KR0136914B1 - 알루미늄 필름의 부식방지를 위한 2중층 증착방법 - Google Patents
알루미늄 필름의 부식방지를 위한 2중층 증착방법Info
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Abstract
내용없음
Description
제 1도는 종래 CMOS 구조의 단면도.
제2도는 본 발명의 CMOS 구조의 단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1,2 : 메탈 3 : A1/Si 필름
본 발명은 구리성분을 함유한 알루미늄 필름의 부식(corrosion)방지를 위한 2중층(Double Layer) 증착방법에 관한 것으로 특히 멀티층 메탈공정에 적당하도록 메탈디포지션시 A1/Si/Cu+Al/Si의 2층 구조를 사용하여 감광제 제거시 발생하는 부식현상을 방지할 수 있도륵 한 것이다.
반도체소자의 고집적화 추세로 인하여 집적도를 높이기 위한 수단의 하나로 다중층 금속공정이 필수적인 요소가 되고 있다.
한때는 소자의 메탈층의 재료로서 알루미늄에 실리콘이 함유된 필름을 사용하였으나 실리콘이 함유됨으로 인해 정션 스파이킹(spiking)은 방지되지만 힐록(hil1ock)이 크게 발생하여 위에 있는 다른 금속층과 단락현상이 발생될 우려가 있자 A1+Si+Cu를 사용하여 힐록 및 일렉트로미그레이션(Electromi-gration) 등의 측면에서 대단한 진전을 보였다.
그러나, A1/Si/Cu 필름을 메탈로 사용할 경우 패턴형성 및 식각후 감광제의 완전한 제거를 위하여 애싱(ashing)후 아민(amine)이 함유된 R-10을 사용하는데 이때, 구리격리에 의해 알루미늄 필름의 부식이 발생하여 얇은 알루미늄선의 노출현상이 발생하게 된다.
따라서, 감광제 제거시 애싱만으로 P/R 스트립을 하는데 이 경우 감광제 불완전한 제거로 인해 상층의 금속층과의 접촉저항이 높아지고 이후 공정에서 입자발생이 심각하게 된다.
즉, 종래에는 제1도와 같은 CMOS 구조에서 A1/Si/Cu로만 증착시켜 메탈(2)을 형성하였으며 이와 같이 메탈라인 형성후 이를 감광제 제거를 위한 아민을 함유한 습식식각 용액을 넣을 경우 콘택트홀(4)과 같은 부위의 메탈두께가 얇아져 부식발생시 노출되기 쉬웠다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 것으로 이를 첨부된 도면 제2도에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에서는 종래 기술에서 메탈의 재질로서 사용하는 A1/Si/Cu를 그대로 사용하되 완전한 감광제 제거를 위하여 아민을 함유한 습식식각 용액처리를 실시할 때 메탈(1)과 메탈(2) 사이의 접촉저항을 줄이고 입자오염을 방지할 수 있도록 한 방법으로서 A1/Si/Cu를 4000-5000Å 디포지션후 동일한 진공상태에서 A1/Si 필름(3)을 500-1000Å 정도 증착하여 Al/Si/Cu 필름 즉, 메탈(2)을 A1/Si로서 캡슐레이션하므로 결국 이중층을 형성하여 부식을 방지할 수 있게 하였다. 이를 위해서는 하나의 스퍼터링 시스템내에 두가지 필름을 증착할 수 있도륵 타켓이 장착될 수 있는 스테이션이 별도로 준비되어야 한다.
따라서, 본 발명은 제 2도와 같이 MOS 소자의 메탈(2)선을 A1/Si/Cu+A1/Si의 2중층구조를 할 경우 메탈선 형성후 습식식각 용액으로 감광제를 제거해도 위에 덮인 A1/Si 필름(3)에 Cu가 함유되지 않음으로 인해 부식이 생기지 않게 되고, 이에 따라 콘택트홀(4) 등의 노출이 방지될 수 있다.
또한, 감광제 제거를 완전히 하게 되어 메탈(1)(2) 사이의 콘택트 저항을 감소시킬 수 있는 효과도있다.
Claims (1)
- MOS 소자에 있어서 A1/Si/Cu를 4000-5000Å 디포지션하여 메탈(2) 형성후 A1/Si 필름(3)을 500-1000Å 정도 증착하여 A1/Si/Cu+A1/Si의 2중층 구조를 형성함을 특징으로 하는 알루미늄 필름의 부식방지를 위한 2중층 증착방법.
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| KR910005440A (ko) | 1991-03-30 |
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