JPH0284729A - アルミニウム系配線 - Google Patents
アルミニウム系配線Info
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- JPH0284729A JPH0284729A JP23772288A JP23772288A JPH0284729A JP H0284729 A JPH0284729 A JP H0284729A JP 23772288 A JP23772288 A JP 23772288A JP 23772288 A JP23772288 A JP 23772288A JP H0284729 A JPH0284729 A JP H0284729A
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- Japan
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- film
- silicon nitride
- internal stress
- nitride film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置のアルミニウム系配線に関\
する。
従来、半導体集積回路のAl系配線には保sgとしてS
iO2系ガラス及びその表面に窒化珪素膜が形成されて
いる。Sin、系ガラスは通常CVD法を用いて堆積さ
れ、窒化珪素は通常プラズマCVDを用いて堆積されて
いる。
iO2系ガラス及びその表面に窒化珪素膜が形成されて
いる。Sin、系ガラスは通常CVD法を用いて堆積さ
れ、窒化珪素は通常プラズマCVDを用いて堆積されて
いる。
上記のようなAl系配線は、半導体集積回路をセラミッ
クパッケージに封じ込める際のように400℃以上の温
度に晒されると、配線中にボイドを発生し、断線を引き
起こすという問題がある。この問題はこれまでそのメカ
ニズムが解明されていないため、有効な解決策が提案さ
れていない。例えば、窒化珪素膜の内部応力を通常の圧
縮から引っ張りになるように、プラズマCVDでの形成
条件を変化させるとボイドが発生しにくいが、この窒化
珪素膜はひび割れが入りやすく実用にならない。
クパッケージに封じ込める際のように400℃以上の温
度に晒されると、配線中にボイドを発生し、断線を引き
起こすという問題がある。この問題はこれまでそのメカ
ニズムが解明されていないため、有効な解決策が提案さ
れていない。例えば、窒化珪素膜の内部応力を通常の圧
縮から引っ張りになるように、プラズマCVDでの形成
条件を変化させるとボイドが発生しにくいが、この窒化
珪素膜はひび割れが入りやすく実用にならない。
本発明は上記問題点を解決したアルミニウム系配線を提
供することにある。
供することにある。
上記目的を達成するため、本発明のAl系配線において
は、半導体集積回路のAl系配線を保護するSin、系
ガラスによる保護膜と、その表面に形成する圧縮の内部
応力を持つ通常の窒化珪素膜による保護膜との間に前記
Sin、系ガラスの表面に引っ張りの内部応力を持つ窒
化珪素膜を介在させたちのである。
は、半導体集積回路のAl系配線を保護するSin、系
ガラスによる保護膜と、その表面に形成する圧縮の内部
応力を持つ通常の窒化珪素膜による保護膜との間に前記
Sin、系ガラスの表面に引っ張りの内部応力を持つ窒
化珪素膜を介在させたちのである。
CVDで堆積した保護膜のSin、系ガラスの表面にプ
ラズマCvOで窒化珪素膜を堆積する場合、ひび割れを
防止するために圧縮の内部応力を持つ窒化珪素膜が堆積
される。そのため、5108系ガラスは窒化珪素膜から
引っ張り応力(10”din/d台)を受けることにな
る。引っ張り応力を受けたSiO□系ガラスは金属原子
を吸収しようとする性質が増進され、Al原子を吸収°
することによってAl系配線にボイドを作る原因となる
。そこでSin、系ガラスに大きな引っ張り応力がかか
らないようにすれば、A意系配線に発生するボイドを防
止することができる。
ラズマCvOで窒化珪素膜を堆積する場合、ひび割れを
防止するために圧縮の内部応力を持つ窒化珪素膜が堆積
される。そのため、5108系ガラスは窒化珪素膜から
引っ張り応力(10”din/d台)を受けることにな
る。引っ張り応力を受けたSiO□系ガラスは金属原子
を吸収しようとする性質が増進され、Al原子を吸収°
することによってAl系配線にボイドを作る原因となる
。そこでSin、系ガラスに大きな引っ張り応力がかか
らないようにすれば、A意系配線に発生するボイドを防
止することができる。
以下に本発明の実施例を図を用いて説明する。
第1図はその一例である0図において、層間絶縁膜1を
表面に有する基板2上に、Afl−1%Si膜を形成し
た後、フォトレジスト工程とドライエツチング工程とに
よって配線パターン3を形成し、CvDによって保護膜
の燐ガラス4をtu堆積する。
表面に有する基板2上に、Afl−1%Si膜を形成し
た後、フォトレジスト工程とドライエツチング工程とに
よって配線パターン3を形成し、CvDによって保護膜
の燐ガラス4をtu堆積する。
次いでプラズマCvDによって引つ張りの内部応力を持
つ窒化珪素膜5を0.1μs堆積し、引続きプラズマC
VDによって圧縮の内部応力を持つ通常の窒化珪素膜6
をその表面に0.2.堆積することによって第1図の構
造を得る。
つ窒化珪素膜5を0.1μs堆積し、引続きプラズマC
VDによって圧縮の内部応力を持つ通常の窒化珪素膜6
をその表面に0.2.堆積することによって第1図の構
造を得る。
上記のAl系配線は、450°C程度の熱処理ではボイ
ドの発生が見られなかった。
ドの発生が見られなかった。
また、プラズマCVDによって窒化珪素膜を堆積する際
、その内部応力が引つ張りから圧縮に連続的に条件を変
化させて窒化珪素膜を堆積しても、同様の効果が得られ
る。
、その内部応力が引つ張りから圧縮に連続的に条件を変
化させて窒化珪素膜を堆積しても、同様の効果が得られ
る。
以上のように本発明によれば400〜500℃の温度に
晒されてもボイド発生のない半導体集積回路のAl系配
線を得ることができる効果を有するものである。
晒されてもボイド発生のない半導体集積回路のAl系配
線を得ることができる効果を有するものである。
第1図は本発明を説明する模式図である。
1・・・層間絶縁膜 2・・・基板3・・・配
線パターン 4・・・燐ガラス5・・引っ張り窒
化珪素膜 6・・・通常窒化珪素膜 6Aり娑′窒イヒよ卦0
線パターン 4・・・燐ガラス5・・引っ張り窒
化珪素膜 6・・・通常窒化珪素膜 6Aり娑′窒イヒよ卦0
Claims (1)
- (1)半導体集積回路のAl系配線を保護するSiO_
2系ガラスによる保護膜と、その表面に形成する圧縮の
内部応力を持つ通常の窒化珪素膜による保護膜との間に
前記SiO_2系ガラスの表面に引っ張りの内部応力を
持つ窒化珪素膜を介在させたことを特徴とするアルミニ
ウム系配線。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23772288A JPH0284729A (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | アルミニウム系配線 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23772288A JPH0284729A (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | アルミニウム系配線 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0284729A true JPH0284729A (ja) | 1990-03-26 |
Family
ID=17019523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23772288A Pending JPH0284729A (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | アルミニウム系配線 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0284729A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02292826A (ja) * | 1989-05-06 | 1990-12-04 | Sony Corp | 半導体装置 |
US5308794A (en) * | 1992-04-30 | 1994-05-03 | International Business Machines Corporation | Aluminum-germanium alloys for VLSI metallization |
-
1988
- 1988-09-21 JP JP23772288A patent/JPH0284729A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02292826A (ja) * | 1989-05-06 | 1990-12-04 | Sony Corp | 半導体装置 |
US5308794A (en) * | 1992-04-30 | 1994-05-03 | International Business Machines Corporation | Aluminum-germanium alloys for VLSI metallization |
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