KR950034526A - 고부하저항 제조방법 - Google Patents

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KR950034526A
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도익수
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10BELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B10/00Static random access memory [SRAM] devices
    • H10B10/15Static random access memory [SRAM] devices comprising a resistor load element

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  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
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Abstract

본 발명은 고부하저항 제조방법에 관한 것으로, 부하저항의 면적을 증가시켜 고부하저항을 제조하기 위한 것이다.
본 발명은 실리콘기판상에 적어도 2000Å이상의 두께로 제1절연층을 형성하는 단계와, 상기 제1절연층을 선택적으로 식각하여 홈을 형성하는 단계, 상기 홈을 포함한 제1절연층 전면에 폴리실리콘을 증착하는 단계, 상기 폴리실리콘층을 패터닝하여 부하저항을 형성하는 단계, 상기 부하저항이 형성된 제1절연층 전면에 제2절연층을 형성하는 단계, 상기 제2절연층을 선택적으로 식각하여 상기 부하저항의 소정부분을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계, 상기 제2절연층상에 금속을 증착하는 단계, 상기 금속층을 패터닝하여 상기 콘택홀을 통해 상기 부하저항과, 연결되는 금속배선을 형성하는 단계로 이루어지는 고부하저항 제조방법을 제공한다.

Description

고부하저항 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 고부하저항 제조방법을 도시한 공정순서도.

Claims (1)

  1. 실리콘기판상에 적어도 2000Å이상의 두께로 제1절연층을 형성하는 단계와, 상기 제1절연층을 선택적으로 식각하여 홈을 형성하는 단계, 상기 홈을 포함한 제1절연층 전면에 폴리실리콘을 증착하는 단계, 상기 폴리실리콘층을 패터닝하여 부하저항을 형성하는 단계, 상기 부하저항이 형성된 제1절연층 전면에 제2절연층을 형성하는 단계, 상기 제2절연층을 선택적으로 식각하여 상기 부하저항의 소정부분을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계, 상기 제2절연층에 금속을 증착하는 단계, 상기 금속층을 패터닝하여 상기 콘택홀을 통해 상기 부하저항과, 연결되는 금속배선을 형성하는 단계로 이루어지는것을 특징으로 하는 고부하저항 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940011405A 1994-05-25 1994-05-25 고부하저항 제조방법 KR0135153B1 (ko)

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