KR960027004A - 반도체 장치의 측면콘택 형성방법 - Google Patents

반도체 장치의 측면콘택 형성방법 Download PDF

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Abstract

측면콘택시 형성되는 자연 산화막을 도전물질로 변경시켜 콘택저항을 감소시킬 수 있는 반도체 장치의 측면콘택 형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 반도체 기판상에 제1 절연막을 형성하는 단계와, 상기 제1 절연막상에 제1 도전막 및 제2절연막을 형성하는 단계와, 상기 제2 절연막, 제1 도전막 및 제1 절연막을 식각하여, 상기 제1 도전막의 측면이 노출되는콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀이 형성된 기판의 전면에 내화금속막을 형성하는 단계와, 상기 내화금속막상에 상기 콘택홀을 매립하도록 제2 도전막을 형성하는 단계, 및 상기 제1 도전막의 측면에 형성되어 있는 자연산화막을 도전물질로 변형시키는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 측면콘택시에 도전막의 측면에 형성되는 자연 산화막을 도전물질로변형시켜 반도체 장치의 콘택저항을 감소시킬 수 있으며, 콘택을 안정되게 할 수 있다.

Description

반도체 장치의 측면콘택 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본 발명의 일예에 의한 측면콘택 구조를 도시한 단면도이다.

Claims (11)

  1. 반도체 기판상에 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 제1절연막상에 제1도전막 및 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 제2절연막, 제1도전막 및 제1절연막을 식각하여, 상기 제1도전막의 측면이 노출되는 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀이 형성된 기판의 전면에 내화금속막을 형성하는 단계; 상기 내화금속막상에 상기 콘택홀을 매립하도록 제2도전막을 형성하는 단계; 및 상기 제1도전막의 측면에 형성되어 있는 자연산화막을 도전물질로 변형시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 측면콘택 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 내화금속막은 산소와 용해도가 높은 전이금속으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 측면콘택 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 내화금속막은 Ti로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 측면콘택 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 자연산화막을 도전물질로 변형시키는 단계는, 상기 자연산화막과 내화금속막과의 반응에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 측면콘택 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2 도전막은 폴리실리콘막 또는 텅스텐막을 포함하는 복합막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 측면콘택 형성방법.
  6. 반도체 기판상에 제1 절연막을 형성하는 단계; 상기 제1 절연막상에 제1 도전막 및 제2 절연막을 형성하는 단계; 상기 제2 절연막, 제1 도전막 및 제1 절연막을 식각하여, 상기 제1 도전막의 측면이 노출되는 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀이 형성된 기판의 전면에 내화금속막을 형성하는 단계; 상기 내화금속막이 형성되어 있는 기판의 전면에 확산방지막을 형성하는 단계; 상기 확산방지막상에 상기 콘택홀을 매립하도록 제2 도전막을 형성하는 단계; 및 상기 제1 도전막의 측면에 형성되어 있는 자연산화막을 도전물질로 변형시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 측면콘택 형성방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 내화금속막은 산소와 용해도가 높은 전이 금속으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 측면콘택 형성방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 내화금속막은 Ti로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 측면콘택 형성방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 확산방지막은 TiN으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 측면콘택 형성방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 자연산화막을 도전물질로 변형시키는 단계는, 상기 자연산화막과 내화금속막과의반응에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 측면콘택 형성방법.
  11. 제6항에 있어서, 상기 제2 도전막은 폴리실리콘막 또는 텅스텐막을 포함하는 복합막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 측면콘택 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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