KR970052515A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents

반도체 소자의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본원에서는 금속배선의 형성을 포함하는 반도체 소자의 제조방법을 제공한다. 그 방법은 반도체 기판상에 금속배선의 형성을 포함하는 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 반도체 기판상에 형성된 층간 절연막상에 굴절율이 큰 절연막을 형성하는 단계; 전체 구조 상부에 소정의 금속 배선을 형성하는 단계; 및 상기의 금속 배선 상부에 보호막으로서 FSG(Fluo Silica Glass)막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하고, FSG막 상에 최종 보호막으로서 추가의 절연막을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

반도체 소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (5)

  1. 금속배선의 형성을 포함하는 반도체 소자의 제조방법에 있어서, (가) 반도체 기판상에 형성된 층간 절연막상에 굴절율이 큰 절연막을 형성하는 단계; (나) 전체 구조 상부에 소정의 금속 배선을 형성하는 단계; 및 (다) 상기의 금속 배선 상부에 보호막으로서 FSG(Fluo Silica Glass)막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기의 단계 (다) 이후에, FSG막 상에 최종 보호막으로서 추가의 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기의 단계 (다)에서의 굴절율이 큰 절연막은 산화질화막, 질화막, 및 실리콘 풍부 산화막(silicon rich oxide)으로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 추가의 절연막은 굴절율이 1.8 이상인 것으로서, 질화막 또는 산화질화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기의 단계 (다)에서의 FSG막은 약 8% 이하의 불소를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950069606A 1995-12-30 1995-12-30 반도체소자의제조방법 KR100372660B1 (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100268934B1 (ko) * 1997-12-29 2000-12-01 김영환 반도체소자의 배선형성방법
KR100546204B1 (ko) * 1999-06-25 2006-01-24 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100268934B1 (ko) * 1997-12-29 2000-12-01 김영환 반도체소자의 배선형성방법
KR100546204B1 (ko) * 1999-06-25 2006-01-24 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법

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