JPS6394424A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は非磁性体基板を用いる７Ｑ膜磁気ヘツドの製
造方法に関し、センダストによる下部磁性層にクラック
が発生しないようにしたものである。

〔従来の技術〕

磁気ヘッドのひとつである薄膜磁気ヘッドは、フォトリ
ソグラフィ技術を用いて磁性層や導体コイルを成膜して
作られたものであり、製法上、バルク形ヘッドを機械加
工で製作するのに比べ、多缶生産や寸法の微小化に適す
るほか、高周波損失やマルチトラックとした場合のトラ
ック間漏話が少ないなどの特徴を具えている。

たとえば、現在実用化されている薄膜磁気ヘッドの製造
は、第２図および第３図に示すように、スライダとなる
基板１上に下部保護層２を介して下部磁性層３を成膜し
、この上にギャップを形成するための非磁性体で作られ
たギＶツブ層４を形成し、次いで絶縁層５で挾まれたう
体コイル６を成膜し、最上部に上部磁性層７を成膜する
よう１こしている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

このような薄膜磁気ヘッドでは、基板１として磁性体を
用いる場合には、基板１自体も下部磁性層３と同様に磁
路を溝成し、全磁路抵抗が小さくなる。

ところが、基板１として結晶化ガラスのように非磁性体
を採用すると、磁路を構成せず、このため下部磁性層３
の全磁路抵抗を小さくするため厚さを厚くしなければな
らない。

そこで、結晶化ガラスの非磁性体基板１にセンダストを
スパッタで成膜して下部磁性層３にしようとしてその厚
さを厚くすると、結晶化ガラスとセンダストとの膨張係
数の違いからセンダストにクラックが発生するという問
題が生じてしまう。

特に、基板１上に複数個の薄膜磁気ヘッドに対応して広
くセンダストをスパッタする場合に顕著である。

このセンダストのクラックの発生を防止するため、結晶
化ガラスの基板１上に複数個の薄膜磁気ヘッドに対応し
て全面にセンダストをスパッタすることなく、各々のａ
膜磁気ヘッドに対応して島状のマスクを使用してスパッ
タすることも考えられるが、スパッタ後、センダストを
エツチングにより所定の形状に成形する場合、基板１の
表面が荒れ、その後の成膜工程に支障がある。

この基板１の表面荒れを防止する方法としてクロム層を
薄く成膜し、こののち、各々の１ｍｌ磁気ヘッドに対応
してマスクを用いてセンダストを島状にスパッタするこ
とが考えられる。

ところが、クロム層を基板１上にスパッタしたのち、真
空槽から取り出してマスクを取付ける必要があるため、
クロム層表面が酸化して次工程のセンダストをスパッタ
しても密着性が悪くなって剥離しやすくなってしまう。

また、基板１の全面にクロム層をスパッタし、こののち
、マスクを取付けてクロム層とセンダストとを連続して
スパッタすることも考えられたが、最初のクロム層とマ
スク後の第２のりＯムロの密着性が悪いという問題があ
り、根本的解決にならない。

この発明はかかる従来技術の問題点、すなわち、■セン
ダストのエツチングのため基板保護用のクロム層が必要
なこと。■センダストを基板全面にスパッタできず、マ
スクを用いて島状にする必要があること。■クロム層と
センダストのスパッタは連続して行なわないと密着しな
いこと。■クロム層とクロム層とは密着性が悪いこと。

に鑑み、クラックの発生や密着性悪化が生ぜず高品質な
下部磁性層を得ることができる薄膜磁気ヘッドの製造方
法を提供しようとするものである。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点を解決するためこの発明は、非磁性体基板上
に成膜して薄膜磁気ヘッドをｇｊｌｉ造するに際し、非
磁性体基板上に全面にわたってエツチングストッパとな
るクロム層を形成したのち、このクロム層の下部磁性層
を成膜する部分をエツチングし、このクロム層が除去さ
れた部分以外をマスキングしたのち、非磁性体基板の露
出部分にエツチングストッパとしてのクロム層と下部磁
性層となるセンダスト層とを連続スパッタにより成膜し
、次いでこのセンダスト層を所定の下部磁性層にパター
ンニングするようにしたことを特徴とするものである。

（作　用〕 薄膜磁気ヘッドの下部磁性層となるセンダスト図をパタ
ーンニングする際に非磁性体基板の保護のため必要なり
ロム層を２回に分けてスパッタするようにし、まず、非
磁性体基板の全面にクロム層を形成し、下部磁性層を成
膜する部分を除去してから残りのクロム層部分をマスキ
ングし、表面の露出した非磁性体基板にもう一度クロム
層を形成し、これに連続してセンダスト層をスパッタす
るようにしており、マスキングされた開口部分に島状に
センダスト層を形成することでクラックの発生を防止し
、非磁性体基板にクロム層とセンダスト層とを連続スパ
ッタして下部磁性層の密着性向上をはかつている。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図面を参照しながら具体的
に説明する。

第１図はこの発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施
例にかかる工程図であり、同時に６個の薄膜磁気ヘッド
を製造する場合を示す。

この薄膜磁気ヘッドの製造は、まず、結晶化ガラスの非
磁性体基板１０の表面全体にスパッタリングによってク
ロム層１１を厚さ５００〜１０００人に形成し、センダ
ストをエツチングする際のエツチングストッパとする。

次に、全面にクロム層１１がスパッタリングされた非磁
性体基板１０を、同時に製造する薄膜磁気ヘッドの個数
（この実施例では、６個）に対応してエツチングして６
個の矩形部分のクロム層１１を除去し、結晶化ガラスを
露出させる。

こののら、非磁性体基板１０の６個の矩形の露出部分よ
りわずかに大きい矩形の開口部が形成されたステンレス
板等のマスク１２を非磁性体基板１０の残されたクロム
層１１を覆うよう取付ける。

そして、スパッタリング装置内に入れるが、スパッタリ
ングＨｉｉｆｆ内には、クロムとセンダストとの２つの
ターゲットを用意し、シャッタ等の切換えで両タゲット
を連続してスパッタリングできるようにする。

こうしてマスク１２を取付けた非磁性体基板１０の露出
部分に、まずクロムをスパッタリングしてクロム層１３
を形成し、その厚さが５００〜１０００人となったら、
ターゲットのシャッタを切換えてセンダストのスパッタ
リングを連続して行い下部磁性層１４を所定の厚さまで
成膜する。

この結果、マスク１２の開口部によって非磁性体基板１
０の露出部分にスパッタリングされたクロム層１３は、
結晶化ガラスに完全に密着され、このクロム居１３上に
スパッタリングされたセンダスト層１４もスパッタリン
グ装置から取り出されて大気に触れることなく、真空槽
内で連続して成膜され、クロム層１３と完全に密着状態
となっている。また、これらクロム層１３およびセンダ
スト層１４が成膜された部分以外の非磁性体基板１０の
表面は、第１工程のクロム層１１で覆われている。

次に、センダスト層１４を下部磁性層として必要な形状
にパターンニングするためエツチングを行なう。このエ
ツチング法としては、イオンエツチング（ドライエツチ
ング）あるいはふっ酸と硝酸との混合液によるウェット
エツチングが行なわれる。

この場合、センダスト層１４以外の非磁性体基板１０表
面はクロム層１１が形成されているので、このクロム層
１１がエツチングストッパとなり、非磁性体基板１０の
表面が荒れることが無く、センダスト層１４のパターン
ニングが行なわれる。

こうして下部磁性層１４が完成したのち、従来と同様、
ギャップを形成する非磁性体のギャップ層や絶縁層で挾
まれた導体コイル、さらには、上部磁性層がフォトリソ
グラフィ技術によって順次成膜されて簿膜磁気ヘッドが
作られる。

〔発明の効宋〕

以上、一実施例とともに具体的に説明したようにこの発
明によれば、薄膜磁気ヘッドの下部磁性層となるセンダ
スト層を非磁性体基板に成膜・パターンニングする際に
、非磁性体基板の保設のため必要なりロム層を２回に分
けてスパッタするようにし、まず、非磁性体基板の全面
にクロム層を形成し、下部磁性層を成膜する部分を除去
してから残されたクロム層をマスキングし、表面の露出
した非磁性体基板にもう一度りロム居を形成し、これに
連続して下部磁性層となるセンダスト層をスパッタする
ようにしたので、下部磁性層となるセンダスト層がマス
クの開口部に対応した小面積に分けて形成されることと
なり、複数個の薄膜磁気ヘッドを同時に製造する場合に
非磁性体基板とセンダスト層との膨張係数の差に基づく
クラックが発生することが防止される。

また、センダスト層以外の非磁性体基板表面がクロム層
で覆われているので、センダスト層のパターンニングの
際、非磁性体基板の表面が荒されることがなく、薄膜磁
気ヘッドの装造工程に悪影響を及ぼすことがない。

さらに、クロム層を２回に分（プてスパッタするように
しているので、マスキングする際にクロム層が酸化して
センダスト層の密着性が悪くなったり、クロム層同士の
密着性悪化の影響がなく、露出した非磁性体基板にクロ
ム層とセンダスト図とを密着させることができる。　　
　　　　　　　　′。゛したがって、非磁性体基板を用
いて、所望の厚　１１さの下部磁性層をクラックの発生
もなく、密着性　、□の良い状態で成膜することができ
る。　　　　　　１３１４゜

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施
例にかかる工程図、第２図および第３図は薄膜磁気ヘッ
ドの正面図およびｌｌｌ−１［［断面図である。 １０・・・非磁性体基板、１１・・・クロム層、１２・
・・マスク、１３・・・クロム層、１４・・・下部磁性
層。 出願人　　日本楽器製造株式会社 （半ｔ７Ｊ状態）　　　　（断面状懸）第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 非磁性体基板上に成膜して薄膜磁気ヘッドを製造するに
   際し、非磁性体基板上に全面にわたつてエッチングスト
   ッパとなるクロム層を形成したのち、このクロム層の下
   部磁性層を成膜する部分をエッチングし、このクロム層
   が除去された部分以外をマスキングしたのち、非磁性体
   基板の露出部分にエッチングストッパとしてのクロム層
   と下部磁性層となるセンダスト層とを連続スパッタによ
   り成膜し、次いでこのセンダスト層を所定の下部磁性層
   にパターンニングするようにしたことを特徴とする薄膜
   磁気ヘッドの製造方法。