KR970077358A - 반도체 장치의 트랜지스터의 게이트 전극 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 장치의 트랜지스터의 게이트 전극 형성 방법에 관해 게시한다. 본 발명은 반도체 장치의 트랜지스터의 게이트 전극을 형성하는 방법에 있어서, 반도체 기판 상에 제1절연막, 제1도전층, 제2도전층, 및 제2절연막을 순차적으로 적층하는 단계와, 게이트 전극을 형성하기 위하여 상기 제2절연막을 패터닝하는 단계와, 상기 패터닝된 제2절연막을 마스크로하여 제2도전층대 제1도전층의 선택비가 0.7:1 이상인 식각 매체를 이용하여 상기 반도체 기판을 식각하는 단계 및 상기 패터닝된 제2절연막을 마스크로하여 제1도전층대 제1절연막의 선택비가 50:1 이상인 식각 매체를 이용하여 상기 반도체 기판을 식각하는 단계를 포함함으로써 종래의 문제점인 잔류물이나 피팅을 방지하여 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도 내지 제6도는 본 발명에 의한 반도체 장치의 트랜지스터의 게이트 전극 형성 방법을 도시한 공정순서도이다.
Claims (4)
- 반도체 장치의 트랜지스터이 게이트 전극을 형성하는 방법에 있어서, 반도체 기판 상에 제1절연막, 제1도전층, 제2도전층, 및 제2절연막을 순차적으로 적층하는 단계; 게이트 전극을 형성하기 위하여 상기 제2절연막을 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 제2절연막을 마스크로하여 제2도전층대 제1도전층의 선택비가 0.7:1 이상인 식각 매체를 이용하여 상기 반도체 기판을 식각하는 단계; 및 상기 패터닝된 제2절연막을 마스크로하여 제1도전층대 제1절연막의 선택비가 50:1 이상인 식각 매체를 이용하여 상기 반도체 기판을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 트랜지스터의 게이트 전극 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연막과 제2절연막은 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 트랜지스터의 게이트 전극 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전층은 폴리실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 트랜지스터의 게이트 전극 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2도전층은 텅스텐과 실리콘의 합금인 WSi로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 트랜지스터의 게이트 전극 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960018229A KR970077358A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 반도체 장치의 트랜지스터의 게이트 전극 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960018229A KR970077358A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 반도체 장치의 트랜지스터의 게이트 전극 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970077358A true KR970077358A (ko) | 1997-12-12 |
Family
ID=66284015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960018229A KR970077358A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 반도체 장치의 트랜지스터의 게이트 전극 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970077358A (ko) |
-
1996
- 1996-05-28 KR KR1019960018229A patent/KR970077358A/ko not_active Application Discontinuation
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