KR930011300A - 마스크롬 제조방법 - Google Patents
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Abstract
다결정 실리콘과 이 위에 실리사이드로 된 폴리사이드 구조의 게이트 전극구조를 갖는 MOS 트랜지스터를 정보저장 수단으로 하는 마스크 층의 제조방법에 있어서, 공핍형의 상기 구조의 M0S 트랜지스터를 형성하는 단계와, 코팅을 위해서 상기 형성된 트랜지스터중 선택된 트랜지스터에 대해서 게이트 전극부분을 오픈하는 포트 마스킹작업후 기간과 동일 도전형이 불순물 이온을 상기 게이트 전극의 다결정 실리콘층에 주입하므로써 중배형의 M0S트랜지스터를 형성시켜 코팅 즉 프로그램되는 단계를 갖고 형성됨을 특징으로 하는 mROM제조방법에 관한 것.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 (a),(b)는 이 발명에 의한 mROM제조방법의 공정 수순도.
Claims (1)
- 다결정 실리콘과 이 위에 실리사이드로 된 폴리사이드 구조의 게이트 전극구조를 갖는 M0S 트랜지스터를 정보저장 수단으로 하는 마스크 층의 제조방법에 있어서, 궁핍형의 상기 구조의 MOS 트랜지스터를 형성하는 단계와, 코팅을 위해서 상기 형성된 트랜지스터중 선택된 트랜지스터에 대해서 게이트 전극부분을 오픈하는 포토마스킹 작업후 기판과 동일 도전형이 불순물 이온을 상기 게이트 전극의 다결정 실리콘층에 주입하므로써 중배형의 MOS트랜지스터를 형성시켜 코팅 즉 프로그램되는 단계를 갖고 형성됨을 특징으로 하는 mROM제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR950002281B1 KR950002281B1 (ko) | 1995-03-15 |
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| KR950002281B1 (ko) | 1995-03-15 |
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