JPS6025015A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS6025015A JPS6025015A JP13275483A JP13275483A JPS6025015A JP S6025015 A JPS6025015 A JP S6025015A JP 13275483 A JP13275483 A JP 13275483A JP 13275483 A JP13275483 A JP 13275483A JP S6025015 A JPS6025015 A JP S6025015A
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- JP
- Japan
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- film
- interlayer insulating
- insulating film
- pattern
- magnetic
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドに係り、特にギャップ深さを高
精度に形成することができる薄膜磁気ヘッドの製造方法
に関する。
精度に形成することができる薄膜磁気ヘッドの製造方法
に関する。
第１図に薄膜磁気ヘッドの構造を示すが、薄膜磁気ヘッ
ド１０は磁性体あるいは非磁性体からなる基板１上に下
地保護膜２．磁性膜６．ギヤツブ膜４Ｊ層間絶縁膜５．
導体コイル６、層間絶１謙膜５．磁性膜７．保護膜８を
順次薄膜形成技術を用いて積層することにより形成され
る。このような薄膜磁気ヘッドにおいて、記録、再生の
特性を左右する要因としてギャップ深さ９０寸法精度が
ある。このギャップ深さ９は層間絶縁膜５のパターンニ
ング精度九より決まる。
ド１０は磁性体あるいは非磁性体からなる基板１上に下
地保護膜２．磁性膜６．ギヤツブ膜４Ｊ層間絶縁膜５．
導体コイル６、層間絶１謙膜５．磁性膜７．保護膜８を
順次薄膜形成技術を用いて積層することにより形成され
る。このような薄膜磁気ヘッドにおいて、記録、再生の
特性を左右する要因としてギャップ深さ９０寸法精度が
ある。このギャップ深さ９は層間絶縁膜５のパターンニ
ング精度九より決まる。
第２図を参照して従来の眉間絶縁膜の形成方法と、ギャ
ップ深さを規定する機械加工方法を説明する。層間絶縁
膜５はギャップ膜形成後、無機酸化膜の場合はスパッタ
リングあるいは蒸着により、有機膜の場合は塗布後熱硬
化することにより形成する。この上にフォトレジストを
形成し、所定のエッチャントを用いスパッタエツチング
、イオンビームエツチングあるいはウェットエツチング
を行うことにより、縦と横の寸法が夫々１００〜１００
０Ｐ展程度の島状のパターンにパターンニングする。こ
の上に導体コイルを形成した後、前記と同様にして層間
絶縁膜を形成する。さらに上部磁性膜、保護膜を形成し
た後ギャッ、プ深さ９を規定するためにヘッド先端部か
ら機械加工するわけであるが、作業性な高めるために、
複数のヘッド素子が含まれる基板の１０〜５０ｍｍ程度
の長さを１ブロツクとし、これを一括して加工すること
になる。このため各ヘッド素子の層間絶縁膜は±０．５
μｍの高精度にパターンニングする必要がある。
ップ深さを規定する機械加工方法を説明する。層間絶縁
膜５はギャップ膜形成後、無機酸化膜の場合はスパッタ
リングあるいは蒸着により、有機膜の場合は塗布後熱硬
化することにより形成する。この上にフォトレジストを
形成し、所定のエッチャントを用いスパッタエツチング
、イオンビームエツチングあるいはウェットエツチング
を行うことにより、縦と横の寸法が夫々１００〜１００
０Ｐ展程度の島状のパターンにパターンニングする。こ
の上に導体コイルを形成した後、前記と同様にして層間
絶縁膜を形成する。さらに上部磁性膜、保護膜を形成し
た後ギャッ、プ深さ９を規定するためにヘッド先端部か
ら機械加工するわけであるが、作業性な高めるために、
複数のヘッド素子が含まれる基板の１０〜５０ｍｍ程度
の長さを１ブロツクとし、これを一括して加工すること
になる。このため各ヘッド素子の層間絶縁膜は±０．５
μｍの高精度にパターンニングする必要がある。
一方層間絶縁膜としては、ＳムＯ，、Ａｌ、 Ｏ，、Ｔ
ａ２Ｏ。
ａ２Ｏ。
等の無機酸化膜や、フォトレジスト、ポリイミド等の有
機膜が一般に用いられているが、層間絶縁膜の特性とし
て、層間絶縁膜の上に磁性膜や保護膜を安定した条件で
形成するために、耐電圧、耐熱性に優れていることが要
求される。
機膜が一般に用いられているが、層間絶縁膜の特性とし
て、層間絶縁膜の上に磁性膜や保護膜を安定した条件で
形成するために、耐電圧、耐熱性に優れていることが要
求される。
前述の第２図で示された方法で、フォトレジストを用い
た場合は比較的高精度にパターンニングが可能であるが
、耐熱性が劣る。無機酸化膜やポリイミド樹脂を用いれ
ば耐熱性が良く、フォトレジストの場合の欠点を解消す
ることができるが、エツチングによるパターンニングの
際島状に配列した個々の眉間絶縁膜のエツチングの進行
にバラツキが生じ、層間絶縁膜のパターンの差び精度は
悪化し目標精度を得ることは出来ない。
た場合は比較的高精度にパターンニングが可能であるが
、耐熱性が劣る。無機酸化膜やポリイミド樹脂を用いれ
ば耐熱性が良く、フォトレジストの場合の欠点を解消す
ることができるが、エツチングによるパターンニングの
際島状に配列した個々の眉間絶縁膜のエツチングの進行
にバラツキが生じ、層間絶縁膜のパターンの差び精度は
悪化し目標精度を得ることは出来ない。
本発明の目的は、ギャップ深さを高精度に形成すること
ができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することであ
る。
ができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することであ
る。
本発明の％徴とするところは、磁性体と導体コイル間に
形成される層間絶エバ膜を複数のヘッド素子間に連続す
るパターンで形成した後、ノ（ターンニングすることに
ある。
形成される層間絶エバ膜を複数のヘッド素子間に連続す
るパターンで形成した後、ノ（ターンニングすることに
ある。
以下本発明の一実施例を第１図および第３図を参照して
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図を参照するに、磁性体あるいは非磁性体の基板１
上にスパッタリング、蒸着等の薄膜形成技術を用いて下
地保護膜２．磁性膜３．ギャップ膜４を形成する。次に
層間絶縁膜５を無機酸化膜の場合はスパッタリングある
いは蒸着により、有機膜の場合は塗布後熱硬化すること
により形成する。この上に７オトレジストな形成し、所
定のエッチャントを用いエツチングによりパターンニン
グするわけであるが、その形状は第３図に示すように、
複数のヘッド素子１０を覆う連続した直線パターン１２
として形成する。
上にスパッタリング、蒸着等の薄膜形成技術を用いて下
地保護膜２．磁性膜３．ギャップ膜４を形成する。次に
層間絶縁膜５を無機酸化膜の場合はスパッタリングある
いは蒸着により、有機膜の場合は塗布後熱硬化すること
により形成する。この上に７オトレジストな形成し、所
定のエッチャントを用いエツチングによりパターンニン
グするわけであるが、その形状は第３図に示すように、
複数のヘッド素子１０を覆う連続した直線パターン１２
として形成する。
エツチング法としてはスパッタエツチング、イオンビー
ムエツチングあるいはウェットエツチング等を用いる。
ムエツチングあるいはウェットエツチング等を用いる。
続いて第１図に示すように導体コイル６をスパッタリン
グあるいは蒸着およびエツチングにより形成し、導体コ
イル６の上に再度前述と同様の方法により層間絶縁膜５
を形成する。次にこの上に上部磁性膜７．保膜膜８をス
パッタリングあるいは蒸着およびエツチングにより形成
する。最後にヘッド先端部すなわち第１図の矢印方向か
ら機械加工により所定量だけ研磨することによりギャッ
プ深さ９が規定された薄膜磁気ヘッドが完成する。
グあるいは蒸着およびエツチングにより形成し、導体コ
イル６の上に再度前述と同様の方法により層間絶縁膜５
を形成する。次にこの上に上部磁性膜７．保膜膜８をス
パッタリングあるいは蒸着およびエツチングにより形成
する。最後にヘッド先端部すなわち第１図の矢印方向か
ら機械加工により所定量だけ研磨することによりギャッ
プ深さ９が規定された薄膜磁気ヘッドが完成する。
ここで層間絶縁膜５を１ブロック単位の各ヘッド、素子
１０に連続した直線パターン１２として形成しであるの
で、各ヘッド素子１００部分での個々のエツチングムラ
を無くすことができる。従って層間絶縁膜は平滑で高精
度なパターンとして形成されているから、ギャップ深さ
９は各ヘッド素子でバラツキがなく、特性の安定した薄
膜ヘッドを得ることができる。
１０に連続した直線パターン１２として形成しであるの
で、各ヘッド素子１００部分での個々のエツチングムラ
を無くすことができる。従って層間絶縁膜は平滑で高精
度なパターンとして形成されているから、ギャップ深さ
９は各ヘッド素子でバラツキがなく、特性の安定した薄
膜ヘッドを得ることができる。
なお各ヘッド素子１０に連続して形成された眉間絶縁膜
５が、その後の膜形成、あるいはヘッド特性上問題とな
る場合は、各ヘッド素子部の層間絶縁膜の並び位置（第
３図１１）をフォトレジストで保護した後、不要の層間
絶縁膜をエツチングで取り除くことにより、パターンの
並び精度を損うことなく各ヘッド素子毎にｉｏｏ〜１０
００μｍ幅を持つ眉間絶縁膜を形成することができる。
５が、その後の膜形成、あるいはヘッド特性上問題とな
る場合は、各ヘッド素子部の層間絶縁膜の並び位置（第
３図１１）をフォトレジストで保護した後、不要の層間
絶縁膜をエツチングで取り除くことにより、パターンの
並び精度を損うことなく各ヘッド素子毎にｉｏｏ〜１０
００μｍ幅を持つ眉間絶縁膜を形成することができる。
薄膜磁気ヘッドの層間絶縁膜を各素子間に渡って連続し
た直線パターンを用いてエツチングを行うことを特徴と
する本発明によれば層間絶縁膜パターンの並び精度は、
従来の島状にエツチングする場合の並び精度±１．３μ
ｎＬに対し±０．５μ扉に向上する。並び精ハ（の向上
によりヘッドのギャップ深さを規定する機械加工におい
て従来は同時加工が可能なヘッド数は５〜６ヘツドであ
ったが、これを約２倍のヘッド数で同時加工が可能とな
るため機械加工作業の合理化が図られると共にギャップ
深さの高精度化による歩留向上が可能となる。
た直線パターンを用いてエツチングを行うことを特徴と
する本発明によれば層間絶縁膜パターンの並び精度は、
従来の島状にエツチングする場合の並び精度±１．３μ
ｎＬに対し±０．５μ扉に向上する。並び精ハ（の向上
によりヘッドのギャップ深さを規定する機械加工におい
て従来は同時加工が可能なヘッド数は５〜６ヘツドであ
ったが、これを約２倍のヘッド数で同時加工が可能とな
るため機械加工作業の合理化が図られると共にギャップ
深さの高精度化による歩留向上が可能となる。
第１図は、薄膜ヘッドの磁気コア部の断面図、第２図は
、従来の層間絶縁膜のパターンの並びの配列を示す図、
第３図は、本発明の一実施例による眉間絶縁膜のパター
ンの並びの配列を示す図である。 １・・・基板 ２・・・下地保穫膜 ３・・・磁性膜 ４・・・ギャップ膜 ５・・・層間絶縁膜 ６・・・導体コイル７・・・磁性
膜 ８・・・保設膜
、従来の層間絶縁膜のパターンの並びの配列を示す図、
第３図は、本発明の一実施例による眉間絶縁膜のパター
ンの並びの配列を示す図である。 １・・・基板 ２・・・下地保穫膜 ３・・・磁性膜 ４・・・ギャップ膜 ５・・・層間絶縁膜 ６・・・導体コイル７・・・磁性
膜 ８・・・保設膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に磁性膜１層間絶Ｒ膜、導体コイル。 層間絶縁膜、磁性膜を複数素子分順次薄膜技術により積
層する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記層間絶
縁膜を複数の素子間に連続するパターンで形成した後、
パターンニングすることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13275483A JPS6025015A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13275483A JPS6025015A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6025015A true JPS6025015A (ja) | 1985-02-07 |
Family
ID=15088776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13275483A Pending JPS6025015A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6025015A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05135330A (ja) * | 1991-11-13 | 1993-06-01 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPH06325325A (ja) * | 1993-05-11 | 1994-11-25 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
-
1983
- 1983-07-22 JP JP13275483A patent/JPS6025015A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05135330A (ja) * | 1991-11-13 | 1993-06-01 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPH06325325A (ja) * | 1993-05-11 | 1994-11-25 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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