JPH0284729A - アルミニウム系配線 - Google Patents
アルミニウム系配線Info
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- JPH0284729A JPH0284729A JP23772288A JP23772288A JPH0284729A JP H0284729 A JPH0284729 A JP H0284729A JP 23772288 A JP23772288 A JP 23772288A JP 23772288 A JP23772288 A JP 23772288A JP H0284729 A JPH0284729 A JP H0284729A
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- Japan
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- film
- silicon nitride
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- nitride film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置のアルミニウム系配線に関＼
する。
従来、半導体集積回路のＡｌ系配線には保ｓｇとしてＳ
ｉＯ２系ガラス及びその表面に窒化珪素膜が形成されて
いる。Ｓｉｎ、系ガラスは通常ＣＶＤ法を用いて堆積さ
れ、窒化珪素は通常プラズマＣＶＤを用いて堆積されて
いる。
ｉＯ２系ガラス及びその表面に窒化珪素膜が形成されて
いる。Ｓｉｎ、系ガラスは通常ＣＶＤ法を用いて堆積さ
れ、窒化珪素は通常プラズマＣＶＤを用いて堆積されて
いる。
上記のようなＡｌ系配線は、半導体集積回路をセラミッ
クパッケージに封じ込める際のように４００℃以上の温
度に晒されると、配線中にボイドを発生し、断線を引き
起こすという問題がある。この問題はこれまでそのメカ
ニズムが解明されていないため、有効な解決策が提案さ
れていない。例えば、窒化珪素膜の内部応力を通常の圧
縮から引っ張りになるように、プラズマＣＶＤでの形成
条件を変化させるとボイドが発生しにくいが、この窒化
珪素膜はひび割れが入りやすく実用にならない。
クパッケージに封じ込める際のように４００℃以上の温
度に晒されると、配線中にボイドを発生し、断線を引き
起こすという問題がある。この問題はこれまでそのメカ
ニズムが解明されていないため、有効な解決策が提案さ
れていない。例えば、窒化珪素膜の内部応力を通常の圧
縮から引っ張りになるように、プラズマＣＶＤでの形成
条件を変化させるとボイドが発生しにくいが、この窒化
珪素膜はひび割れが入りやすく実用にならない。
本発明は上記問題点を解決したアルミニウム系配線を提
供することにある。
供することにある。
上記目的を達成するため、本発明のＡｌ系配線において
は、半導体集積回路のＡｌ系配線を保護するＳｉｎ、系
ガラスによる保護膜と、その表面に形成する圧縮の内部
応力を持つ通常の窒化珪素膜による保護膜との間に前記
Ｓｉｎ、系ガラスの表面に引っ張りの内部応力を持つ窒
化珪素膜を介在させたちのである。
は、半導体集積回路のＡｌ系配線を保護するＳｉｎ、系
ガラスによる保護膜と、その表面に形成する圧縮の内部
応力を持つ通常の窒化珪素膜による保護膜との間に前記
Ｓｉｎ、系ガラスの表面に引っ張りの内部応力を持つ窒
化珪素膜を介在させたちのである。
ＣＶＤで堆積した保護膜のＳｉｎ、系ガラスの表面にプ
ラズマＣｖＯで窒化珪素膜を堆積する場合、ひび割れを
防止するために圧縮の内部応力を持つ窒化珪素膜が堆積
される。そのため、５１０８系ガラスは窒化珪素膜から
引っ張り応力（１０”ｄｉｎ／ｄ台）を受けることにな
る。引っ張り応力を受けたＳｉＯ□系ガラスは金属原子
を吸収しようとする性質が増進され、Ａｌ原子を吸収°
することによってＡｌ系配線にボイドを作る原因となる
。そこでＳｉｎ、系ガラスに大きな引っ張り応力がかか
らないようにすれば、Ａ意系配線に発生するボイドを防
止することができる。
ラズマＣｖＯで窒化珪素膜を堆積する場合、ひび割れを
防止するために圧縮の内部応力を持つ窒化珪素膜が堆積
される。そのため、５１０８系ガラスは窒化珪素膜から
引っ張り応力（１０”ｄｉｎ／ｄ台）を受けることにな
る。引っ張り応力を受けたＳｉＯ□系ガラスは金属原子
を吸収しようとする性質が増進され、Ａｌ原子を吸収°
することによってＡｌ系配線にボイドを作る原因となる
。そこでＳｉｎ、系ガラスに大きな引っ張り応力がかか
らないようにすれば、Ａ意系配線に発生するボイドを防
止することができる。
以下に本発明の実施例を図を用いて説明する。
第１図はその一例である０図において、層間絶縁膜１を
表面に有する基板２上に、Ａｆｌ−１％Ｓｉ膜を形成し
た後、フォトレジスト工程とドライエツチング工程とに
よって配線パターン３を形成し、ＣｖＤによって保護膜
の燐ガラス４をｔｕ堆積する。
表面に有する基板２上に、Ａｆｌ−１％Ｓｉ膜を形成し
た後、フォトレジスト工程とドライエツチング工程とに
よって配線パターン３を形成し、ＣｖＤによって保護膜
の燐ガラス４をｔｕ堆積する。
次いでプラズマＣｖＤによって引つ張りの内部応力を持
つ窒化珪素膜５を０．１μｓ堆積し、引続きプラズマＣ
ＶＤによって圧縮の内部応力を持つ通常の窒化珪素膜６
をその表面に０．２．堆積することによって第１図の構
造を得る。
つ窒化珪素膜５を０．１μｓ堆積し、引続きプラズマＣ
ＶＤによって圧縮の内部応力を持つ通常の窒化珪素膜６
をその表面に０．２．堆積することによって第１図の構
造を得る。
上記のＡｌ系配線は、４５０°Ｃ程度の熱処理ではボイ
ドの発生が見られなかった。
ドの発生が見られなかった。
また、プラズマＣＶＤによって窒化珪素膜を堆積する際
、その内部応力が引つ張りから圧縮に連続的に条件を変
化させて窒化珪素膜を堆積しても、同様の効果が得られ
る。
、その内部応力が引つ張りから圧縮に連続的に条件を変
化させて窒化珪素膜を堆積しても、同様の効果が得られ
る。
以上のように本発明によれば４００〜５００℃の温度に
晒されてもボイド発生のない半導体集積回路のＡｌ系配
線を得ることができる効果を有するものである。
晒されてもボイド発生のない半導体集積回路のＡｌ系配
線を得ることができる効果を有するものである。
第１図は本発明を説明する模式図である。
１・・・層間絶縁膜 ２・・・基板３・・・配
線パターン ４・・・燐ガラス５・・引っ張り窒
化珪素膜 ６・・・通常窒化珪素膜 ６Ａり娑′窒イヒよ卦０
線パターン ４・・・燐ガラス５・・引っ張り窒
化珪素膜 ６・・・通常窒化珪素膜 ６Ａり娑′窒イヒよ卦０
Claims (1)
- （１）半導体集積回路のＡｌ系配線を保護するＳｉＯ＿
２系ガラスによる保護膜と、その表面に形成する圧縮の
内部応力を持つ通常の窒化珪素膜による保護膜との間に
前記ＳｉＯ＿２系ガラスの表面に引っ張りの内部応力を
持つ窒化珪素膜を介在させたことを特徴とするアルミニ
ウム系配線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23772288A JPH0284729A (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | アルミニウム系配線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23772288A JPH0284729A (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | アルミニウム系配線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0284729A true JPH0284729A (ja) | 1990-03-26 |
Family
ID=17019523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23772288A Pending JPH0284729A (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | アルミニウム系配線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0284729A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02292826A (ja) * | 1989-05-06 | 1990-12-04 | Sony Corp | 半導体装置 |
| US5308794A (en) * | 1992-04-30 | 1994-05-03 | International Business Machines Corporation | Aluminum-germanium alloys for VLSI metallization |
-
1988
- 1988-09-21 JP JP23772288A patent/JPH0284729A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02292826A (ja) * | 1989-05-06 | 1990-12-04 | Sony Corp | 半導体装置 |
| US5308794A (en) * | 1992-04-30 | 1994-05-03 | International Business Machines Corporation | Aluminum-germanium alloys for VLSI metallization |
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