KR950030311A - 금속배선 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 제1절연층을 형성하고 마스크공정으로 홈을 형성한 다음, 전체구조상부에 전도층을 일정두께 증착하고 그 상부에 유동성 물질을 증착한 다음, 에치백 공정으로 상기 유동성 물질과 상기 전도층의 일부를 식각하여 상기 제1절연층을 노출시키고 상기 유동성 물질과 제1절연층을 마스크로 하여 전도층을 상기 홈의 저부에만 남기고 식각한 다음, 상기 유동성 물질을 제거하고 상기 전도층의 상부에 선택적텅스텐을 증착시켜 상기 홈을 매립하고 전체구조상부에 제2절연층을 증착함으로써, 종래기술에서 선택적텅스텐을 사용하여 금속배선을 형성시 발생되는 문제점을 해결하고 반도체소자의 고집적화에 의한 미세 금속배선을 형성하여 반도체소자의 신뢰성과 생산성을 향상시킬 수 있는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제7도는 본 발명에 의한 금속배선 형성공정을 도시한 단면도.
Claims (3)
- 금속배선 형성방법에 있어서, 반도체기판 상부에 제1절연층을 형성하고 마스크공정으로 홈을 형성하는 공정과, 전체구조상부에 전도층을 일정두께 증착하는 공정과, 전체구조상부에 유동성 물질로 평탄화시킨 다음, 에치백 공정으로 상기 유동성 물질과 전도층의 일부를 식각하여 제1절연층을 노출시키는 공정과, 상기 유동성 물질과 제1절연층을 마스크로 하여 상기 홈의 저부에만 전도층을 남기고 식각하는 공정과, 상기 유동성 물질을 제거하는 공정과, 상기 전도층의 상부에 선택적텅스텐을 증착하여 홈을 매립하고 전체구조상부에 제2절연층을 증착하는 공정을 포함하는 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 유동성 물질은 SOG 또는 산화절연막을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전도층은 Ti 또는 TiN을 사용하여 형성하거나 Ti/TiN 의 2중층을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Publications (2)
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| KR970003718B1 KR970003718B1 (ko) | 1997-03-21 |
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR970003718B1 (ko) |
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1994
- 1994-04-08 KR KR1019940007380A patent/KR970003718B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
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| KR970003718B1 (ko) | 1997-03-21 |
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