JPS63131313A - 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツド及びその製造方法Info
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- JPS63131313A JPS63131313A JP27816686A JP27816686A JPS63131313A JP S63131313 A JPS63131313 A JP S63131313A JP 27816686 A JP27816686 A JP 27816686A JP 27816686 A JP27816686 A JP 27816686A JP S63131313 A JPS63131313 A JP S63131313A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気記録装置用薄膜磁気ヘッドの構造及びその
製造方法に係り、特に高精度な磁気コア形状を有する薄
lIi磁気ヘッドに関する。
製造方法に係り、特に高精度な磁気コア形状を有する薄
lIi磁気ヘッドに関する。
第2図(b)は、従来の薄膜磁気ヘッドの磁気コア部の
側断面の一例を示したものである。基板21の上面には
下部磁性膜となるパーマロイ膜22が形成されており、
後から形成される上部磁性膜としてのパーマロイ膜23
と共に磁気回路を構成するようになっている。先端部2
4においては、アルミナ瞠を用いたギャップ材25を2
枚のパーマロイ膜22.23間に介在して磁気ギャップ
を形成し、このギャップを用いて記録媒体である例えば
磁気ディスクへの書き込み、また磁気ディスクからの読
み出しを行なう。媒体が磁気テープになっても原理は同
様である。パーマロイ膜22.23の間には導体コイル
26が磁気回路と交差するように設けてあり、この導体
コイルは。
側断面の一例を示したものである。基板21の上面には
下部磁性膜となるパーマロイ膜22が形成されており、
後から形成される上部磁性膜としてのパーマロイ膜23
と共に磁気回路を構成するようになっている。先端部2
4においては、アルミナ瞠を用いたギャップ材25を2
枚のパーマロイ膜22.23間に介在して磁気ギャップ
を形成し、このギャップを用いて記録媒体である例えば
磁気ディスクへの書き込み、また磁気ディスクからの読
み出しを行なう。媒体が磁気テープになっても原理は同
様である。パーマロイ膜22.23の間には導体コイル
26が磁気回路と交差するように設けてあり、この導体
コイルは。
パーマロイ膜22及び23と有機樹脂fl!27により
絶縁されている。この有機樹脂!!!27は、パーマロ
イ′B!J22.23の間の漏れ磁束を小さくするため
、約10μm以上の厚さを必要とする。
絶縁されている。この有機樹脂!!!27は、パーマロ
イ′B!J22.23の間の漏れ磁束を小さくするため
、約10μm以上の厚さを必要とする。
第2図(a)は、ヘッド先端部24の正断面を示したも
のである。従来のヘッドにおいては、例えば米国特許第
4219855号に示されているように、上部磁性It
!J23の幅(Wz)は下部磁性膜22の幅(Wl)よ
りも狭くなっていた。これは、上部磁性膜の幅が広いと
、第3図に示すように、上部磁性膜33の端部34が、
下部磁性膜32による段差をのり越えてたれ下がった状
態になりやすいため、この磁性膜端部34から出る磁束
の方向が記録媒体進行方向と平行でなくなってしまうこ
とから、有効に書き込みできなくなってしまうためであ
る。
のである。従来のヘッドにおいては、例えば米国特許第
4219855号に示されているように、上部磁性It
!J23の幅(Wz)は下部磁性膜22の幅(Wl)よ
りも狭くなっていた。これは、上部磁性膜の幅が広いと
、第3図に示すように、上部磁性膜33の端部34が、
下部磁性膜32による段差をのり越えてたれ下がった状
態になりやすいため、この磁性膜端部34から出る磁束
の方向が記録媒体進行方向と平行でなくなってしまうこ
とから、有効に書き込みできなくなってしまうためであ
る。
したがって、記録密度を決めるトラック幅の大きさは、
第2図(a)に示す上部磁性膜23の幅(Wz)によっ
て決められており、高記録密度化に対する要求が高まる
につれて、このWzの値の高精度制御が必要となってき
ていた。
第2図(a)に示す上部磁性膜23の幅(Wz)によっ
て決められており、高記録密度化に対する要求が高まる
につれて、このWzの値の高精度制御が必要となってき
ていた。
しかしながら、第2図(b)に示したように、上部磁性
膜23の先端部24は、約10μm以上の高さの段差下
部においてパターニングしなければならないため、約1
0μmの厚いホトレジストが必要だが、この様な厚いホ
トレジストの幅の高精度制御は困難であり、特に20μ
m以下の微細なトラック幅加工では寸法のばらつきが大
きいという問題点があった。
膜23の先端部24は、約10μm以上の高さの段差下
部においてパターニングしなければならないため、約1
0μmの厚いホトレジストが必要だが、この様な厚いホ
トレジストの幅の高精度制御は困難であり、特に20μ
m以下の微細なトラック幅加工では寸法のばらつきが大
きいという問題点があった。
本発明の目的は、上記問題点を克服し、高精度に加工し
たトラック幅を有する薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
を提供することにある。
たトラック幅を有する薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
を提供することにある。
本発明は、ホトレジスタを最も高精度にパターニングす
るための方法の一つは、ホトマスクとホトレジストが良
く密着している状態で露光を行なう方法である事、すな
わち表面ができるだけ平坦であり、かつ薄いホトレジス
トを用いれば、容易に高精度なパターニングができる事
に着目してなされたものである。
るための方法の一つは、ホトマスクとホトレジストが良
く密着している状態で露光を行なう方法である事、すな
わち表面ができるだけ平坦であり、かつ薄いホトレジス
トを用いれば、容易に高精度なパターニングができる事
に着目してなされたものである。
本発明は、また、下部磁性膜は平坦面上でパターニング
できる事に着目し、従来上部磁性膜の先端部の幅で決め
られていたトラック幅を、下部磁性膜の先端部の幅で決
める事によって、トラック幅の高精度制御を実現しよう
とするものである。
できる事に着目し、従来上部磁性膜の先端部の幅で決め
られていたトラック幅を、下部磁性膜の先端部の幅で決
める事によって、トラック幅の高精度制御を実現しよう
とするものである。
上述した本発明の目的は、下部磁性膜の先端部の幅を高
精度にパターニングしてトラック幅を決めた後、上部磁
性膜の先端部の幅を下部磁性膜の先端部の幅よりも広く
形成する事により達成される。
精度にパターニングしてトラック幅を決めた後、上部磁
性膜の先端部の幅を下部磁性膜の先端部の幅よりも広く
形成する事により達成される。
また実際に適用するにあたっては、従来技術の項で述べ
た上部磁性膜端部のたれ下がりを防ぐため、第1図(a
)に示したように、下部磁性膜12の両側に平坦化層1
6を設けた後、ギャップ材15及び上部磁性[13を形
成すれば好適となる。
た上部磁性膜端部のたれ下がりを防ぐため、第1図(a
)に示したように、下部磁性膜12の両側に平坦化層1
6を設けた後、ギャップ材15及び上部磁性[13を形
成すれば好適となる。
この平坦化層16の材料は、磁気ヘッドの特性に悪影響
を及ぼさない物質であれば特に限定しなくても良いが、
望ましくは、たとえばAutosやS i Ox等の比
較的安定な無機酸化物を用いることが考えられる。
を及ぼさない物質であれば特に限定しなくても良いが、
望ましくは、たとえばAutosやS i Ox等の比
較的安定な無機酸化物を用いることが考えられる。
また、これらの平坦化層材料の成膜方法としては、蒸着
法、スパッタリング法、CVD法等が利用できる。
法、スパッタリング法、CVD法等が利用できる。
第1図(a)に示した構造をとる事によって、ギャップ
材15の平面が平坦になるため、上部磁性1N!113
の端部のたれ下がりは無くなり、媒体に対して有効な書
き込みが行なえるようになる。また、下部磁性膜12の
先端部は平坦面上でパターニングできるため、容易に寸
法ばらつきの小さいパターンが得られる様になり、トラ
ック幅の高精度制御が可能となる。上部磁性膜13の先
端部は。
材15の平面が平坦になるため、上部磁性1N!113
の端部のたれ下がりは無くなり、媒体に対して有効な書
き込みが行なえるようになる。また、下部磁性膜12の
先端部は平坦面上でパターニングできるため、容易に寸
法ばらつきの小さいパターンが得られる様になり、トラ
ック幅の高精度制御が可能となる。上部磁性膜13の先
端部は。
下部に比ムて寸法精度を必要としなくなるため、絶縁膜
による段差の下部でもパターニングしやすくなる。
による段差の下部でもパターニングしやすくなる。
また、第1図(b)に示したように、ギャップ材15の
表面が平坦な範囲内で上部磁性膜13を形成すれば1、
第1図(a)に示した平坦化層16は、特に設ける必要
は無い。
表面が平坦な範囲内で上部磁性膜13を形成すれば1、
第1図(a)に示した平坦化層16は、特に設ける必要
は無い。
一方、磁性膜先端部の両側に第1図(a)に示したよう
な平坦化層16を形成する際に、同時に磁気コア全体の
周辺に平坦化層を形成しておく事によって、下部磁性膜
の段差が暖和され、絶縁層や導体コイルの形成が容易に
なるという別の効果も得られる。
な平坦化層16を形成する際に、同時に磁気コア全体の
周辺に平坦化層を形成しておく事によって、下部磁性膜
の段差が暖和され、絶縁層や導体コイルの形成が容易に
なるという別の効果も得られる。
以下、本発明の一実施例を第4図により説明する。第4
回は1本発明による薄膜磁気ヘッドの製造プロセスを模
式的に表わしたものである。
回は1本発明による薄膜磁気ヘッドの製造プロセスを模
式的に表わしたものである。
セラミック基板41上に、第4図(a)に示すように、
下部磁性膜・12となるパーマロイ膜をスパッタリング
法により形成する。その上に、第4図(b)に示すよう
に、ホトレジストパターン47を形成する。この時、ホ
トレジスト表面が平坦なため1寸法精度よくパターニン
グできる。次いで、イオンミリング法によりパーマロイ
膜をエツチングして、第4図(c)に示すように、下部
磁性膜パターン42を形成した。続いて、第4図(d)
に示すように、スパッタリング法によりAQzOa膜4
6を堆積した。この際、AQzOs膜46の膜厚6.下
部磁性[42の膜厚と同じになるようにする。次いで、
第4図(e)に示すように、ホトレジストを剥離し、同
時にホトレジスト上のAQx、Os膜をリフトオフ除去
して、平坦な表面を得る。そして、第4図(f)に示す
ように。
下部磁性膜・12となるパーマロイ膜をスパッタリング
法により形成する。その上に、第4図(b)に示すよう
に、ホトレジストパターン47を形成する。この時、ホ
トレジスト表面が平坦なため1寸法精度よくパターニン
グできる。次いで、イオンミリング法によりパーマロイ
膜をエツチングして、第4図(c)に示すように、下部
磁性膜パターン42を形成した。続いて、第4図(d)
に示すように、スパッタリング法によりAQzOa膜4
6を堆積した。この際、AQzOs膜46の膜厚6.下
部磁性[42の膜厚と同じになるようにする。次いで、
第4図(e)に示すように、ホトレジストを剥離し、同
時にホトレジスト上のAQx、Os膜をリフトオフ除去
して、平坦な表面を得る。そして、第4図(f)に示す
ように。
ギャップ材45としてのAQzOs膜及び上部磁性ll
I43としてのパーマロイパターンを形成する。
I43としてのパーマロイパターンを形成する。
直径76++aの基板に素子を形成した場合の、トラッ
ク幅の基板面内分布を第5図に示す。第5図(a)は従
来法、すなわち上部磁性膜を段差下部でパターニングし
てトラック幅を決めた場合の結果を表わしており、第5
図(b)は本発明の方法。
ク幅の基板面内分布を第5図に示す。第5図(a)は従
来法、すなわち上部磁性膜を段差下部でパターニングし
てトラック幅を決めた場合の結果を表わしており、第5
図(b)は本発明の方法。
すなわち下部磁性膜を平坦面上でパターニングしてトラ
ック幅を決めた場合の結果を表わしている。
ック幅を決めた場合の結果を表わしている。
この結果から判明できるように、本発明の方法により、
トラック幅のばらつきが低減でき1合わせてホトマスク
寸法に近いトラック幅を持つ磁気ヘッドが得られる。
トラック幅のばらつきが低減でき1合わせてホトマスク
寸法に近いトラック幅を持つ磁気ヘッドが得られる。
本発明によれば、寸法精度の良いホトレジストパターン
を用いてトラック幅加工ができるので、高精度な磁性膜
形状を持つ簿膜磁気ヘッドが実現できる。
を用いてトラック幅加工ができるので、高精度な磁性膜
形状を持つ簿膜磁気ヘッドが実現できる。
第1図は本発明の磁気ヘッドtIll造を表わす正断面
図、第2図は従来の磁気ヘッドの正断面図及び側断面図
、第3図は従来の磁気ヘッドの正断面図、第4図は本発
明の一実施例としてのプロセスを示す正断面図、第5図
は従来法と本発明の効果の相違を表わすヒストグラムで
ある。 11・・・基板、12・・・下部磁性膜、13・・上部
磁性膜、15・・・ギャップ材、16・・・平坦化層、
41、基板、42・・・下部磁性膜、43・・上部磁性
膜、45・・・ギャップ材、46・・・平坦化層。
図、第2図は従来の磁気ヘッドの正断面図及び側断面図
、第3図は従来の磁気ヘッドの正断面図、第4図は本発
明の一実施例としてのプロセスを示す正断面図、第5図
は従来法と本発明の効果の相違を表わすヒストグラムで
ある。 11・・・基板、12・・・下部磁性膜、13・・上部
磁性膜、15・・・ギャップ材、16・・・平坦化層、
41、基板、42・・・下部磁性膜、43・・上部磁性
膜、45・・・ギャップ材、46・・・平坦化層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板上に、少なくとも順次第1磁性膜、ギャップ材
膜、第2磁性膜が積層され、記録媒体と対向する端面に
あつて前記第1磁性膜と第2磁性膜とが前記ギャップ材
膜を介して重畳されて構成されている薄膜磁気ヘッドに
おいて、前記第1磁性膜の前記端面における層幅が前記
第2磁性膜のそれよりも大きく形成されていることを特
徴とする薄膜磁気ヘッド。 2、少なくとも記録媒体と対向する端面において、第1
磁性膜が形成されていない領域の前記基板上に前記第1
磁性膜の層厚とほぼ同じ層厚の層が形成され、この層と
前記第1磁性膜による平坦化部にギャップ材膜を介して
第2磁性膜が形成されている特許請求の範囲第1項記載
の薄膜磁気ヘッド。 3、基板上に、少なくとも、順次第1磁性膜、ギャップ
材膜、第2磁性膜が積層され、記録媒体と対向する端面
にあつて前記第1磁性膜と第2磁性膜とが前記ギャップ
材膜を介して重畳されて構成されている薄膜磁気ヘッド
において、第1磁性膜のパターン形成後にその形成領域
以外の領域における前記基板上に前記第1磁性膜の層厚
とほぼ同じ層厚の層を形成することにより、この層と前
記第1磁性膜による平坦化部を形成し、前記ギャップ材
膜形成後に、第2磁性膜を前記第1磁性膜の前記端面に
おける層幅より小さい層幅で形成することを特徴とする
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27816686A JPS63131313A (ja) | 1986-11-21 | 1986-11-21 | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27816686A JPS63131313A (ja) | 1986-11-21 | 1986-11-21 | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63131313A true JPS63131313A (ja) | 1988-06-03 |
Family
ID=17593507
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27816686A Pending JPS63131313A (ja) | 1986-11-21 | 1986-11-21 | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63131313A (ja) |
-
1986
- 1986-11-21 JP JP27816686A patent/JPS63131313A/ja active Pending
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