JP2019121776A - バンプ構造を有する半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】バンプ構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明のバンプ構造を有する半導体装置の製造方法では、前記バンプ構造を有する半導体装置が形成された後に前記バンプ構造を有する半導体装置の前記バンプまたは前記バンプ下地用金属層に対して追加のエッチングを行う。これにより、前記バンプ構造を有する半導体装置の性能及び外観を規格に適合させる。【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、更に詳しくは、バンプ構造を有する半導体装置の製造方法に関する。
バンプ構造の製造はフリップチップ技術において鍵となっているプロセスであり、チップと基板との間を電気的に接続するために使用されている。一般的なバンプ構造は、フォトレジスト層のパターン化、電気めっき、及びエッチングのプロセスを経てチップに形成され、チップが反対に設置される方式により基板と接続される。フリップチップ技術により製造された半導体装置は、素子が高密度になり、放熱能力が高く、低コストである、等の長所を有し、集積回路のサイズが大幅に縮小されている。このため、フリップチップ技術は現在、集積回路にとって重要なパッケージプロセスの1つとなっている。
しかしながら、従来のバンプ構造のプロセスは歩留まりが低く、このバンプ構造のプロセスの歩留まりを如何に高めるかがフリップチップ技術の発展にとって鍵となっている。
そこで、本発明者は上記の欠点の改善は可能と考え、鋭意検討を重ねた結果、合理的設計で上記の課題を効果的に改善する本発明を提案するに到った。
かかる従来の実情に鑑み、本発明は、バンプ構造を有する半導体装置の製造方法の歩留まりを高めることを目的とする。すなわち、バンプまたはバンプ下地用金属層に対して追加のエッチングを行い、正常にエッチングが行われる中で不完全なエッチングにより残留した金属成分を取り除くことで歩留まりを高め、半導体装置の外観及び性能が規格に適合するようにする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係るバンプ構造を有する半導体装置の製造方法は、
導電パッド及び保護層を有し、前記保護層の開口部には前記導電パッドが露出する基板を提供する工程と、
前記保護層及び前記開口部から露出する前記導電パッドを覆うようにバンプ下地用金属層が基板に形成される工程と、
孔部からバンプ下地用金属層が露出するように、パターン化されたフォトレジスト層が前記バンプ下地用金属層上に形成される工程と、
前記バンプ下地用金属層に電気的に接続されるように、前記パターン化されたフォトレジスト層の前記孔部中にバンプが形成される工程と、
前記パターン化されたフォトレジスト層が剥離され、前記バンプの側壁及び前記バンプに覆われていない前記バンプ下地用金属層が露出される工程と、
前記バンプを前記バンプ下地用金属層に対するエッチングが行われる際のマスクとし、前記保護層が露出される工程と、
前記バンプまたは前記バンプ下地用金属層に対して追加のエッチングが行われ、前記バンプのサイズの調整が行われ、残留する金属や前記バンプの汚れが取り除かれる工程と、を含む。
導電パッド及び保護層を有し、前記保護層の開口部には前記導電パッドが露出する基板を提供する工程と、
前記保護層及び前記開口部から露出する前記導電パッドを覆うようにバンプ下地用金属層が基板に形成される工程と、
孔部からバンプ下地用金属層が露出するように、パターン化されたフォトレジスト層が前記バンプ下地用金属層上に形成される工程と、
前記バンプ下地用金属層に電気的に接続されるように、前記パターン化されたフォトレジスト層の前記孔部中にバンプが形成される工程と、
前記パターン化されたフォトレジスト層が剥離され、前記バンプの側壁及び前記バンプに覆われていない前記バンプ下地用金属層が露出される工程と、
前記バンプを前記バンプ下地用金属層に対するエッチングが行われる際のマスクとし、前記保護層が露出される工程と、
前記バンプまたは前記バンプ下地用金属層に対して追加のエッチングが行われ、前記バンプのサイズの調整が行われ、残留する金属や前記バンプの汚れが取り除かれる工程と、を含む。
本発明は前記バンプまたは前記バンプ下地用金属層に対して追加のエッチングを行う。これにより、前記バンプ構造を有する半導体装置のサイズが規格に適合せず、また金属が残留して表面が汚れる、といった問題を有効に解決し前記バンプ構造を有する半導体装置の性能及び外観を規格に適合させ、且つ前記バンプ構造を有する半導体装置の製造上の歩留まりを高める。
本発明における好適な実施の形態について、添付図面を参照して説明する。尚、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を限定するものではない。また、以下に説明される構成の全てが、本発明の必須要件であるとは限らない。
以下に、図1〜11を参照しながら、本発明をさらに詳しく説明する。まず、図1は本発明の一実施形態に係るバンプ構造を有する半導体装置の製造方法10を示すフローチャートである。
この製造方法は、「基板を提供する工程」11と、「バンプ下地用金属層を形成する工程」12と、「パターン化されたフォトレジスト層を形成する工程」13と、「バンプを形成する工程」14と、「パターン化されたフォトレジスト層を剥離する工程」15と、「バンプ下地用金属層に対してエッチングを行う工程」16と、「バンプ或いはバンプ下地用金属層に対して追加のエッチングを行う工程」17と、を含む。
この製造方法は、「基板を提供する工程」11と、「バンプ下地用金属層を形成する工程」12と、「パターン化されたフォトレジスト層を形成する工程」13と、「バンプを形成する工程」14と、「パターン化されたフォトレジスト層を剥離する工程」15と、「バンプ下地用金属層に対してエッチングを行う工程」16と、「バンプ或いはバンプ下地用金属層に対して追加のエッチングを行う工程」17と、を含む。
図1及び図2を参照する。ここでは、工程11において基板100が提供される。前記基板100は本体110と、導電パッド120と、保護層130とを有する。
前記導電パッド120は前記本体110の表面111に位置し、前記本体110内部の素子(図示せず)が他の電子装置や導線に電気的に接続される。前記保護層130により前記本体110の前記表面111及び部分的な前記導電パッド120が覆われる。
前記保護層130は絶縁材料であり、前記本体110の前記表面111を絶縁して保護するために用いられる。
前記保護層130は開口部131を有し、前記開口部131からは前記導電パッド120が露出する。
本実施形態では、前記本体110の材料はシリコン、ヒ化ガリウム、或いは他の半導体材料の中から選択される。前記基板100は複数の導電パッド120を有し、これら前記導電パッド120の材料はアルミニウムや銅等の金属材料の中から選択される。
前記保護層130は複数の開口部131を有し、且つ各前記開口部131からは各前記導電パッド120が露出する。
前記導電パッド120は前記本体110の表面111に位置し、前記本体110内部の素子(図示せず)が他の電子装置や導線に電気的に接続される。前記保護層130により前記本体110の前記表面111及び部分的な前記導電パッド120が覆われる。
前記保護層130は絶縁材料であり、前記本体110の前記表面111を絶縁して保護するために用いられる。
前記保護層130は開口部131を有し、前記開口部131からは前記導電パッド120が露出する。
本実施形態では、前記本体110の材料はシリコン、ヒ化ガリウム、或いは他の半導体材料の中から選択される。前記基板100は複数の導電パッド120を有し、これら前記導電パッド120の材料はアルミニウムや銅等の金属材料の中から選択される。
前記保護層130は複数の開口部131を有し、且つ各前記開口部131からは各前記導電パッド120が露出する。
次に、図1及び図3を参照する。ここでは、工程12において前記基板100にバンプ下地用金属層200が形成される。
前記バンプ下地用金属層200により前記保護層130及び前記開口部131から露出する前記導電パッド120が覆われる。
本実施形態では、前記バンプ下地用金属層200は第一金属層210及び第二金属層220を有する。
前記2層の金属層は、蒸着またはスパッタリングにより、前記基板100にそれぞれ形成される。その形成順序は、先ず前記第一金属層210が前記基板100に形成された後、前記第二金属層220が前記第一金属層210に形成され、前記第一金属層210が前記基板100と前記第二金属層220との間に位置する。
また、前記第一金属層210が前記保護層130及び前記導電パッド120に接触し、前記第二金属層220が前記第一金属層210に接触する。前記第一金属層210は、粘着層(Adhesion layer)またはバリア層(Barrier layer)として前記導電パッド120と他の金属との間の接続面となるか、或いは第二金属層220の金属イオンマイグレーション(Migration)を回避させる。前記第二金属層220はシード層(Seed layer)であり、後続のバンプを形成するパターンを定義するために用いられる。
前記バンプ下地用金属層200により前記保護層130及び前記開口部131から露出する前記導電パッド120が覆われる。
本実施形態では、前記バンプ下地用金属層200は第一金属層210及び第二金属層220を有する。
前記2層の金属層は、蒸着またはスパッタリングにより、前記基板100にそれぞれ形成される。その形成順序は、先ず前記第一金属層210が前記基板100に形成された後、前記第二金属層220が前記第一金属層210に形成され、前記第一金属層210が前記基板100と前記第二金属層220との間に位置する。
また、前記第一金属層210が前記保護層130及び前記導電パッド120に接触し、前記第二金属層220が前記第一金属層210に接触する。前記第一金属層210は、粘着層(Adhesion layer)またはバリア層(Barrier layer)として前記導電パッド120と他の金属との間の接続面となるか、或いは第二金属層220の金属イオンマイグレーション(Migration)を回避させる。前記第二金属層220はシード層(Seed layer)であり、後続のバンプを形成するパターンを定義するために用いられる。
本実施形態では、前記第一金属層210の材料はチタンタングステン合金であり、前記第二金属層220の材料は金であるが、本発明はこれらに限定されない。
次に、図1及び図4を参照する。ここでは、工程13において前記バンプ下地用金属層200にパターン化されたフォトレジスト層300が形成される。前記パターン化されたフォトレジスト層300の孔部310からは前記バンプ下地用金属層200が露出する。
前記パターン化されたフォトレジスト層300が形成される工程は、前記バンプ下地用金属層200にフォトレジスト層が塗布される工程と、マスクにより遮蔽される前記フォトレジスト層に対する露光が行われ、前記フォトレジスト層の形状が定義される工程と、露光された前記フォトレジスト層に対する現像が行われ、前記パターン化されたフォトレジスト層300が形成される工程と、を含む。
前記パターン化されたフォトレジスト層300の材料は、ポジ型フォトレジスト(Positive photoresist)、またはネガ型フォトレジスト(Negative photoresist)の中から選択され、どちらも前記パターン化されたフォトレジスト層300を形成させるために用いられる。
前記パターン化されたフォトレジスト層300が形成される工程は、前記バンプ下地用金属層200にフォトレジスト層が塗布される工程と、マスクにより遮蔽される前記フォトレジスト層に対する露光が行われ、前記フォトレジスト層の形状が定義される工程と、露光された前記フォトレジスト層に対する現像が行われ、前記パターン化されたフォトレジスト層300が形成される工程と、を含む。
前記パターン化されたフォトレジスト層300の材料は、ポジ型フォトレジスト(Positive photoresist)、またはネガ型フォトレジスト(Negative photoresist)の中から選択され、どちらも前記パターン化されたフォトレジスト層300を形成させるために用いられる。
次に、図1及び図5を参照する。ここでは、工程14において前記パターン化されたフォトレジスト層300の前記孔部310中にバンプ400が形成される。前記バンプ400は前記バンプ下地用金属層200の前記第二金属層220に形成されると共に、前記バンプ下地用金属層200に電気的に接続される。前記バンプ400は、蒸着、電気めっき、或いは印刷プロセスにより、前記パターン化されたフォトレジスト層300の前記孔部310中に形成される。
本実施形態では、電気めっきプロセスにより、前記第二金属層220と同じ金を材料に用いた前記バンプ400が、前記パターン化されたフォトレジスト層300の前記孔部310中に形成される。
本実施形態では、電気めっきプロセスにより、前記第二金属層220と同じ金を材料に用いた前記バンプ400が、前記パターン化されたフォトレジスト層300の前記孔部310中に形成される。
次に、図1及び図6を参照する。ここでは、工程15において前記パターン化されたフォトレジスト層300が剥離され、前記バンプ400の側壁410、及び前記バンプ400に覆われていない前記バンプ下地用金属層200が露出する。
前記パターン化されたフォトレジスト層300は、剥離液による浸漬及び洗浄方式により、前記基板100から剥離される。
前記パターン化されたフォトレジスト層300は、剥離液による浸漬及び洗浄方式により、前記基板100から剥離される。
次に、図1、図7及び図8を参照する。ここでは、工程16において前記バンプ400をマスクとして、前記バンプ下地用金属層200に対するエッチングが行われ、前記バンプ400に覆われていない前記バンプ下地用金属層200が除去されると共に前記保護層130が露出し、前記バンプ構造を有する半導体装置Dが形成される。
本実施形態では、前記バンプ下地用金属層200が第一金属層210及び第二金属層220を有するため、図7及び図8に示すように、2つのエッチングプロセスにより、前記第一金属層210及び前記第二金属層220に対する前記エッチングがそれぞれ実行され、前記バンプ400に覆われていない前記第一金属層210及び前記第二金属層220がそれぞれ除去される。2回のエッチングが完了した後、前記第一金属層210は第一広さW1M1を有し、前記第二金属層220は第一広さW1M2を有し、且つ前記第一金属層210の前記第一広さW1M1は前記第二金属層220の前記第一広さW1M2より狭く、前記第二金属層220の辺縁と前記保護層130との間に溝部Lが生成される(図8参照)。
本実施形態では、前記バンプ下地用金属層200が第一金属層210及び第二金属層220を有するため、図7及び図8に示すように、2つのエッチングプロセスにより、前記第一金属層210及び前記第二金属層220に対する前記エッチングがそれぞれ実行され、前記バンプ400に覆われていない前記第一金属層210及び前記第二金属層220がそれぞれ除去される。2回のエッチングが完了した後、前記第一金属層210は第一広さW1M1を有し、前記第二金属層220は第一広さW1M2を有し、且つ前記第一金属層210の前記第一広さW1M1は前記第二金属層220の前記第一広さW1M2より狭く、前記第二金属層220の辺縁と前記保護層130との間に溝部Lが生成される(図8参照)。
図1を参照する。ここで、前記バンプ構造を有する半導体装置Dの外観及び性能は、必ずしも規格に適合せず、不良品となる場合があり、これを避けるため、工程17においては前記バンプ400または前記バンプ下地用金属層200に対する追加のエッチングが行われる。
前記バンプ400または前記バンプ下地用金属層200に対する追加のエッチングが行われることにより、残留する金属成分や前記バンプ400の汚れが取り除かれ、或いは前記バンプ400のサイズの調整が行われ、良品となる。
本実施形態では、前記追加のエッチングは、前記バンプ構造を有する半導体装置Dの外観を観察した後に、前記バンプ400または前記バンプ下地用金属層200に対するエッチングを任意で実行する。好ましくは、工程17の前には前記バンプ構造を有する半導体装置Dに対する検査を行う工程を更に含み、前記バンプ構造を有する半導体装置Dのバンプのサイズが規格に適合するか否か、金やチタンタングステン合金成分が残留していないかどうか、或いは表面が汚れていないかどうかの判定が下される。
前記バンプ400または前記バンプ下地用金属層200に対する追加のエッチングが行われることにより、残留する金属成分や前記バンプ400の汚れが取り除かれ、或いは前記バンプ400のサイズの調整が行われ、良品となる。
本実施形態では、前記追加のエッチングは、前記バンプ構造を有する半導体装置Dの外観を観察した後に、前記バンプ400または前記バンプ下地用金属層200に対するエッチングを任意で実行する。好ましくは、工程17の前には前記バンプ構造を有する半導体装置Dに対する検査を行う工程を更に含み、前記バンプ構造を有する半導体装置Dのバンプのサイズが規格に適合するか否か、金やチタンタングステン合金成分が残留していないかどうか、或いは表面が汚れていないかどうかの判定が下される。
検査の結果、バンプのサイズが適合していない、或いは表面が汚れていると判定されると、再度前記バンプ400のサイズの調整が行われるか、または前記バンプ400の表面に化合物が生成されていないかどうかの判定が行われる。
工程17において前記バンプ400に対する追加のエッチングが行われ、前記バンプ400のサイズの調整が行われるか、汚れが取り除かれる。図9に示すように、エッチング液により前記バンプ400に対するエッチングが行われると、前記バンプ400の材料が前記第二金属層220の材料と同じであるため、エッチング液により前記第二金属層220に対するエッチングが実行可能となる。
また、工程16の後には前記第二金属層220と前記保護層130との間に前記溝部Lが形成される。これにより、前記バンプ400に対する追加のエッチングが行われるとエッチング液が前記溝部Lに停留し、前記第二金属層220のエッチング速度が前記バンプ400のエッチング速度よりも速くなり、前記第二金属層220が追加のエッチングを経た後の第二広さW2M2が、前記バンプ400の広さWB及び前記第一金属層210の前記第一広さW1M1より狭くなる。
工程17において前記バンプ400に対する追加のエッチングが行われ、前記バンプ400のサイズの調整が行われるか、汚れが取り除かれる。図9に示すように、エッチング液により前記バンプ400に対するエッチングが行われると、前記バンプ400の材料が前記第二金属層220の材料と同じであるため、エッチング液により前記第二金属層220に対するエッチングが実行可能となる。
また、工程16の後には前記第二金属層220と前記保護層130との間に前記溝部Lが形成される。これにより、前記バンプ400に対する追加のエッチングが行われるとエッチング液が前記溝部Lに停留し、前記第二金属層220のエッチング速度が前記バンプ400のエッチング速度よりも速くなり、前記第二金属層220が追加のエッチングを経た後の第二広さW2M2が、前記バンプ400の広さWB及び前記第一金属層210の前記第一広さW1M1より狭くなる。
検査の結果、チタンタングステン合金成分が残留していると判定された場合、これは前記バンプ400に覆われていない前記第一金属層210の除去が不完全であることを示す。
工程17において前記第一金属層210に対する追加のエッチングが行われ、残留する前記第一金属層210が取り除かれる。
図8及び図10に示すように、工程16の後に前記第二金属層220と前記保護層130との間に前記溝部Lが形成される。これにより、追加のエッチングが行われるとエッチング液が前記溝部Lに停留し、前記バンプ400の下の前記第一金属層210の側壁に対するエッチングが行われる。
前記第一金属層210は前記追加のエッチングを経た後に第二広さW2M1を有し、前記第二広さW2M1は追加のエッチング前の前記第一広さW1M1より狭い。
工程17において前記第一金属層210に対する追加のエッチングが行われ、残留する前記第一金属層210が取り除かれる。
図8及び図10に示すように、工程16の後に前記第二金属層220と前記保護層130との間に前記溝部Lが形成される。これにより、追加のエッチングが行われるとエッチング液が前記溝部Lに停留し、前記バンプ400の下の前記第一金属層210の側壁に対するエッチングが行われる。
前記第一金属層210は前記追加のエッチングを経た後に第二広さW2M1を有し、前記第二広さW2M1は追加のエッチング前の前記第一広さW1M1より狭い。
検査の結果、金成分が残留していると判定された場合、前記バンプ400に覆われていない前記第二金属層220の除去が不完全であることを示す、即ち残留する前記第二金属層220の下方に位置される前記第一金属層210が除去されていないことを示す。
この場合、工程17において、前記第二金属層220及び前記第一金属層210に対し、それぞれ追加のエッチングが行われ、残留する前記第二金属層220及び前記第一金属層210が取り除かれる。
図8及び図11に示すように、前記第二金属層220に対するエッチングが行われると、同時に前記バンプ400に対するエッチングも行われる。但し、エッチング液が前記溝部Lに停留し、前記第二金属層220のエッチング速度が前記バンプ400のエッチング速度よりも速くなり、前記第二金属層220が追加のエッチングを経た後の第二広さW2M2が、前記バンプ400の前記広さWBよりも狭くなる。
次いで、前記第一金属層210に対する追加のエッチングが行われると、同様にエッチング液が前記溝部Lに停留し、前記バンプ400の下の前記第一金属層210の側壁に対するエッチングが行われ、前記第一金属層210が前記追加のエッチングを経た後に第二広さW2M1を有する。前記第一金属層210の前記第二広さW2M1は前記第二金属層220の追加のエッチングを経た後の前記第二広さW2M2より狭い。
この場合、工程17において、前記第二金属層220及び前記第一金属層210に対し、それぞれ追加のエッチングが行われ、残留する前記第二金属層220及び前記第一金属層210が取り除かれる。
図8及び図11に示すように、前記第二金属層220に対するエッチングが行われると、同時に前記バンプ400に対するエッチングも行われる。但し、エッチング液が前記溝部Lに停留し、前記第二金属層220のエッチング速度が前記バンプ400のエッチング速度よりも速くなり、前記第二金属層220が追加のエッチングを経た後の第二広さW2M2が、前記バンプ400の前記広さWBよりも狭くなる。
次いで、前記第一金属層210に対する追加のエッチングが行われると、同様にエッチング液が前記溝部Lに停留し、前記バンプ400の下の前記第一金属層210の側壁に対するエッチングが行われ、前記第一金属層210が前記追加のエッチングを経た後に第二広さW2M1を有する。前記第一金属層210の前記第二広さW2M1は前記第二金属層220の追加のエッチングを経た後の前記第二広さW2M2より狭い。
上述したように、本発明は、前記バンプ400または前記バンプ下地用金属層200に対して追加のエッチングを行うことにより、前記バンプ構造を有する半導体装置Dのサイズが規格に適合しない、金属成分が残留する、表面が汚れるといった問題を有効に解決し、前記バンプ構造を有する半導体装置Dの性能及び外観が規格に適合し、前記バンプ構造を有する半導体装置Dの製造上の歩留まりを高める。
以上、本発明の実施形態について図面を用いて詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も、本発明の請求の範囲に含まれる。
10 バンプ構造を有する半導体装置の製造方法
11 基板を提供する工程
12 バンプ下地用金属層を形成する工程
13 パターン化されたフォトレジスト層を形成する工程
14 バンプを形成する工程
15 パターン化されたフォトレジスト層を剥離する工程
16 バンプ下地用金属層に対してエッチングを行う工程
17 バンプ或いはバンプ下地用金属層に対して追加のエッチングを行う工程
100 基板
110 本体
120 導電パッド
130 保護層
131 開口部
200 バンプ下地用金属層
210 第一金属層
220 第二金属層
300 パターン化されたフォトレジスト層
310 孔部
400 バンプ
410 側壁
D バンプ構造を有する半導体装置
W1M1 第一金属層の第一広さ
W2M1 第一金属層の第二広さ
W1M2 第二金属層の第一広さ
W2M2 第二金属層の第二広さ
WB バンプの広さ
L 溝部
11 基板を提供する工程
12 バンプ下地用金属層を形成する工程
13 パターン化されたフォトレジスト層を形成する工程
14 バンプを形成する工程
15 パターン化されたフォトレジスト層を剥離する工程
16 バンプ下地用金属層に対してエッチングを行う工程
17 バンプ或いはバンプ下地用金属層に対して追加のエッチングを行う工程
100 基板
110 本体
120 導電パッド
130 保護層
131 開口部
200 バンプ下地用金属層
210 第一金属層
220 第二金属層
300 パターン化されたフォトレジスト層
310 孔部
400 バンプ
410 側壁
D バンプ構造を有する半導体装置
W1M1 第一金属層の第一広さ
W2M1 第一金属層の第二広さ
W1M2 第二金属層の第一広さ
W2M2 第二金属層の第二広さ
WB バンプの広さ
L 溝部
Claims (9)
- 導電パッド及び保護層を有し、前記保護層の開口部には前記導電パッドが露出する基板を提供する工程と、
前記保護層及び前記開口部から露出する前記導電パッドを覆うようにバンプ下地用金属層が前記基板上に形成される工程と、
孔部からバンプ下地用金属層が露出するように、パターン化されたフォトレジスト層が前記バンプ下地用金属層に形成される工程と、
前記バンプ下地用金属層に電気的に接続されるように前記パターン化されたフォトレジスト層の前記孔部中にバンプが形成される工程と、
前記パターン化されたフォトレジスト層が剥離され、前記バンプの側壁及び前記バンプに覆われていない前記バンプ下地用金属層が露出される工程と、
前記バンプを前記バンプ下地用金属層に対するエッチングが行われる際のマスクとし、前記保護層が露出される工程と、
前記バンプまたは前記バンプ下地用金属層に対して追加のエッチングが行われ、前記バンプのサイズの調整が行われ、残留する金属や前記バンプの汚れが取り除かれる工程と、
を含むことを特徴とするバンプ構造を有する半導体装置の製造方法。 - 前記バンプ下地用金属層は第一金属層及び第二金属層を有し、前記第一金属層は前記第二金属層と前記基板との間に位置されることを特徴とする請求項1に記載のバンプ構造を有する半導体装置の製造方法。
- 前記追加のエッチングが行われる工程は、前記バンプ下地用金属層の前記第一金属層、前記第二金属層、または前記第一金属層及び前記第二金属層に対して前記追加のエッチングが行われることを特徴とする請求項2に記載のバンプ構造を有する半導体装置の製造方法。
- 前記第一金属層の材料はチタンタングステン合金であることを特徴とする請求項3に記載のバンプ構造を有する半導体装置の製造方法。
- 前記第二金属層は前記追加のエッチングが行われる工程を経た後に広さを有し、前記広さは前記バンプの広さより狭いことを特徴とする請求項3に記載のバンプ構造を有する半導体装置の製造方法。
- 前記第二金属層の材料は前記バンプの材料と同じであることを特徴とする請求項5に記載のバンプ構造を有する半導体装置の製造方法。
- 前記第二金属層及び前記バンプの材料は金であることを特徴とする請求項6に記載のバンプ構造を有する半導体装置の製造方法。
- 前記第二金属層は前記追加のエッチングが行われる工程を経た後に第二金属層の第二広さを有し、
前記第二金属層の第二広さは、前記第一金属層が前記エッチングが行われる工程を経た後の第一金属層の第一広さより狭く、
且つ前記第二金属層の第二広さは、前記第一金属層が前記追加のエッチングが行われる工程を経た後の第一金属層の第二広さより広いことを特徴とする請求項3に記載のバンプ構造を有する半導体装置の製造方法。 - 前記追加のエッチングが行われる工程の前には前記バンプ及び前記バンプ下地用金属層の検査が行われる工程を更に含み、
前記バンプのサイズが符合するか否か、前記バンプが汚れていないか、前記第一金属層または前記第二金属層が残留していないかどうかという問題の判定が行われ、
前記バンプのサイズが符合していない、或いは前記バンプが汚れていると判定されると前記バンプに対して前記追加のエッチングが行われ、
前記第一金属層が残留していると判定されると前記第一金属層に対して前記追加のエッチングが行われ、
前記第二金属層が残留していると判定されると前記第一金属層及び前記第二金属層に対して前記追加のエッチングが行われることを特徴とする請求項8に記載のバンプ構造を有する半導体装置の製造方法。
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