JPS60177416A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS60177416A JPS60177416A JP3181084A JP3181084A JPS60177416A JP S60177416 A JPS60177416 A JP S60177416A JP 3181084 A JP3181084 A JP 3181084A JP 3181084 A JP3181084 A JP 3181084A JP S60177416 A JPS60177416 A JP S60177416A
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- Japan
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- depth
- film
- polishing
- thin film
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、特にギャッ
プデプス量の高精度化を可能としたものである。
プデプス量の高精度化を可能としたものである。
背景技術とその問題点
薄膜磁気ヘッドは第１図及び第２図に示すように構成さ
れている。すなわち磁性または非磁性の基［（１）の上
にノや一マロイ、センダスト、アモルファス等のスフ９
ツタ、蒸着等の手段によシ下部磁性コア膜（２）を形成
し、その上にＳｔＯ□等の非磁性絶縁膜（３）を介して
コイル導体層（４）が形成され、その上に非磁性絶縁膜
（５）が被着されて更にその上にギャップ形成絶縁膜（
５１を介して上部磁性コア膜（６）が形成される。そし
て内磁性コア膜Ｔ２＋ （６）はコイル導体層（４）を
囲む形で所定デプス値のギャップ（７）を介して閉磁路
が形成されている。この製造においてギャップ長となる
べき絶縁膜（５）を形成する前にあらかじめ、ギャップ
デプスとなる領域に形成されている絶縁膜（３） （５
１を除去する必要がある。通常この領域のコイル導体（
４）側の端はある距離りをもって決められ、この点がギ
ャップデプスＯの位置となる。一方ギャップデブスを制
御するマーカー（８ａ）（８ｂ）は第２図に示すように
導体形成時と同一パターンで形成されており、前述の距
離り値はギャップ部（７）のエツチングエリヤ（９）の
形成時に決定される。
れている。すなわち磁性または非磁性の基［（１）の上
にノや一マロイ、センダスト、アモルファス等のスフ９
ツタ、蒸着等の手段によシ下部磁性コア膜（２）を形成
し、その上にＳｔＯ□等の非磁性絶縁膜（３）を介して
コイル導体層（４）が形成され、その上に非磁性絶縁膜
（５）が被着されて更にその上にギャップ形成絶縁膜（
５１を介して上部磁性コア膜（６）が形成される。そし
て内磁性コア膜Ｔ２＋ （６）はコイル導体層（４）を
囲む形で所定デプス値のギャップ（７）を介して閉磁路
が形成されている。この製造においてギャップ長となる
べき絶縁膜（５）を形成する前にあらかじめ、ギャップ
デプスとなる領域に形成されている絶縁膜（３） （５
１を除去する必要がある。通常この領域のコイル導体（
４）側の端はある距離りをもって決められ、この点がギ
ャップデプスＯの位置となる。一方ギャップデブスを制
御するマーカー（８ａ）（８ｂ）は第２図に示すように
導体形成時と同一パターンで形成されており、前述の距
離り値はギャップ部（７）のエツチングエリヤ（９）の
形成時に決定される。
この薄膜磁気ヘッドのギャップデプス値Ｄｐは通常１０
μｍ前後に設定されるため数μｍのずれは記録再生特性
に多大の影響を及ぼし、±１岬位の制御を行う必要があ
る。又前述の様に設計上の距離り値を得るため極力ギヤ
ツブ部エツチングエリヤ（９） （７）ノぐターン形成
時のマスク合せを精度よく行ったとしてもマスク合せ精
度、基板のそシ等を考慮すると、必ずずれが生ずること
になる。
μｍ前後に設定されるため数μｍのずれは記録再生特性
に多大の影響を及ぼし、±１岬位の制御を行う必要があ
る。又前述の様に設計上の距離り値を得るため極力ギヤ
ツブ部エツチングエリヤ（９） （７）ノぐターン形成
時のマスク合せを精度よく行ったとしてもマスク合せ精
度、基板のそシ等を考慮すると、必ずずれが生ずること
になる。
従ってこのままでデプス研摩マーカー（８ａＸ８ｂ）を
頼りにギャップデプスを研摩して行くと、第２図に示す
ように設計値デプス量ＤＰＭに対し、真のデプス値ＤＰ
ゆ１ ＋ ＤｐＥ２はずれてし寸う。このような結果は
特に１チツプ内に多トラツクが形成されたとき、トラッ
ク間特性のばらつきが大きくなる欠点がある。
頼りにギャップデプスを研摩して行くと、第２図に示す
ように設計値デプス量ＤＰＭに対し、真のデプス値ＤＰ
ゆ１ ＋ ＤｐＥ２はずれてし寸う。このような結果は
特に１チツプ内に多トラツクが形成されたとき、トラッ
ク間特性のばらつきが大きくなる欠点がある。
発明の目的
本発明はかかる点に鑑み、ギヤツゾデブス研摩において
ギャップデプス値が正確に管理把握できて、多トラツク
ヘッドの場合各トラック間において均一な記録、再生特
性が得られ、寸だ製造において基板のそシ、レジストの
厚みむらによるノ４ターン寸法の変化をあｔシ子細に管
理する必要がなく、量産時の作業効率の向上をはかるこ
とができるようにした薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供
す発明の概要 本発明は上記の目的を達成するために、基板上に下部磁
性コア膜及び絶縁膜、導体膜を順次形成し・所定のギャ
ップ長を得るために絶縁膜のギャップ部をエツチングす
るに際し、ギャップ部近傍に凹状のデプス検知用マーカ
ーを絶縁膜によ膜形成し、とのデプス検知用マーカーを
用いてデプス研摩を行なうようにしたものである。
ギャップデプス値が正確に管理把握できて、多トラツク
ヘッドの場合各トラック間において均一な記録、再生特
性が得られ、寸だ製造において基板のそシ、レジストの
厚みむらによるノ４ターン寸法の変化をあｔシ子細に管
理する必要がなく、量産時の作業効率の向上をはかるこ
とができるようにした薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供
す発明の概要 本発明は上記の目的を達成するために、基板上に下部磁
性コア膜及び絶縁膜、導体膜を順次形成し・所定のギャ
ップ長を得るために絶縁膜のギャップ部をエツチングす
るに際し、ギャップ部近傍に凹状のデプス検知用マーカ
ーを絶縁膜によ膜形成し、とのデプス検知用マーカーを
用いてデプス研摩を行なうようにしたものである。
実施例
第３図以下を参照して本発明の詳細な説明する。
第３図は本発明の一実施例としての薄膜磁気ヘッドの製
造工程説明図である。
造工程説明図である。
同図においてＯＢは例えばＭｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｎ
１−Ｚｎ系フェライト等の磁性材又は非磁性材より成る
基板で平滑に加工仕上げした後、この基板（１１）の平
面上にセンダスト、ハーマロイ、アモルファス等によシ
スバッタ、蒸着等の手段で下部磁性コア膜（イ）を形成
する（同図Ａ）。次に下部磁性コア膜α■の上に５ｉ０
２等の第１の非磁性絶縁膜０を形成しく同図Ｂ）、この
非磁性絶縁膜（至）の上にコイル導体層０１０ヲ形成し
て所要間隔形状にノやターニングし、このようにパター
ニングされたコイル導体層０４の上に第２の非磁性絶縁
膜０９會形成する（同図Ｃ）。
１−Ｚｎ系フェライト等の磁性材又は非磁性材より成る
基板で平滑に加工仕上げした後、この基板（１１）の平
面上にセンダスト、ハーマロイ、アモルファス等によシ
スバッタ、蒸着等の手段で下部磁性コア膜（イ）を形成
する（同図Ａ）。次に下部磁性コア膜α■の上に５ｉ０
２等の第１の非磁性絶縁膜０を形成しく同図Ｂ）、この
非磁性絶縁膜（至）の上にコイル導体層０１０ヲ形成し
て所要間隔形状にノやターニングし、このようにパター
ニングされたコイル導体層０４の上に第２の非磁性絶縁
膜０９會形成する（同図Ｃ）。
そして、フロントギャップ部及びバックギャップ部に当
る部分の非磁性絶縁膜全エツチング除去し、即ちフロン
トギャップ部に所定のギャップ長を得るためのギヤツブ
部エツチングエリヤ０棒を形成しく同図Ｄ）、これと同
時にギャップデプス検知用マーカー（１’Ｊ ［（１９
ａ）（１９ｂ））を非磁性絶縁膜（２）０９に形成する
（横断位置で示す同図Ｄ′）。即ち、下部磁性コア膜０
２上の非磁性絶縁膜αｊのフロントギャップ部内乃を形
成するギヤツブ部エツチングエリヤ（旧のエツチングと
同時にそのエツチングエリヤ（旧の近傍両側にギャップ
デプス検知用マーカー（至）［（１９ａＸ１９ｂ）］を
例えば直角二等辺三角形の凹状にエツチングして形成す
る。
る部分の非磁性絶縁膜全エツチング除去し、即ちフロン
トギャップ部に所定のギャップ長を得るためのギヤツブ
部エツチングエリヤ０棒を形成しく同図Ｄ）、これと同
時にギャップデプス検知用マーカー（１’Ｊ ［（１９
ａ）（１９ｂ））を非磁性絶縁膜（２）０９に形成する
（横断位置で示す同図Ｄ′）。即ち、下部磁性コア膜０
２上の非磁性絶縁膜αｊのフロントギャップ部内乃を形
成するギヤツブ部エツチングエリヤ（旧のエツチングと
同時にそのエツチングエリヤ（旧の近傍両側にギャップ
デプス検知用マーカー（至）［（１９ａＸ１９ｂ）］を
例えば直角二等辺三角形の凹状にエツチングして形成す
る。
この三角形状マーカー的はその頂点（１９’）［（１９
ａ’）（１９ｔ／））がエツチングエリヤＱ枠の内端縁
（１８つの延長線を上に一致して形成する（第４図参照
）０そしてギヤツブ部エツチングエリヤ０→に所定のギ
ャップ長となるように非磁性絶縁膜（１５’ ）を形成
することにより上部磁性コア膜形成前の工程は終了する
（同図Ｅ、Ｅ’）。なお、フロントギャップ部は前段工
程で形成されている非磁性絶縁膜を所定のギ、ヤツデ長
に相当する膜厚になるようにイオンエツチング或いはラ
ップ研摩して形成してもよい。
ａ’）（１９ｔ／））がエツチングエリヤＱ枠の内端縁
（１８つの延長線を上に一致して形成する（第４図参照
）０そしてギヤツブ部エツチングエリヤ０→に所定のギ
ャップ長となるように非磁性絶縁膜（１５’ ）を形成
することにより上部磁性コア膜形成前の工程は終了する
（同図Ｅ、Ｅ’）。なお、フロントギャップ部は前段工
程で形成されている非磁性絶縁膜を所定のギ、ヤツデ長
に相当する膜厚になるようにイオンエツチング或いはラ
ップ研摩して形成してもよい。
最後に上部磁性膜（１Ｇを形成することによシ薄膜磁気
ヘッド素体が形成される（同図Ｆ、Ｆ’）。
ヘッド素体が形成される（同図Ｆ、Ｆ’）。
以上のようにしてギャップデプス検知用マーカーαＩｃ
（１９ａ）（１９ｂ）］を形成した薄膜磁気ヘッド素体
のテープ対接面を切削研摩加工して所定のギャップデプ
ス値に形成する。即ち本例においてはこの切削研摩加工
は第４図に示すように切削研摩面側Ａからギャップデプ
ス検知用マーカー（ＩＫ（１９ａＸ１９ｂ））の頂点（
１９’）［：（１９ａ）（１９ｂ’）］を挾む２辺内縁
間の距離を確解しながら行なう。そしてこのように切削
研摩加工が行なわれている際に両デゾス検知用マ−カー
（１９ａ）（１ｃ＋ｂ）の夫々の２辺内縁間の距ｍｗ＜
第３図Ｇ参照）が等しいことを確認し、加工面が最終研
摩ラインａ（第４図工点鎖線）、本例ではデプス検知用
マーカー（１９ａ）、 （１９ｂ）は二等辺三角形状で
あるから、この三角形の高さの２分の１を通るラインが
最終研摩ラインであってこの最終研摩ラインａに対して
切削研摩が平行に行なわれないときは両デプス検知用マ
ーカー（１９ａ）（１９ｂ）の夫々の２辺内縁間の距離
Ｗが相異することになり、従ってこれを観察することに
より、切削研摩状態の正常、非正常を検知できて非正常
の場合の修正が可能となる。
（１９ａ）（１９ｂ）］を形成した薄膜磁気ヘッド素体
のテープ対接面を切削研摩加工して所定のギャップデプ
ス値に形成する。即ち本例においてはこの切削研摩加工
は第４図に示すように切削研摩面側Ａからギャップデプ
ス検知用マーカー（ＩＫ（１９ａＸ１９ｂ））の頂点（
１９’）［：（１９ａ）（１９ｂ’）］を挾む２辺内縁
間の距離を確解しながら行なう。そしてこのように切削
研摩加工が行なわれている際に両デゾス検知用マ−カー
（１９ａ）（１ｃ＋ｂ）の夫々の２辺内縁間の距ｍｗ＜
第３図Ｇ参照）が等しいことを確認し、加工面が最終研
摩ラインａ（第４図工点鎖線）、本例ではデプス検知用
マーカー（１９ａ）、 （１９ｂ）は二等辺三角形状で
あるから、この三角形の高さの２分の１を通るラインが
最終研摩ラインであってこの最終研摩ラインａに対して
切削研摩が平行に行なわれないときは両デプス検知用マ
ーカー（１９ａ）（１９ｂ）の夫々の２辺内縁間の距離
Ｗが相異することになり、従ってこれを観察することに
より、切削研摩状態の正常、非正常を検知できて非正常
の場合の修正が可能となる。
そして両デプス検知用マーカー（１９ａ）、 （１９ｂ
）は二等辺三角形でその頂点（１９ａ’）、 （１９ｂ
）がギャップエツチングエリヤ（１ｇ＋の内縁と一致し
ていることにより切削研摩加工位置におけるギャップデ
プス寸法を正確にめることができる。これは、両デプス
検知用マーカー（１９ａ）、 （１９りをギャップエツ
チングエリヤαａの形成と同時に形成するのでギャップ
１ツ４ング！リヤパターンのマスク合せの精度に関係な
く両デプス検知用マーカー（１９ａ） （１９ｂ）はギ
ャップエツチングエリヤθ掲との関係位置が変ることな
く形成されることによる。
）は二等辺三角形でその頂点（１９ａ’）、 （１９ｂ
）がギャップエツチングエリヤ（１ｇ＋の内縁と一致し
ていることにより切削研摩加工位置におけるギャップデ
プス寸法を正確にめることができる。これは、両デプス
検知用マーカー（１９ａ）、 （１９りをギャップエツ
チングエリヤαａの形成と同時に形成するのでギャップ
１ツ４ング！リヤパターンのマスク合せの精度に関係な
く両デプス検知用マーカー（１９ａ） （１９ｂ）はギ
ャップエツチングエリヤθ掲との関係位置が変ることな
く形成されることによる。
このようにしてギャップエツチングエリヤ０樽の最終研
摩ラインａの近傍まで切削加工が行われたことが確認さ
れた段階で最終研摩工程に移行し、両デプス検知用マー
カー（１９ａ）、（１９ｂ）によ＃）最終研摩ラインａ
１で研摩したことを確認して切削研摩工程が終了し、所
定のデプス値のギャップα力を有する薄膜磁気ヘッドＱ
Ｏが得られる（第３図Ｇ、Ｇ’＼以上の工程において両
デプス検知用マーカーα製（１９ａＸ１９ｂ）ｌ）は凹
部として読み取れるが、通常の絶縁膜としてＳｉ０，２
、 ＳｉＯＩ Ａ／＝２０３等を用いるとこれは透明
又は半透明であるため研摩粗さの程度によって読み取シ
にぐい場合があシ、この場合は上部磁性コアａＱをカバ
ーとして残しておけば読み取シがよシ精度良く行えるこ
とになる（第３図Ｆ１Ｇ’）、、ｊオ、デプス検知用マ
ーカー（ＩＣＰｉＬ（１９ａＸ１９ｂ）：］としては上
述の実施例においては二等辺三角形の凹部として形成し
であるが、これを絶対値が直読可能な、ディジタルマー
カーを絶縁膜に上述の実施例と同様にギャップエツチン
グエリヤの形成と同時にそのギャップエツチングエリヤ
の基準線に対応関係で形成する等、各種の形状に形成す
ることが可能である。
摩ラインａの近傍まで切削加工が行われたことが確認さ
れた段階で最終研摩工程に移行し、両デプス検知用マー
カー（１９ａ）、（１９ｂ）によ＃）最終研摩ラインａ
１で研摩したことを確認して切削研摩工程が終了し、所
定のデプス値のギャップα力を有する薄膜磁気ヘッドＱ
Ｏが得られる（第３図Ｇ、Ｇ’＼以上の工程において両
デプス検知用マーカーα製（１９ａＸ１９ｂ）ｌ）は凹
部として読み取れるが、通常の絶縁膜としてＳｉ０，２
、 ＳｉＯＩ Ａ／＝２０３等を用いるとこれは透明
又は半透明であるため研摩粗さの程度によって読み取シ
にぐい場合があシ、この場合は上部磁性コアａＱをカバ
ーとして残しておけば読み取シがよシ精度良く行えるこ
とになる（第３図Ｆ１Ｇ’）、、ｊオ、デプス検知用マ
ーカー（ＩＣＰｉＬ（１９ａＸ１９ｂ）：］としては上
述の実施例においては二等辺三角形の凹部として形成し
であるが、これを絶対値が直読可能な、ディジタルマー
カーを絶縁膜に上述の実施例と同様にギャップエツチン
グエリヤの形成と同時にそのギャップエツチングエリヤ
の基準線に対応関係で形成する等、各種の形状に形成す
ることが可能である。
また、導体パターン形成時に同時に形成するマーカーを
上述のデプス検知用マーカーＱｌ［（１９ａＸ１９ｂ）
］に近接して配置しておけば相互間のずれ量が把握でき
研摩時の重要なデータとなる。
上述のデプス検知用マーカーＱｌ［（１９ａＸ１９ｂ）
］に近接して配置しておけば相互間のずれ量が把握でき
研摩時の重要なデータとなる。
発明の効果
以上のように本発明によれば基板上に下部磁性コア膜及
び絶縁膜、導体膜を順次形成し、所定のギャップ長を得
るために絶縁膜のギャップ部をエツチングするＫＧし、
ギャップ部近傍に凹状のデプス検知用マーカーを絶縁膜
により形成してこのチフス検知用マーカへを用いてギャ
ップデプス研摩を行なうので絶縁膜のギャップ部のエツ
チングにおいてエツチングエリヤ／？ターンのマスク合
せが多少ずれても７′ブス検知用マーカーはエツチング
エリヤに関連して形成されて今啼ギャップデプス研摩に
おいてギャップデプス値を正確に管理把握できて、多ト
ラツクヘット９の場合においても各トラック間の磁気特
性にばらつきがほとんどなく、均一の磁気特性を有する
薄膜磁気ヘッドが得られる。
び絶縁膜、導体膜を順次形成し、所定のギャップ長を得
るために絶縁膜のギャップ部をエツチングするＫＧし、
ギャップ部近傍に凹状のデプス検知用マーカーを絶縁膜
により形成してこのチフス検知用マーカへを用いてギャ
ップデプス研摩を行なうので絶縁膜のギャップ部のエツ
チングにおいてエツチングエリヤ／？ターンのマスク合
せが多少ずれても７′ブス検知用マーカーはエツチング
エリヤに関連して形成されて今啼ギャップデプス研摩に
おいてギャップデプス値を正確に管理把握できて、多ト
ラツクヘット９の場合においても各トラック間の磁気特
性にばらつきがほとんどなく、均一の磁気特性を有する
薄膜磁気ヘッドが得られる。
また製造工程において基板のそシ、エツチングレジスト
の厚みむら等によるエッチングエリャノ母ターン寸法の
変化を微細に管理する必要がなく、量産時の作条効率が
向上すると共に特性上の歩留シも向上し、信頼性の高い
薄膜磁気ヘッドが得られる。
の厚みむら等によるエッチングエリャノ母ターン寸法の
変化を微細に管理する必要がなく、量産時の作条効率が
向上すると共に特性上の歩留シも向上し、信頼性の高い
薄膜磁気ヘッドが得られる。
第１図は、従来の薄膜磁気ヘッドの断面図、第２図は同
、磁気ヘッド素体の平面図、第３図は本発明による薄膜
磁気ヘッドの一例の製造工程図、第４図は同、工程によ
り製造された磁気ヘッド。 素体の一部省略した平面図である。 図中ａＱ輪薄膜磁気ヘッド、（Ｉｌ＋は基板、０２は下
部磁性コア膜、０１０時は非磁性絶縁膜、０→はコイル
導体膜、（１５’）はギャップ形成絶縁膜、（ｔ、ｔＪ
は上部磁性：＝ｙ７１１１［、αのはギャップ、０→は
ギャッグ部エッチングエリャ、ＱＩ［０９ａ）、（１ｃ
＋ｂ））はギャップデプス検知用マーカーである。 代理人 伊藤 貞１′ベデ 同 松 隈 秀 盛ごハ・、Ｊ’、ｌ’、、・ゝ、１ 第１図 ｐ Ｌ 第２図 第３図 第り・図
、磁気ヘッド素体の平面図、第３図は本発明による薄膜
磁気ヘッドの一例の製造工程図、第４図は同、工程によ
り製造された磁気ヘッド。 素体の一部省略した平面図である。 図中ａＱ輪薄膜磁気ヘッド、（Ｉｌ＋は基板、０２は下
部磁性コア膜、０１０時は非磁性絶縁膜、０→はコイル
導体膜、（１５’）はギャップ形成絶縁膜、（ｔ、ｔＪ
は上部磁性：＝ｙ７１１１［、αのはギャップ、０→は
ギャッグ部エッチングエリャ、ＱＩ［０９ａ）、（１ｃ
＋ｂ））はギャップデプス検知用マーカーである。 代理人 伊藤 貞１′ベデ 同 松 隈 秀 盛ごハ・、Ｊ’、ｌ’、、・ゝ、１ 第１図 ｐ Ｌ 第２図 第３図 第り・図
Claims (1)
- 基板上に下部磁性コア膜及び絶縁膜、導体膜を順次形成
し、所定のギャップ長を得るために前記絶縁膜のギャッ
プ部をエツチングするに際し、前記ギャップ部近傍に凹
状のデプス検知用マーカーを前記絶縁膜によシ形成し、
該デプス検知用マーカーを用いてギャップデグス研摩を
行なうことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3181084A JPS60177416A (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3181084A JPS60177416A (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60177416A true JPS60177416A (ja) | 1985-09-11 |
Family
ID=12341447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3181084A Pending JPS60177416A (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60177416A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63253514A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-20 | Canon Electronics Inc | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| US7610673B2 (en) | 2004-04-05 | 2009-11-03 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a vertical recording magnetic head |
-
1984
- 1984-02-22 JP JP3181084A patent/JPS60177416A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63253514A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-20 | Canon Electronics Inc | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| US7610673B2 (en) | 2004-04-05 | 2009-11-03 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a vertical recording magnetic head |
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