KR980005807A - 반도체 소자의 보호막 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 보호막 형성 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR980005807A KR980005807A KR1019960022798A KR19960022798A KR980005807A KR 980005807 A KR980005807 A KR 980005807A KR 1019960022798 A KR1019960022798 A KR 1019960022798A KR 19960022798 A KR19960022798 A KR 19960022798A KR 980005807 A KR980005807 A KR 980005807A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- protective film
- forming
- film
- semiconductor device
- buffer layer
- Prior art date
Links
Abstract
본 발명은 반도체 소자의 보호막 형성 방법에 관한 것으로, 보호막으로부터 전달되는 스트레스에 의한 금속 배선의 갈라짐을 방지하기 위하여 보호막을 형상하기 전에 전체 상부면에 PSG막을 증착하여 버퍼층을 형성하므로써 보호막으로부터 전달되는 스트레스에 의한 금속 배선의 갈라짐이 방지되며, 표면의 단차가 감소되어 소자의 전기적 특성 및 신뢰도가 향상될 수 있는 반도체 소자의 보호막 형성 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a 내지 제1c도는 본 발명에 다른 반도체 소자의 보호막 형성 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (7)
- 반도체 소자의 보호막 형성 방법에 있어서, 절연막이 형성된 실리콘 기판사에 금속 배선을 형성한 후 전체 상부면에 버퍼층을 형성하고,상기 버퍼층상에 보호막을 형성하여 상기 보호막으로부터 전달되는 스트레스을 완화시키는 동시에 표면의 단차가 감소시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 보호막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 버퍼층은 PSG막으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 보호막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 PSG막으로 380 내지 420℃의 온도에서 PECVD 방식으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 보호막 형성 방법.
- 제1 또는 제2항에 있어서, 상기 버퍼층은 1800 내지 2200Å의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 보호막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 보호막은 산화막 및 질화막이 순차적으로 증착된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 보호막 형성 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 산화막 및 질화막은 각각 380 내지 420℃의 온도에서 PECVD 방식으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 보호막 형성 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 버퍼층은 1800 내지 2200Å의 두께로 형성되며, 상기 질화막은 4500 내지 5500Å의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 보호막 형성 방법※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960022798A KR980005807A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 보호막 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960022798A KR980005807A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 보호막 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005807A true KR980005807A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66287781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960022798A KR980005807A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 보호막 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005807A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030043446A (ko) * | 2001-11-28 | 2003-06-02 | 동부전자 주식회사 | 반도체소자 및 그 제조방법 |
| KR100761361B1 (ko) * | 2006-05-02 | 2007-09-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 및 그 제조방법 |
-
1996
- 1996-06-21 KR KR1019960022798A patent/KR980005807A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030043446A (ko) * | 2001-11-28 | 2003-06-02 | 동부전자 주식회사 | 반도체소자 및 그 제조방법 |
| KR100761361B1 (ko) * | 2006-05-02 | 2007-09-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 및 그 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR930009050A (ko) | 반도체 집적 회로 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR980005807A (ko) | 반도체 소자의 보호막 형성 방법 | |
| KR960035967A (ko) | 다층 금속배선의 층간 절연막 형성 방법 | |
| KR970003513A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR960002897A (ko) | 반도체소자 및 그 제조방법 | |
| JPS5758338A (en) | Semiconductor integrated device | |
| KR970052515A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR970052921A (ko) | 반도체 소자의 금속층 형성 방법 | |
| KR970052380A (ko) | 반도체 소자의 보호막 형성 방법 | |
| KR100434021B1 (ko) | 반도체 소자의 패시베이션 형성방법 | |
| KR980005681A (ko) | 수소 실세스퀴옥산을 이용한 반도체 장치 제조 방법 | |
| KR980005802A (ko) | 금속 배선 보호용 패시배이션층의 다층 적층 방법 | |
| KR970052839A (ko) | 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법 | |
| KR890007397A (ko) | 금속막의 힐록 생성억제를 위한 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR960043049A (ko) | 반도체 소자의 절연막 형성방법 | |
| KR970013219A (ko) | 반도체 소자의 베리어 금속층 형성방법 | |
| KR970018220A (ko) | 저유전율의 절연막 형성 방법 | |
| KR970008347A (ko) | 반도체 소자의 금속층 형성방법 | |
| KR980005485A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR950007019A (ko) | 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법 | |
| JPH0284729A (ja) | アルミニウム系配線 | |
| KR960002635A (ko) | 반도체 소자의 금속층간절연막 형성방법 | |
| KR980005810A (ko) | 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법 | |
| KR980005452A (ko) | 반도체 소자의 금속층 형성 방법 | |
| KR930017112A (ko) | 반도체 장치의 보호막 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |