 1991-03-13 1992-03-11 동적 램과 그의 제조 공정 KR100251217B1 (ko)

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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5363327A (en) * 1993-01-19 1994-11-08 International Business Machines Corporation Buried-sidewall-strap two transistor one capacitor trench cell
US5936271A (en) * 1994-11-15 1999-08-10 Siemens Aktiengesellschaft Unit cell layout and transfer gate design for high density DRAMs having a trench capacitor with signal electrode composed of three differently doped polysilicon layers
US6136677A (en) * 1997-09-25 2000-10-24 Siemens Aktiengesellschaft Method of fabricating semiconductor chips with silicide and implanted junctions
US6025227A (en) * 1997-11-03 2000-02-15 Vanguard International Semiconductor Corporation Capacitor over bit line structure using a straight bit line shape
US6064589A (en) * 1998-02-02 2000-05-16 Walker; Darryl G. Double gate DRAM memory cell
US5920785A (en) * 1998-02-04 1999-07-06 Vanguard International Semiconductor Corporation Dram cell and array to store two-bit data having merged stack capacitor and trench capacitor
US6136638A (en) * 1998-11-19 2000-10-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Process technology architecture of embedded DRAM
WO2001073846A1 (en) * 2000-03-29 2001-10-04 Hitachi, Ltd. Semiconductor device
US6452251B1 (en) 2000-03-31 2002-09-17 International Business Machines Corporation Damascene metal capacitor
CN100336226C (zh) * 2001-12-14 2007-09-05 株式会社日立制作所 半导体器件
US6888187B2 (en) * 2002-08-26 2005-05-03 International Business Machines Corporation DRAM cell with enhanced SER immunity
US6677633B2 (en) 2002-09-24 2004-01-13 Hitachi, Ltd. Semiconductor device
US6936512B2 (en) * 2002-09-27 2005-08-30 International Business Machines Corporation Semiconductor method and structure for simultaneously forming a trench capacitor dielectric and trench sidewall device dielectric
JP4741225B2 (ja) * 2004-12-16 2011-08-03 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
US7358133B2 (en) * 2005-12-28 2008-04-15 Nanya Technology Corporation Semiconductor device and method for making the same
KR20160074826A (ko) 2014-12-18 2016-06-29 삼성전자주식회사 반도체 장치

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6155957A (ja) * 1984-08-27 1986-03-20 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JP2574231B2 (ja) * 1985-12-03 1997-01-22 松下電子工業株式会社 半導体メモリ装置
JPH0654801B2 (ja) * 1987-07-13 1994-07-20 日本電気株式会社 半導体メモリセルおよびその製造方法
JPH0821685B2 (ja) * 1988-02-26 1996-03-04 株式会社東芝 半導体メモリの製造方法
JPH0666438B2 (ja) * 1988-06-17 1994-08-24 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
US4958206A (en) * 1988-06-28 1990-09-18 Texas Instruments Incorporated Diffused bit line trench capacitor dram cell
US4958318A (en) * 1988-07-08 1990-09-18 Eliyahou Harari Sidewall capacitor DRAM cell
JPH02206165A (ja) * 1989-02-06 1990-08-15 Matsushita Electron Corp 半導体メモリ装置
JPH02297962A (ja) * 1989-05-11 1990-12-10 Sharp Corp ダイナミックランダムアクセスメモリ

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DE69125593D1 (de) 1997-05-15
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EP0503199B1 (en) 1997-04-09

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