KR980004379A - 박막 자기 헤드 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 양호한 기록/재생 기능을 수행할 수 있도록 하는 박막 자기 헤드 제조 방법에 관한 것으로 소정의 기판상에 제1, 제2하부 저성층을 증착시키고 패터닝 한 후 식각하는 과정과, 식각된 상기 제1, 제2하부 자성층상에 소정의 물질을 증착하여 갭층을 형성시킨 후 소정의 형상으로 패터닝 하고 식각하는 과정과, 식각된 상기 갭층상에 소정의 물질을 증착하여 제1절연층을 형성시킨 후 소정의 형상으로 패터닝하고 열처리 하는 과정과, 상기 제1절연층상에 소정의 증착 공정을 통하여 제1코일층을 형성시키는 과정과, 상기 제1코일층상에 소정의 물질을 증착하여 제2절연층을 형성시키는 과정과, 상기 제2절연층상에 소정의 증착 공정을 통하여 제2코일층을 형성시키는 과정과, 상기 제2코일층상에 소정의 물질을 증착하여 제3절연층을 형성시키는 과정과, 상기 제3절연층상에 소정의 증착 공정을 통하여 제3코일층을 형성시키는 과정과, 상기 제3코일층상에 소정의 물질을 증착하여 제4, 제5절연층을 형성시키는 과정과, 상기 제5절연층상에 상부 자성층을 증착시키고 패터닝한 후 식각하는 과정을 포함하여 이루어지며 기록/재생 특성이 향상되고 자기 헤드의 수명이 증가하는 효과를 얻을 수가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 박막 자기 헤드르 구성하는 도전층을 도시한 사시도.
제2도는 제1도의 선 A-A' 를 취하여 절단한 단면도.
제3a 내지 제3d도는 본 발명에 따른 박막 자기 헤드의 제조 방법을 순차적으로 도시한 제조 공정도.
Claims (12)
- 소정의 기판상에 제1, 제2하부 자성층을 증착시키고 패터닝 한 후 식각하는 과정과; 식각된 상기 제1, 제2하부 자성층상에 소정의 물질을 증착하여 갭층을 형성시킨 후 소정의 형상으로 패터닝 하고 식각하는 과정과; 식각된 상기 갭층상에 소정의 물질을 증착하여 제1절연층을 형성시킨 후 소정의 형상으로 패터닝 하고 열처리 하는 과정과; 상기 제1절연층상에 소정의 증착 공정을 통하여 제1코일층을 형성시키는 과정과; 상기 제1코일층상에 소정의 물질을 증착하여 제2절연층을 형성시키는 과정과; 상기 제2절연층상에 소정의 증착 공정을 통하여 제2코일층을 형성시키는 과정과; 상기 제2코일층상에 소정의 물질을 증착하여 제3절연층을 형성시키는 과정과; 상기 제3절연층상에 소정의 증착 공정을 통하여 제3코일층을 형성시키는 과정과; 상기 제3코일층상에 소정의 물질을 증착하여 제4, 제5 절연층을 형성시키는 과정과; 상기 제5절연층상에 상부 자성층을 증착시키고 패터닝한 후 식각하는 과정과; 을 포함하며 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 제1, 제2하부 자성층의 증착 두깨는 4-10㎛임을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 제1, 제2하부 자성층의 식각방법은 이온 밀링 공정 혹은 전기 도금 공정 공정임을 특징으로 하는 자기 헤드 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 갭층은 SiO2또는 Al2O3또는 BeO 로 이루어짐을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 갭층의 증착 방법은 진공증착법임을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 제조 방법.
- 제1항에 있어서,갭층의 식각 방법은 반응성 이온 에칭법 또는 이온 밀링법임을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 제1절연층은 포토레지스트로 이루어짐을 특징으로하는 박막 자기 헤드 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 제1절연층의 열처리 300℃ 내외에서 수행됨을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 제1코일층의 두께는 3-4㎛임을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 제1, 제2코일층은 동일 물질로 이루어져 있음을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 제3코일층의 선폭은 제1, 제2코일층의 선폭보다 크게 형성됨을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 제1, 제2코일층의 선폭은 동일하게 형성됨을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023726A KR0184395B1 (ko) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | 박막 자기 헤드 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023726A KR0184395B1 (ko) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | 박막 자기 헤드 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980004379A true KR980004379A (ko) | 1998-03-30 |
| KR0184395B1 KR0184395B1 (ko) | 1999-04-15 |
Family
ID=19463426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960023726A KR0184395B1 (ko) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | 박막 자기 헤드 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0184395B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100609384B1 (ko) * | 2003-12-22 | 2006-08-08 | 한국전자통신연구원 | 박막 자기 헤드의 제조방법 |
-
1996
- 1996-06-25 KR KR1019960023726A patent/KR0184395B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100609384B1 (ko) * | 2003-12-22 | 2006-08-08 | 한국전자통신연구원 | 박막 자기 헤드의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0184395B1 (ko) | 1999-04-15 |
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