KR970018035A - 웰 경계부위에서의 콘택홀 형성 방법 - Google Patents
웰 경계부위에서의 콘택홀 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
웰 경계부위에서의 콘택홀 형성 방법을 개시한다. N-웰과 P-웰 경계면이 형성되어진 반도체기판 상에 상기 경계면으로부터 일정의 이격거리에서 콘택홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다. 상기 경계면으로부터 일정의 거리에서 콘택홀을 형성하는 것은 제품 설계시 디자인 룰로 제시하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 종래의 문제점을 해결할 수 있는 텅스텐 플러그나 알루미늄 플러그와 같은 단가가 높은 공정이 아닌 통상적으로 사용할 수 있는 금속 스퍼터닝 방법을 사용해도 문제점이 없는 콘택홀을 형성할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도 내지 제7도는 본 발명에 의한 반도체장치의 콘택홀 형성방법을 설명하기 위한 레이아웃과 단면도이다.
Claims (5)
- 반도체 장치 콘택홀 형성 방법에 있어서, N-웰과 P-웰 경계면이 형성되어진 반도체기판 상에 상기 경계면으로부터 일정의 이격거리에 금속 배선막과 게이트 전극과의 콘택홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속 배선막과 게이트 전극과의 콘택홀을 상기 경계면에서 일정 거리에 있고 상기 N-웰과 상기 P-웰에 각각 형성함을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 경계면으로부터 일정의 거리에서 콘택홀을 형성하는 것은 제품 설계시 디자인 룰로 제시하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 디자인 룰은 첫째는, N-웰내에서 웰 경계면과 게이트 전극 콘택 이격거리이고, 둘째는 N-웰밖에서 웰 경계면과 게이트 전극 콘택 이격거리로 정의하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 게이트 전극의 재질이 다결정 실리콘 및 금속 실리사이드 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950029505A KR970018035A (ko) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 웰 경계부위에서의 콘택홀 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950029505A KR970018035A (ko) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 웰 경계부위에서의 콘택홀 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018035A true KR970018035A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66597262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950029505A KR970018035A (ko) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 웰 경계부위에서의 콘택홀 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018035A (ko) |
-
1995
- 1995-09-11 KR KR1019950029505A patent/KR970018035A/ko not_active Application Discontinuation
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