KR930014964A - 캐패시터의 플레이트 구조 - Google Patents

캐패시터의 플레이트 구조 Download PDF

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KR930014964A
KR930014964A KR1019910022292A KR910022292A KR930014964A KR 930014964 A KR930014964 A KR 930014964A KR 1019910022292 A KR1019910022292 A KR 1019910022292A KR 910022292 A KR910022292 A KR 910022292A KR 930014964 A KR930014964 A KR 930014964A
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정병태
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration

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Abstract

내용 없음

Description

캐패시터의 플레이트 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 종래의 캐패시터 플레이트 구조를 도시한 도면.
제 2 도는 본 발명의 캐패시터 플레이트 구조를 도시한 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1: 실리콘 기판 2 : 격리산화막
3 : 게이트 4 : 비트라인
5 : 노드 폴리 실리콘 6 : 플레이트 폴리 실리콘
7 : 질화막 8 : 플레이트 폴리 실리콘.

Claims (2)

  1. 캐패시터의 플레이트 구조에 있어서, 노드 폴리실리콘 위에 소정의 두께로 플레이트 폴리실리콘을 데포지션 시키고 이어서 리프렉토리 금속을 입혀서 형성되는 것을 특징으로 하는 캐패시터의 플레이트 구조.
  2. 제 1 항에 있어서, 플레이트 폴리실리콘의 두께는 약 500Å으로 데포지션 시키는 것을 특징으로 하는 캐패시터의 플레이트 구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910022292A 1991-12-06 1991-12-06 캐패시터의 플레이트 구조 KR940009636B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030021102A (ko) * 2001-09-06 2003-03-12 이찬석 음성 및 멜로디 발생 라이터

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