KR960035853A - 미세 패턴의 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 미세 패턴의 제조 방법에 관한 것으로서, 기판의 표면에 제1리프트-오프층 및 제1장벽층을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 제1장벽층의 소정 부분을 제거하여 제1리프트-오프층을 노출시키는 제1개구를 형성하는 공정과, 상기 제1장벽층의 상부에 제2리프트-오프층 및 제2장벽층을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 제1개구와 소정 부분이 중첩되도록 제2장벽층을 제거하여 제2리프트-오프층을 노출시키는 제2개구를 형성하는 공정과, 상기 제1 및 제2장벅층이 오버 행 되도록 제1 및 제2개구에 의해 노출된 제1 및 제2리프트-오프층을 언더 컷되게 식각하는 공정과, 상기기판의 표면에 도전성 금속을 증착하여 도선패턴을 형성하는 공정과, 상기 제1 및 제2리프트-오프층과 제1 및 제2장벽층을 제거하는 공정을 구비한다. 따라서 제1 및 제2개구가 중첩되는 부분을 좁게할 수 있어 도선 패턴의 쪽을 조절할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(A) 내지 (D)는 본 발명에 따른 미세 패턴의 형성 방법을 나타내는 공정도.
Claims (2)
- 기판의 표면에 제1리프트-오프층 및 제1장벽층을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 제1장벽층의 소정 부분을 제거하여 제1리프트-오프층을 노출시키는 제1개구를 형성하는 공정과, 상기 제1장벽층의 상부에 제2리프트-오프층 및 제2장벽층을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 제1개구와 소정 부분이 중첩되도록 제2장벽층을 제거하여 제2리프트-오프층을 노출시키는 제2개구를 형성하는 공정과, 상기 제1 및 제2장벅층이 오버 행 되도록 제1 및 제2개구에 의해 노출된 제1 및 제2리프트-오프층을 언더 컷되게 식각하는 공정과, 상기 기판의 표면에 도전성 금속을 증착하여 도선 패턴을 형성하는 공정과, 상기 제1 및 제2리프트-오프층과 제1 및 제2장벽층을 제거하는 공정을 구비하는 미세 패턴의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판이 반도체기판이나 상기 반도체기판 상에 형성된 절연층인 미세 패턴의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950006856A KR960035853A (ko) | 1995-03-29 | 1995-03-29 | 미세 패턴의 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950006856A KR960035853A (ko) | 1995-03-29 | 1995-03-29 | 미세 패턴의 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960035853A true KR960035853A (ko) | 1996-10-28 |
Family
ID=66552767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950006856A KR960035853A (ko) | 1995-03-29 | 1995-03-29 | 미세 패턴의 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960035853A (ko) |
-
1995
- 1995-03-29 KR KR1019950006856A patent/KR960035853A/ko not_active Application Discontinuation
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