KR970022988A - 박막 자기 헤드 제작 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 자기 갭층이 물리적 화학적 침해를 방지시키기 위한 박막 자기 헤드 제작 방법에 관한 것으로 박막 자기 헤드 제작 방법은 기판상에 제1절연층을 형성시키는 단계와, 상기 제1절연층상에 하부 자성층을 형성시키는 단계와, 상기 하부 자성층상에 콩리 절연층을 형성시키는 단계와, 상기 코일 절연층상에 소정 형상의 코일층을 형성시키는 단계와, 상기 코일층상에 소정 두께의 갭층을 형성시키는 치수 특히 갭 길이 및 길이가 변하는 것을 방지시키며 그 결과 박막 자기 헤드의 성능을 향상시킨다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도 (가) 내지 (다)는 본 발명에 따른 박막 자기 헤드를 제작하기 위한 방법을 도시한 공정도.
Claims (4)
- 박막 자기 헤드 제작 방법에 있어서, 기판(31)상에 제1절연층(32)을 형성시키는 단계와, 상기 제1절연층(32)상에 하부 자성층(33)을 형성시키는 단계와, 상기 하부 자성층(33)상에 코일 절연층(34)을 형성시키는 단계와, 상기 코일 절연층(34)상에 소정 형상의 코일층(35)을 형성시키는 단계와, 상기 코일층(35)상에 소정 두께의 갭층(36)을 형성시키는 단계와, 그리고 상기 갭층(36)상에 상부 자성층(37)을 형성시키는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 제작 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 갭층(36)은 알루미나 또는 실리콘 산화물로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 제작 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 갭층(36)은 패턴 형성 공정에 의하여 상기 하부 자성층(33)의 일부를 노출시키는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 제작 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 갭층(36)의 패턴을 통하여 노출된 상기 하부 자성층(33)의 일부는 상기 상부 자성층(37)과 접촉되는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 제작 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950038077A KR0159368B1 (ko) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 박막 자기 헤드 제작 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950038077A KR0159368B1 (ko) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 박막 자기 헤드 제작 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR970022988A true KR970022988A (ko) | 1997-05-30 |
KR0159368B1 KR0159368B1 (ko) | 1999-01-15 |
Family
ID=19431920
Family Applications (1)
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KR1019950038077A KR0159368B1 (ko) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 박막 자기 헤드 제작 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR0159368B1 (ko) |
-
1995
- 1995-10-30 KR KR1019950038077A patent/KR0159368B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
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KR0159368B1 (ko) | 1999-01-15 |
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