KR900017091A - 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체장치 및 그 제조방법 Download PDF

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KR900017091A
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polysilicon layer
manufacturing
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마사다카 다케부치
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아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명을 E2PROM에 적용한 경우의 터널절연막 근방을 도시한 단면도.
제 2 도는 상기 제 1 도의 E2PROM에 있어서 터널절연막의 깊이방향의 불순물프로파일을 도시한 도면.

Claims (6)

  1. 반도체기판(1)과, 이 반도체기판(1)상에 형성된 산화막(3, 4) 및, 이 산화막(3, 4)상에 불순물을 포함하여 형성되는 폴리실리콘층(6)을 구비한 반도체장치에 있어서, 상기 산화막(3, 4)과 폴리실리콘층(6) 사이에 SixNyOz의조성을 갖는 실리콘질화산화막(5)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 산화막이 후막부(3 ; 厚膜部)와 박막부(4 ; 薄膜部)로 구성되고, 상기 폴리실리콘층(6)은 전기적으로 부유상태인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 폴리실리콘층(6)의 불순물이 인(P)인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  4. 반도체기판(1)과, 이 반도체기판(1)상에 형성된 산화막(3, 4) 및, 이 산화막(3, 4)상에 불순물을 포함하여 형성되는 폴리실리콘층(6)을 구비한 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 산화막(3, 4)을 형성한 후 질소원자를 포함하는 가스분위기 중에서 열처리를 행하고, 상기 산화막(3, 4)의 표면 일부에 SixNyOz의 조성을 갖는 실리콘질화산화막(5)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 산화막(3, 4)의 형성공정이 후막부(3 ; 厚膜部)와 박막부(4 ; 薄膜部)를 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 불순물을 포함한 폴리실리콘층(6)의 형성공정이 인의 확산공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900004735A 1989-04-06 1990-04-06 반도체장치 및 그 제조방법 KR930009482B1 (ko)

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