JPH022313B2 - - Google Patents
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- JPH022313B2 JPH022313B2 JP56133438A JP13343881A JPH022313B2 JP H022313 B2 JPH022313 B2 JP H022313B2 JP 56133438 A JP56133438 A JP 56133438A JP 13343881 A JP13343881 A JP 13343881A JP H022313 B2 JPH022313 B2 JP H022313B2
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- H—ELECTRICITY
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- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁化容易軸を有する異方性の磁気層
を装着する基板を具える薄膜磁界センサを製造す
る方法に関するものである。
を装着する基板を具える薄膜磁界センサを製造す
る方法に関するものである。
ドイツ連邦共和国特許出願公告第2701296号明
細書には薄膜磁界センサが記載されており、この
センサは基板上に薄膜を積重ねたもの、すなわち
絶縁層中に埋込んだ異方性磁気層を、互いにコイ
ルを構成する２つの金属層間に設けたものから成
つている。コイルのインダクタンスは磁気層の透
磁率の関数となり、磁気層の磁化方向をその磁化
容易軸に沿つて向ける（配向する）為に外部磁界
を与えている。上述したセンサの機能を確実に達
成せしめうる磁化容易軸を得る為に、磁気層を陰
極スパツタリングにより基板上に造り、形成され
る磁気層にはその材料の堆積中に基板の面内にあ
る比較的強い直流磁界を加えている。
細書には薄膜磁界センサが記載されており、この
センサは基板上に薄膜を積重ねたもの、すなわち
絶縁層中に埋込んだ異方性磁気層を、互いにコイ
ルを構成する２つの金属層間に設けたものから成
つている。コイルのインダクタンスは磁気層の透
磁率の関数となり、磁気層の磁化方向をその磁化
容易軸に沿つて向ける（配向する）為に外部磁界
を与えている。上述したセンサの機能を確実に達
成せしめうる磁化容易軸を得る為に、磁気層を陰
極スパツタリングにより基板上に造り、形成され
る磁気層にはその材料の堆積中に基板の面内にあ
る比較的強い直流磁界を加えている。
このようにして得られた磁気層はこの層の面内
に磁化容易軸を有する。
に磁化容易軸を有する。
多数の別個の異方性磁気層を造る必要がある場
合には、既知の方法では、直流磁界に対する基板
の位置ばかりではなく、形成する磁気層の位置に
おける直流磁界の均一性をも再現的に正確に調整
できないという欠点がある。磁気層の材料を基板
上に堆積している際、磁気層の材料が基板のすぐ
近くに同時に堆積されることにより、また部分的
には堆積装置自体によつても漂遊磁界が形成され
る。これにより磁気特性が可成り変動し、これに
より製造される磁気層の品質が劣化する。
合には、既知の方法では、直流磁界に対する基板
の位置ばかりではなく、形成する磁気層の位置に
おける直流磁界の均一性をも再現的に正確に調整
できないという欠点がある。磁気層の材料を基板
上に堆積している際、磁気層の材料が基板のすぐ
近くに同時に堆積されることにより、また部分的
には堆積装置自体によつても漂遊磁界が形成され
る。これにより磁気特性が可成り変動し、これに
より製造される磁気層の品質が劣化する。
また従来の方法の場合、同時に強力な磁界を作
用せしめうる特別な堆積装置が必要であるという
他の欠点があり、この堆積装置はいまだにバツチ
製造に適した種類のものとして市販されていな
い。
用せしめうる特別な堆積装置が必要であるという
他の欠点があり、この堆積装置はいまだにバツチ
製造に適した種類のものとして市販されていな
い。
従来の方法の更に他の欠点は、連続作動の場合
に堆積装置を極めて頻繁に清浄とする必要があ
り、結局磁化容易軸を有する磁気層を製造する方
法は高価な方法となつてしまうということであ
る。
に堆積装置を極めて頻繁に清浄とする必要があ
り、結局磁化容易軸を有する磁気層を製造する方
法は高価な方法となつてしまうということであ
る。
本発明の目的は、磁化容易軸を有する磁気層を
製造する方法であつて、磁気層の材料の堆積中に
直流磁界を加えることなく適当ないかなる堆積装
置でも達成せしめうる方法を提供せんとするにあ
る。
製造する方法であつて、磁気層の材料の堆積中に
直流磁界を加えることなく適当ないかなる堆積装
置でも達成せしめうる方法を提供せんとするにあ
る。
本発明方法は、異方性磁気層を支持する表面を
有する基板を具える薄膜磁界センサを製造するに
当り、 配向磁界のない状態で前記の基板の表面上に等
方性磁気層を堆積する工程と、 堆積された等方性磁気層に、この等方性磁気層
が複数の細長状の細条となるように溝を形成する
工程と、 これら細条を各細条の長手方向に加えた配向磁
界中でテンパー処理し、これにより前記の細条が
配向磁界の方向で磁化容易軸を有するようにする
工程と を具えていることを特徴とする。
有する基板を具える薄膜磁界センサを製造するに
当り、 配向磁界のない状態で前記の基板の表面上に等
方性磁気層を堆積する工程と、 堆積された等方性磁気層に、この等方性磁気層
が複数の細長状の細条となるように溝を形成する
工程と、 これら細条を各細条の長手方向に加えた配向磁
界中でテンパー処理し、これにより前記の細条が
配向磁界の方向で磁化容易軸を有するようにする
工程と を具えていることを特徴とする。
前記の細条は互いに等しい寸法とするのが好ま
しく、また互いに少くとも部分的に分離させるの
が好ましく、各細条は磁気層の全面積のほぼ1/4
〜1/30の範囲の寸法にすることができる。
しく、また互いに少くとも部分的に分離させるの
が好ましく、各細条は磁気層の全面積のほぼ1/4
〜1/30の範囲の寸法にすることができる。
本発明によれば、磁化容易軸を有する磁気層を
得る為に磁気層を基板上に堆積する際に直流磁界
を用いる必要がないという利点が得られる。この
ことは、磁気層を設ける場合に特別な装置、例え
ばヘルムホルツコイルを設けた装置を用いる必要
がなく、薄肉層を堆積するのに適した既知のいか
なる装置、例えば陰極スパツタリング装置や、蒸
着装置や、電気鍍金装置をも用いることができる
ということを意味する。
得る為に磁気層を基板上に堆積する際に直流磁界
を用いる必要がないという利点が得られる。この
ことは、磁気層を設ける場合に特別な装置、例え
ばヘルムホルツコイルを設けた装置を用いる必要
がなく、薄肉層を堆積するのに適した既知のいか
なる装置、例えば陰極スパツタリング装置や、蒸
着装置や、電気鍍金装置をも用いることができる
ということを意味する。
本発明方法によれば、堆積工程中直流磁界を用
いない為、堆積装置の内面上に堆積される磁気層
材料が例えば漂遊磁界を形成することにより後の
堆積工程に妨害を及ぼすということがなくなり、
本発明によらなければ必要とする堆積装置の頻繁
な清浄処理を省略でき、このことは本質的に価格
の低廉化に寄与する。
いない為、堆積装置の内面上に堆積される磁気層
材料が例えば漂遊磁界を形成することにより後の
堆積工程に妨害を及ぼすということがなくなり、
本発明によらなければ必要とする堆積装置の頻繁
な清浄処理を省略でき、このことは本質的に価格
の低廉化に寄与する。
また、本発明によれば、“分子磁石”の配向の
均一性が連続的な異方性磁気層を有する薄膜磁界
センサのそれに比べて改善されるという特別な利
点が得られる。
均一性が連続的な異方性磁気層を有する薄膜磁界
センサのそれに比べて改善されるという特別な利
点が得られる。
本発明の実施例によれば、溝を磁気層の厚さの
１／２〜1/1の範囲の深さに形成する。溝は磁気層を
完全に突き抜けるようにする必要はなく、溝が磁
気層の約半分の厚さだけ入り込むようにすること
により磁気層を細条に分割すれば“分子磁石”を
均一に配向せしめうるということを確かめた。
１／２〜1/1の範囲の深さに形成する。溝は磁気層を
完全に突き抜けるようにする必要はなく、溝が磁
気層の約半分の厚さだけ入り込むようにすること
により磁気層を細条に分割すれば“分子磁石”を
均一に配向せしめうるということを確かめた。
本発明の他の実施例によれば、細条の縁部を傾
斜させ、これらの縁部が基板表面に対して12゜〜
60゜の範囲の傾斜角αを有するようにするのが有
利である。このようにすることは、磁気層上に後
に堆積すべき層、例えば絶縁層の品質にとつて重
要なことである。その理由は、後の層の材料で完
全に被覆するのは急勾配の縁部を有するパターン
上よりもゆるく傾斜した縁部を有するパターン上
の方が均一に且つ完全に達成しうる為である。
斜させ、これらの縁部が基板表面に対して12゜〜
60゜の範囲の傾斜角αを有するようにするのが有
利である。このようにすることは、磁気層上に後
に堆積すべき層、例えば絶縁層の品質にとつて重
要なことである。その理由は、後の層の材料で完
全に被覆するのは急勾配の縁部を有するパターン
上よりもゆるく傾斜した縁部を有するパターン上
の方が均一に且つ完全に達成しうる為である。
本発明の更に他の実施例によれば、細条に隅部
を湾曲させ、その曲率半径を細条の幅の1/5〜1/1
の範囲とする。矩形の細条の場合には、実際に所
望のものとは異なる磁化容易軸を有する磁気メド
インが細条の隅部に隣接して形成されてしまうお
それがある。この問題は細条の隅部をある程度切
り落とし、例えば隅部を丸くすることにより解決
される。
を湾曲させ、その曲率半径を細条の幅の1/5〜1/1
の範囲とする。矩形の細条の場合には、実際に所
望のものとは異なる磁化容易軸を有する磁気メド
インが細条の隅部に隣接して形成されてしまうお
それがある。この問題は細条の隅部をある程度切
り落とし、例えば隅部を丸くすることにより解決
される。
本発明の更に他の例によれば、磁気層を幅Ｂ対
長さＬの比（Ｂ／Ｌ）を0.2〜0.6の範囲とした細
条に分割する。このようにすることにより上述し
た磁気層を有する磁界センサの作動に関する利
点、すなわちセンサの所望の作動点を比Ｂ／Ｌに
よつて調整することができるという利点が得られ
る。
長さＬの比（Ｂ／Ｌ）を0.2〜0.6の範囲とした細
条に分割する。このようにすることにより上述し
た磁気層を有する磁界センサの作動に関する利
点、すなわちセンサの所望の作動点を比Ｂ／Ｌに
よつて調整することができるという利点が得られ
る。
本発明の更に他の例によれば、磁気層を酸化ア
ルミニウムの基板上に設け、この磁気層を支持す
る為の基板の表面はガラス層で被覆して表面の粗
さを低減させる。磁気層の磁気特性を良好にする
為には、特に磁気層の保磁力を小さくする為に
は、磁気層を設けるべき基板の表面の品質が特に
重要である。表面の粗さが約0.05μm以上である
場合には、その上に設けられる磁気層の磁気特
性、特に保磁力が不所望なものとなる。この理由
で、酸化アルミニウム基板のような基板の表面を
ガラス層の形態で仕上げるも、例えば熱酸化した
単結晶珪素或いは500℃よりも高い軟化点を有す
るガラスより成る層も基板として特に適してい
る。
ルミニウムの基板上に設け、この磁気層を支持す
る為の基板の表面はガラス層で被覆して表面の粗
さを低減させる。磁気層の磁気特性を良好にする
為には、特に磁気層の保磁力を小さくする為に
は、磁気層を設けるべき基板の表面の品質が特に
重要である。表面の粗さが約0.05μm以上である
場合には、その上に設けられる磁気層の磁気特
性、特に保磁力が不所望なものとなる。この理由
で、酸化アルミニウム基板のような基板の表面を
ガラス層の形態で仕上げるも、例えば熱酸化した
単結晶珪素或いは500℃よりも高い軟化点を有す
るガラスより成る層も基板として特に適してい
る。
図面につき本発明を説明する。
第１図は細条３に分割した磁気層Ｍを有する本
発明薄膜磁界センサの一例を示す断面図である。
例えば酸化アルミニウムより成る基板Ｓ上には厚
さが数μmで銅とするのが好ましい第１導体層L1
を堆積する。この導体層L1を堆積する前に必要
に応じ厚さが約0.01〜0.1μmの例えば二酸化チタ
ン（TiO2）の補助層H1を堆積することができ
る。導体層L1は通常の写真食刻技術により形成
し、同様にして形成した第２導体層L2と相俟つ
て薄膜コイルとなる導体細条パターンが得られる
ようにする。層L1上には、所望に応じ補助層H2
を設けた後に、SiO2或いは有機ポリマーより成
る第１絶縁層D1を数μmの厚さで設ける。
発明薄膜磁界センサの一例を示す断面図である。
例えば酸化アルミニウムより成る基板Ｓ上には厚
さが数μmで銅とするのが好ましい第１導体層L1
を堆積する。この導体層L1を堆積する前に必要
に応じ厚さが約0.01〜0.1μmの例えば二酸化チタ
ン（TiO2）の補助層H1を堆積することができ
る。導体層L1は通常の写真食刻技術により形成
し、同様にして形成した第２導体層L2と相俟つ
て薄膜コイルとなる導体細条パターンが得られる
ようにする。層L1上には、所望に応じ補助層H2
を設けた後に、SiO2或いは有機ポリマーより成
る第１絶縁層D1を数μmの厚さで設ける。
層D1上には例えば陰極スパツタリングにより
0.1μm〜数μmの範囲の厚さで磁気層Ｍを設ける。
この磁気層はマスクを介して設けるのが好まし
い。この磁気層の材料としてはニツケル―鉄合金
（81Ni／19Fe）或いはモリブデン―ニツケル―鉄
合金（4Mo／79Ni／17Fe）を用いることができ
る。単一層の磁気層の代りに、磁気材料（厚さ約
0.8μm）および誘電体材料（厚さ約0.3μm）を交
互に重ねた数個の副層より成る多層構造体を設け
ることができる。
0.1μm〜数μmの範囲の厚さで磁気層Ｍを設ける。
この磁気層はマスクを介して設けるのが好まし
い。この磁気層の材料としてはニツケル―鉄合金
（81Ni／19Fe）或いはモリブデン―ニツケル―鉄
合金（4Mo／79Ni／17Fe）を用いることができ
る。単一層の磁気層の代りに、磁気材料（厚さ約
0.8μm）および誘電体材料（厚さ約0.3μm）を交
互に重ねた数個の副層より成る多層構造体を設け
ることができる。
磁気層は配向磁界を加えることなく設ける。こ
れにより得られた磁気層は写真食刻処理により幅
がＢで長さがＬの細条３が形成されるように構成
することができ、この場合幅対長さの比Ｂ／Ｌは
0.2〜0.6とし、細条の個数は４〜30とするのが有
利である。ある特定の場合には、細条の幅を1.4
mmとし、長さを9.5mmとし、細条の個数を７とし、
細条３間に溝９を設け、この場合溝９の幅を
30μmとし、溝９の深さを1.6μmとし、磁気層Ｍ
を溝９を突き抜けるようにする。しかし、必ずし
も溝９が磁気層Ｍを完全に突き抜けるようにする
必要はなく、配向工程後に“分子磁石”が均一に
配向されているようにする為には、磁気層Ｍの厚
さの約半分に相当する溝９の深さで充分である。
れにより得られた磁気層は写真食刻処理により幅
がＢで長さがＬの細条３が形成されるように構成
することができ、この場合幅対長さの比Ｂ／Ｌは
0.2〜0.6とし、細条の個数は４〜30とするのが有
利である。ある特定の場合には、細条の幅を1.4
mmとし、長さを9.5mmとし、細条の個数を７とし、
細条３間に溝９を設け、この場合溝９の幅を
30μmとし、溝９の深さを1.6μmとし、磁気層Ｍ
を溝９を突き抜けるようにする。しかし、必ずし
も溝９が磁気層Ｍを完全に突き抜けるようにする
必要はなく、配向工程後に“分子磁石”が均一に
配向されているようにする為には、磁気層Ｍの厚
さの約半分に相当する溝９の深さで充分である。
細条縁部５は基板に対し急勾配ではなく傾ける
のが有利であることを確かめた。傾き角αは12゜
〜60゜の範囲とするのが好ましく、図示の例では
約45゜とした。傾き縁部５を形成する細条３の腐
食は湿式化学腐食或いは陰極スパツタリングによ
り行なうことができる。
のが有利であることを確かめた。傾き角αは12゜
〜60゜の範囲とするのが好ましく、図示の例では
約45゜とした。傾き縁部５を形成する細条３の腐
食は湿式化学腐食或いは陰極スパツタリングによ
り行なうことができる。
湿式化学腐食を用いる場合には、層Ｍを所望構
造のホトラツカーマスクで被覆する。この被覆後
に100mlのH2Oと、34mlのH2SO4（95％）と、18
mlのH2O2（30％）との腐食液で約60℃の上昇温度
で化学腐食工程を行なうことができる。ニツケル
―鉄合金（81Ni／19Fe）の腐食速度は約5μm／
分である。
造のホトラツカーマスクで被覆する。この被覆後
に100mlのH2Oと、34mlのH2SO4（95％）と、18
mlのH2O2（30％）との腐食液で約60℃の上昇温度
で化学腐食工程を行なうことができる。ニツケル
―鉄合金（81Ni／19Fe）の腐食速度は約5μm／
分である。
細条３は直角ではなく湾曲した隅部７を有する
ようにするのが好ましい。
ようにするのが好ましい。
これらの隅部は細条の幅の1/5〜1/1の範囲の曲
率半径を有するようにすることができる。
率半径を有するようにすることができる。
細条３を形成する薄肉磁気層Ｍの上述した処理
後、直流配向磁界内でテンパー（tempering）処
理を行なう。この処理時間は１〜６時間の範囲と
することができ、４時間とすると良好な結果が得
られ、温度は200〜500℃の範囲とすることがで
き、450℃の温度とすると良好な結果が得られる。
直流磁界の強度は3mTよりも大きくして均一で
安定な磁化容易軸が得られるようにする。
後、直流配向磁界内でテンパー（tempering）処
理を行なう。この処理時間は１〜６時間の範囲と
することができ、４時間とすると良好な結果が得
られ、温度は200〜500℃の範囲とすることがで
き、450℃の温度とすると良好な結果が得られる。
直流磁界の強度は3mTよりも大きくして均一で
安定な磁化容易軸が得られるようにする。
磁気層Ｍ上には、材料、厚さおよび構造におい
て層D1に殆んど一致する第２絶縁層D2を設ける。
この層D2上には、（所望に応じ材料および厚さに
おいて補助層H1およびH2に相当する第３の補助
層H3を設けた後）銅を以つて構成するのが好ま
しい第２導体層L2を設ける。この層L2は、層L1
の細条と連結されて磁気層Ｍを囲むコイルを形成
する導電細条のパターンを形成するように構成す
る。
て層D1に殆んど一致する第２絶縁層D2を設ける。
この層D2上には、（所望に応じ材料および厚さに
おいて補助層H1およびH2に相当する第３の補助
層H3を設けた後）銅を以つて構成するのが好ま
しい第２導体層L2を設ける。この層L2は、層L1
の細条と連結されて磁気層Ｍを囲むコイルを形成
する導電細条のパターンを形成するように構成す
る。
上述した例の磁界センサは薄膜技術における一
体化コイルとともに動作するものであり、この動
作自体は前記のドイツ連邦共和国特許出願公告第
2701296号明細書に開示された磁界センサの動作
と同様であり、既知である。しかし必ずしもこの
ようにする必要はなく、適当な基板上に異方性の
磁気層を設け、この磁気層を例えばSiO2より成
る絶縁層で被覆するようにすることができる。こ
の場合、上述した形のセンサに必要なコイルは巻
線コイルの形態で構成することができる。
体化コイルとともに動作するものであり、この動
作自体は前記のドイツ連邦共和国特許出願公告第
2701296号明細書に開示された磁界センサの動作
と同様であり、既知である。しかし必ずしもこの
ようにする必要はなく、適当な基板上に異方性の
磁気層を設け、この磁気層を例えばSiO2より成
る絶縁層で被覆するようにすることができる。こ
の場合、上述した形のセンサに必要なコイルは巻
線コイルの形態で構成することができる。
第１図は本発明方法によつて製造した磁気層を
有する薄膜磁界センサの一例を示す断面図、第２
図は複数個の細条に分割した磁気層を有する基板
を拡大して示す平面図、第３図は第２図に示す磁
気層の１つの細条の一部分を示す斜視図である。 Ｍ……磁気層、Ｓ……基板、L1……第１導体
層、L2……第２導体層、H1，H2，H3……補助
層、D1……第１絶縁層、D2……第２絶縁層、３
……細条、５……細条縁部、７……隅部、９……
溝。
有する薄膜磁界センサの一例を示す断面図、第２
図は複数個の細条に分割した磁気層を有する基板
を拡大して示す平面図、第３図は第２図に示す磁
気層の１つの細条の一部分を示す斜視図である。 Ｍ……磁気層、Ｓ……基板、L1……第１導体
層、L2……第２導体層、H1，H2，H3……補助
層、D1……第１絶縁層、D2……第２絶縁層、３
……細条、５……細条縁部、７……隅部、９……
溝。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 異方性磁気層を支持する表面を有する基板を
具える薄膜磁界センサを製造するに当り、 配向磁界のない状態で前記の基板の表面上に等
方性磁気層を堆積する工程と、 堆積された等方性磁気層に、この等方性磁気層
が複数の細長状の細条となるように溝を形成する
工程と、 これら細条を各細条の長手方向に加えた配向磁
界中でテンパー処理し、これにより前記の細条が
配向磁界の方向で磁化容易軸を有するようにする
工程と を具えていることを特徴とする薄膜磁界センサの
製造方法。 ２ 特許請求の範囲第１項に記載の薄膜磁界セン
サの製造方法において、磁気層に用いられる材料
を、ニツケル―鉄基合金およびモリブデン―ニツ
ケル―鉄基合金を有する群から選択した合金とす
ることを特徴とする薄膜磁界センサの製造方法。 ３ 特許請求の範囲第２項に記載の薄膜磁界セン
サの製造方法において、上昇させた温度での湿式
化学腐食処理により磁気層を細条構造にすること
を特徴とする薄膜磁界センサの製造方法。 ４ 特許請求の範囲第１項に記載の薄膜磁界セン
サの製造方法において、磁気層を装着する為の酸
化アルミニウムの基板の領域をガラス層で被覆し
たこの基板上に磁気層を堆積することを特徴とす
る薄膜磁界センサの製造方法。 ５ 特許請求の範囲第１項に記載の薄膜磁界セン
サの製造方法において、細条の縁部を傾斜させ、
これらの縁部が基板表面に対して12゜〜60゜の範囲
の傾斜各αを有するようにすることを特徴とする
薄膜磁界センサの製造方法。 ６ 特許請求の範囲第１項に記載の薄膜磁界セン
サの製造方法において、細条の隅部を湾曲させ、
その曲率半径を細条の幅の1/5〜1/1の範囲とする
ことを特徴とする薄膜磁界センサの製造方法。 ７ 特許請求の範囲第１項に記載の薄膜磁界セン
サの製造方法において、細条をその幅Ｂ対その長
さＬの比Ｂ／Ｌが0.2〜0.6の範囲となるように形
成することを特徴とする薄膜磁界センサの製造方
法。 ８ 特許請求の範囲第１項に記載の薄膜磁界セン
サの製造方法において、前記の溝を磁気層の厚さ
の1/2〜1/1の範囲の深さに形成することを特徴と
する薄膜磁界センサの製造方法。 ９ 特許請求の範囲第１項に記載の薄膜磁界セン
サの製造方法において、テンパー処理を１〜６時
間の範囲の期間中200〜500℃の範囲の温度で行な
うことを特徴とする薄膜磁界センサの製造方法。 １０ 特許請求の範囲第１〜９項のいずれか一項
に記載の薄膜磁界センサの製造方法において、磁
気層に少くとも3mTの磁界強度を有する配向磁
界を加えることを特徴とする薄膜磁界センサの製
造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19803032708 DE3032708A1 (de) | 1980-08-30 | 1980-08-30 | Verfahren zur herstellung eines duennschicht-magnetfeld-sensors |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5776891A JPS5776891A (en) | 1982-05-14 |
| JPH022313B2 true JPH022313B2 (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=6110738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56133438A Granted JPS5776891A (en) | 1980-08-30 | 1981-08-27 | Method of fabricating thin film magnetic field sensor |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4386114A (ja) |
| JP (1) | JPS5776891A (ja) |
| DE (1) | DE3032708A1 (ja) |
| FR (1) | FR2495333A1 (ja) |
| GB (1) | GB2083230B (ja) |
| SE (1) | SE453336B (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4477794A (en) * | 1981-08-10 | 1984-10-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive element |
| JPS60127527A (ja) * | 1983-12-15 | 1985-07-08 | Saiteku Kk | 膜状積重磁気記録媒体およびその製造方法 |
| DE3613619A1 (de) * | 1985-04-26 | 1986-10-30 | Sharp K.K., Osaka | Duennfilm-magnetkopf |
| GB2201786B (en) * | 1987-03-06 | 1990-11-28 | Gen Electric Plc | Magnetometers |
| US4906858A (en) * | 1987-11-13 | 1990-03-06 | Honeywell Inc. | Controlled switching circuit |
| US5236735A (en) * | 1989-05-27 | 1993-08-17 | Tdk Corporation | Method of producing a thin film magnetic head |
| DE4013016C2 (de) * | 1990-04-24 | 1996-04-18 | Siemens Ag | Magnetfeldsensor einer Schalteinrichtung mit Teilen unterschiedlicher Koerzitivfeldstärke |
| EP0640840B1 (en) * | 1993-08-25 | 2002-10-30 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Magnetic field sensing method and apparatus |
| WO1995020768A1 (de) * | 1994-01-31 | 1995-08-03 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Miniaturisierte spulenanordnung hergestellt in planartechnologie zur detektion von ferromagnetischen stoffen |
| US6743639B1 (en) * | 1999-10-13 | 2004-06-01 | Nve Corporation | Magnetizable bead detector |
| US20110175603A1 (en) * | 2008-06-13 | 2011-07-21 | Vladimir Burtman | Method and Apparatus for Measuring Magnetic Fields |
| JP6027819B2 (ja) * | 2012-08-20 | 2016-11-16 | 日東電工株式会社 | 配線回路基板 |
| RU2734448C1 (ru) * | 2020-02-05 | 2020-10-16 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ СО РАН, КНЦ СО РАН) | Умножитель частоты |
| RU2756841C1 (ru) * | 2021-03-26 | 2021-10-06 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" | Умножитель частоты на полосковом резонаторе с магнитной плёнкой |
| RU2758540C1 (ru) * | 2021-03-29 | 2021-10-29 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение «Федеральный исследовательский центр «Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук» | Умножитель частоты на тонкой магнитной пленке |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52119879A (en) * | 1976-04-02 | 1977-10-07 | Hitachi Ltd | Magnetic resistance element |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL239586A (ja) * | 1958-05-28 | |||
| US3374113A (en) * | 1965-01-13 | 1968-03-19 | Bell Telephone Labor Inc | Method for controlled aging of thin magnetic films by means of an easy axis annealing treatment |
| US3677843A (en) * | 1970-02-02 | 1972-07-18 | Sylvania Electric Prod | Method for fabricating multilayer magnetic devices |
| DE2223123A1 (de) * | 1972-05-12 | 1973-11-22 | Philips Patentverwaltung | Magnetische speicherschicht |
| JPS4965742A (ja) * | 1972-10-26 | 1974-06-26 | ||
| NL7608002A (nl) * | 1976-07-20 | 1978-01-24 | Philips Nv | Werkwijze ter vervaardiging van een magnetische inrichting. |
| DE2701296C2 (de) * | 1977-01-14 | 1978-12-07 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Dünnschicht-Magnetfeld-Sensor |
| NL7701559A (nl) * | 1977-02-15 | 1978-08-17 | Philips Nv | Het maken van schuine hellingen aan metaal- patronen, alsmede substraat voor een geinte- greerde schakeling voorzien van een dergelijk patroon. |
-
1980
- 1980-08-30 DE DE19803032708 patent/DE3032708A1/de active Granted
-
1981
- 1981-08-21 US US06/295,052 patent/US4386114A/en not_active Expired - Fee Related
- 1981-08-26 GB GB8125987A patent/GB2083230B/en not_active Expired
- 1981-08-26 FR FR8116310A patent/FR2495333A1/fr active Granted
- 1981-08-27 SE SE8105077A patent/SE453336B/sv not_active IP Right Cessation
- 1981-08-27 JP JP56133438A patent/JPS5776891A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52119879A (en) * | 1976-04-02 | 1977-10-07 | Hitachi Ltd | Magnetic resistance element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2495333A1 (fr) | 1982-06-04 |
| SE8105077L (sv) | 1982-03-01 |
| FR2495333B1 (ja) | 1984-03-23 |
| GB2083230A (en) | 1982-03-17 |
| US4386114A (en) | 1983-05-31 |
| JPS5776891A (en) | 1982-05-14 |
| DE3032708A1 (de) | 1982-04-29 |
| GB2083230B (en) | 1984-05-31 |
| SE453336B (sv) | 1988-01-25 |
| DE3032708C2 (ja) | 1987-01-22 |
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