KR910005440A - 알루미늄 필름의 부식방지를 위한 2중층 증착방법 - Google Patents
알루미늄 필름의 부식방지를 위한 2중층 증착방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 CMOS구조의 단면도.
Claims (1)
- MOS소자에 있어서 Al/Si/Cu를 4000-5000Å디포지션하여 메탈(2)형성후 Al/Si필름(3)을 500-1000Å정도 증착하여 Al/Si/Cu+Al/Si의 2증층 구조를 형성하므로 웨트 스트립 용액으로 감광제를 제거해도 위에 덮인 Al/Si필름(3)에 Cu가 함유되지 않아 부식이 방지되게 함을 특징으로 하는 알루미늄 필름의 부식방지를 위한 2증층 증착방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019890012559A KR0136914B1 (ko) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 알루미늄 필름의 부식방지를 위한 2중층 증착방법 |
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR910005440A true KR910005440A (ko) | 1991-03-30 |
KR0136914B1 KR0136914B1 (ko) | 1998-04-29 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019890012559A KR0136914B1 (ko) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 알루미늄 필름의 부식방지를 위한 2중층 증착방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR0136914B1 (ko) |
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1989
- 1989-08-31 KR KR1019890012559A patent/KR0136914B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
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KR0136914B1 (ko) | 1998-04-29 |
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