KR920022492A - 반도체 소자의 폴리사이드 라인 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 폴리사이드 라인 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 폴리사이드 라인 공정단면도.
Claims (1)
- 기판(1)위에 게이트 산화막(2)과 폴리실리콘(3) 그리고 실리사이드(4)와 폴리실리콘(5)을 차례로 형성하는 공정과, CVD산화막(6)을 형성한후 RIE방법에 의해 측벽을 형성하는 공정과, 절연막(7)을 형성하고 마스킹 공정으로 콘택을 형성한후 메탈(8)을 증착하는 공정을 차례로 실시하여서 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리사이드라인 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910007875A KR920022492A (ko) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 반도체 소자의 폴리사이드 라인 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910007875A KR920022492A (ko) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 반도체 소자의 폴리사이드 라인 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920022492A true KR920022492A (ko) | 1992-12-19 |
Family
ID=67432798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910007875A KR920022492A (ko) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 반도체 소자의 폴리사이드 라인 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920022492A (ko) |
-
1991
- 1991-05-15 KR KR1019910007875A patent/KR920022492A/ko not_active Application Discontinuation
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