KR890005819A - 반도체 소자의 보호막 제조방법 - Google Patents
반도체 소자의 보호막 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (가) - (라)는 본 발명 패시베이션 공정에 의한 반도체 소자의 단면도.
Claims (4)
- 반도체 소자의 패시베이션 공정에 있어서, 메탈(A) 을 덮고 있는 PSG(B)상면에 하이스트레스의 액화상태의 SOG를 평탄 도포한후 400C에서 30분간 베이킹하여 딕 SOG 필름(C)을 형성시킨 다음 플래즈마나이트 라이드(D)를 도포하여 보호막의 크랙현상을 방지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 보호막 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 딕 SOG 필름(C)을 형성시키는 대신 로우 스트레스의 SOG에 의한 딘 SOG 필름(C)을 형성시킴을 특징으로 하는 반도체 소자의 보호막 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 메탈(A)위에 하이 스트레스의 SOG에 의한 딕 SOG 필름(C)을 직접 형성시킨후 플래즈머 나이트라이드(D)를 형성시킴을 특징으로 하는 반도체 소자의 보호막 제조방법.
- 제 3항에 있어서, 딕 SOG 필름(C)을 형성시키는 대신 로우스트레스의 SOG에 의한 딘 SOG 필름(C)를 형성시킴을 특징으로 하는 반도체 소자의 보호막 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR870010444A KR890005819A (ko) | 1987-09-21 | 1987-09-21 | 반도체 소자의 보호막 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR870010444A KR890005819A (ko) | 1987-09-21 | 1987-09-21 | 반도체 소자의 보호막 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR890005819A true KR890005819A (ko) | 1989-05-17 |
Family
ID=68343900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR870010444A KR890005819A (ko) | 1987-09-21 | 1987-09-21 | 반도체 소자의 보호막 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR890005819A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100522130B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-10-19 | 인텔 코오퍼레이션 | 웨이퍼 패시베이션 구조 및 제조방법 |
| KR100567531B1 (ko) * | 2004-11-24 | 2006-04-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
-
1987
- 1987-09-21 KR KR870010444A patent/KR890005819A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100522130B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-10-19 | 인텔 코오퍼레이션 | 웨이퍼 패시베이션 구조 및 제조방법 |
| KR100567531B1 (ko) * | 2004-11-24 | 2006-04-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
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