KR950004588A - 모스(mos)트랜지스터 게이트전극 제조방법 - Google Patents

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KR950004588A
KR950004588A KR1019930013230A KR930013230A KR950004588A KR 950004588 A KR950004588 A KR 950004588A KR 1019930013230 A KR1019930013230 A KR 1019930013230A KR 930013230 A KR930013230 A KR 930013230A KR 950004588 A KR950004588 A KR 950004588A
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박해성
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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Abstract

본 발명은 MOS트랜지스터의 게이트전극 제조방법에 관한 것으로, 특히 게이트 산화막의 특성을 향상시키기 위해 반구형 그레인을 갖는 폴리실리콘층(Himi-Spherical Grain Polysilicon layer)과 P+-폴리실리콘층의 2층 구조로 된 게이트전극을 제조하는 기술이다.

Description

모스(MOS)트랜지스터 게이트전극 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의해 게이트전극을 형성한 것을 도시한 단면도.

Claims (2)

  1. MOS트랜지스터 게이트전극 제조방법에 있어서, 실리콘기판 상부에 게이트 산화막을 형성하고, 그 상부에반구형 그레인을 갖는 폴리실리콘층을 증착하고 그 상부에 P+-폴리실리콘층을 증착한 다음, 패턴공정으로 게이트전극을형성하는 것을 특징으로 하는 MOS트랜지스터의 게이트전극 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반구형 그레인을 갖는 폴리실리콘층 대신에 아몰포스 폴리실리콘층을 형성하는것을특징으로 하는 MOS트랜지스터의 게이트전극 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930013230A 1993-07-14 1993-07-14 모스(mos)트랜지스터 게이트전극 제조방법 KR960013944B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100913055B1 (ko) * 2002-11-01 2009-08-20 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자의 제조 방법

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