JPS61196415A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS61196415A JPS61196415A JP3636685A JP3636685A JPS61196415A JP S61196415 A JPS61196415 A JP S61196415A JP 3636685 A JP3636685 A JP 3636685A JP 3636685 A JP3636685 A JP 3636685A JP S61196415 A JPS61196415 A JP S61196415A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gap
- magnetic body
- film
- insulating layer
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は多層構造をもつ薄膜磁気ヘッドに係り、特に磁
気ヘッドの特性に大きな影響を与えるギャップ長の精度
を向上させた薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
気ヘッドの特性に大きな影響を与えるギャップ長の精度
を向上させた薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
従来の薄膜磁気ヘッドは、特開昭５５−８４０２０号公
報に代表されるように第２図に示す如く１同一平面内に
複数の導体コイルを形成して磁気回路を構成するもの、
もしくは、特開昭５７−５５５２０号公報に示されるよ
うに第３図に示す如く、下部磁性体パターンを巻回する
ように導体コイルを形成して構成するものとがある。第
２図は前述した同一平面上に複数の導体コイルを形成し
た薄膜磁気ヘッドの基本構成を示す断面図である。第２
図において、基板１上に下部磁性体パターン３を形成し
、その上にヘッドギャップ層６（例えばアルミナ、二酸
化シリコン）がパターン形成される。さらにギャップ形
成層６の上忙は、台形断面を有しその中央部同一平面内
に複数の導体フィルパターン４を埋設した絶縁層５を被
着形成される。次いで、上部磁性体７．さらｋその上に
、保護膜１０を形成させて磁気ヘッドとして使用してき
た。また第３図は前述した下部磁性体バターｙを巻回す
るように導体コイルを形成した薄膜磁気ヘッドの断面図
である。第３図において、基板１上に、複数の下部コイ
ルパターン４２を形成し、絶縁樹脂層５１゜無機絶縁層
８．タンタル層９を順次被着形成させる。次いでその上
に、下部磁性体３及び、ヘッドギャップを構成させるた
めのへラドギャップ層６を形成させる。次いで、台形断
面の中央部同一平面内に複数の上部コイルパターン４３
を埋設した有機絶縁層５２を被着形成したのち、有機絶
縁層５２を覆う無機絶縁層８２及び露出された無機絶縁
層６を覆う上部磁性体７と、無機絶縁層８１及びタンタ
ル層９１を順次被着形成させる。
報に代表されるように第２図に示す如く１同一平面内に
複数の導体コイルを形成して磁気回路を構成するもの、
もしくは、特開昭５７−５５５２０号公報に示されるよ
うに第３図に示す如く、下部磁性体パターンを巻回する
ように導体コイルを形成して構成するものとがある。第
２図は前述した同一平面上に複数の導体コイルを形成し
た薄膜磁気ヘッドの基本構成を示す断面図である。第２
図において、基板１上に下部磁性体パターン３を形成し
、その上にヘッドギャップ層６（例えばアルミナ、二酸
化シリコン）がパターン形成される。さらにギャップ形
成層６の上忙は、台形断面を有しその中央部同一平面内
に複数の導体フィルパターン４を埋設した絶縁層５を被
着形成される。次いで、上部磁性体７．さらｋその上に
、保護膜１０を形成させて磁気ヘッドとして使用してき
た。また第３図は前述した下部磁性体バターｙを巻回す
るように導体コイルを形成した薄膜磁気ヘッドの断面図
である。第３図において、基板１上に、複数の下部コイ
ルパターン４２を形成し、絶縁樹脂層５１゜無機絶縁層
８．タンタル層９を順次被着形成させる。次いでその上
に、下部磁性体３及び、ヘッドギャップを構成させるた
めのへラドギャップ層６を形成させる。次いで、台形断
面の中央部同一平面内に複数の上部コイルパターン４３
を埋設した有機絶縁層５２を被着形成したのち、有機絶
縁層５２を覆う無機絶縁層８２及び露出された無機絶縁
層６を覆う上部磁性体７と、無機絶縁層８１及びタンタ
ル層９１を順次被着形成させる。
さらに次いで、樹脂層５１と同質の絶縁樹脂層５３と保
護膜１０を被着せしめて、磁気ヘッドが完成される。
護膜１０を被着せしめて、磁気ヘッドが完成される。
しかし、前述したこれらの方法で構成された薄膜磁気ヘ
ッドの磁気ヘッド特性に大きな影響を与える要因の１つ
であるギャップ長の形成は。
ッドの磁気ヘッド特性に大きな影響を与える要因の１つ
であるギャップ長の形成は。
アルミナ（ｈｉｔ Ｏｓ ） ｒ二酸化シリコン（Ｓ
ｉＯｔ ）等をスパッタで形成した後、前記記述したよ
うに導体フィルパターンは絶縁層内に埋設させるように
形成されるが、この時、導体コイルをミリング等でパタ
ーニングする際、下部磁性体先端部のギャップ材が露出
しているため、同時にミリングされてギャップ材の膜減
りが起きていた。
ｉＯｔ ）等をスパッタで形成した後、前記記述したよ
うに導体フィルパターンは絶縁層内に埋設させるように
形成されるが、この時、導体コイルをミリング等でパタ
ーニングする際、下部磁性体先端部のギャップ材が露出
しているため、同時にミリングされてギャップ材の膜減
りが起きていた。
従ってこのように構成されたギャップ部の膜減り現象は
避けられず、また、たとえ前記した膜減り量を見込んで
あらかじめ厚くギャップ材を形成したとしても、膜減り
量のバラツキや膜形成時のバラツキによりギヤツブ長音
高精度に制御するには、ある限界があり、ヘッド特性の
バラツキ原因の１つとなっていた。
避けられず、また、たとえ前記した膜減り量を見込んで
あらかじめ厚くギャップ材を形成したとしても、膜減り
量のバラツキや膜形成時のバラツキによりギヤツブ長音
高精度に制御するには、ある限界があり、ヘッド特性の
バラツキ原因の１つとなっていた。
本発明の目的は、薄膜磁気ヘッドの形成プロセスを考慮
して、ギャップ長を高精度に制御し、磁気ヘッドの特性
のバラツキを少なくすることである。
して、ギャップ長を高精度に制御し、磁気ヘッドの特性
のバラツキを少なくすることである。
ギャップ形成後、ギャップの上に遂次堆積して薄膜ヘッ
ドに形成する各構成部分のパターニング時、薄膜ヘッド
のギャップ部に、イオンミリング等によるダメージを与
えない様な構成とする。即ち、上部磁性体のすぐ下の層
の無機絶縁膜を薄膜ヘッドのギャップとなる様構成すれ
ば、後工程でイオンミリング等を行なってもギャップ部
の上は、ヘッド構成材、例えば、上部磁性体が覆ってい
るため、ギャップ部のダメージはなく膜減りは生じない
。従って上記の様に構成することにより、従来例のよう
な膜形成後のバラツキとパターニング時の膜減り量のバ
ラツキでギャップが決まるのではなく、膜形成時のバラ
ツキのみとなるので高精度化が出来る。
ドに形成する各構成部分のパターニング時、薄膜ヘッド
のギャップ部に、イオンミリング等によるダメージを与
えない様な構成とする。即ち、上部磁性体のすぐ下の層
の無機絶縁膜を薄膜ヘッドのギャップとなる様構成すれ
ば、後工程でイオンミリング等を行なってもギャップ部
の上は、ヘッド構成材、例えば、上部磁性体が覆ってい
るため、ギャップ部のダメージはなく膜減りは生じない
。従って上記の様に構成することにより、従来例のよう
な膜形成後のバラツキとパターニング時の膜減り量のバ
ラツキでギャップが決まるのではなく、膜形成時のバラ
ツキのみとなるので高精度化が出来る。
以下、本発明の実施例を第１図により説明する。第１図
は本発明を実施した薄膜磁気ヘッドの断面図であり、そ
の構造を示す。まず、セラミック基板１上に下地膜とな
るアルミナ層２、更に、下部磁性体３（例えばパーマロ
イ）を順次形成する。次いで、台形断面の中央部同一平
面内に複数のコイルパターン４を埋設した有機絶縁層５
を被着形成する。次に、本発明の特徴トするヘッドギャ
ップを構成させるための無機材料６（例えばアルミナ）
を、下部磁性体３の先端上、及び絶縁層５上に形成する
。次いで、上部磁性体７、保護膜１０を順次形成したの
ち、磁気ギャップ深さ加工して磁気ヘッドを完成させる
。このように、上部磁性体の真下にギャップ材を設ける
構造にすれば、導体形成時には、ギャップ部が形成され
ていないため、導体のイオンミリング等のパターニング
によるギャップ部の膜減りは起きない。また、ギャップ
材を形成後の素子形成工程、例えば上部磁性体をイオン
ミリング等で、パターニングしても、ギャップ部は下部
磁性体で覆われているため、露出されることはなく、ミ
リングによるダメージはない。従って本構造によれば、
ギャップ部が露出されたまま素子形成時のイオンミリン
グ等による、ギャップ部の膜減りはなく、ヘッドギャッ
プ部は、膜形成時（例えばスパッタリング法）の膜厚精
度のみでギャップ長が決まるため、電気特性のバラツキ
の少ない高精度な薄膜磁気へラドの形成が可能になる。
は本発明を実施した薄膜磁気ヘッドの断面図であり、そ
の構造を示す。まず、セラミック基板１上に下地膜とな
るアルミナ層２、更に、下部磁性体３（例えばパーマロ
イ）を順次形成する。次いで、台形断面の中央部同一平
面内に複数のコイルパターン４を埋設した有機絶縁層５
を被着形成する。次に、本発明の特徴トするヘッドギャ
ップを構成させるための無機材料６（例えばアルミナ）
を、下部磁性体３の先端上、及び絶縁層５上に形成する
。次いで、上部磁性体７、保護膜１０を順次形成したの
ち、磁気ギャップ深さ加工して磁気ヘッドを完成させる
。このように、上部磁性体の真下にギャップ材を設ける
構造にすれば、導体形成時には、ギャップ部が形成され
ていないため、導体のイオンミリング等のパターニング
によるギャップ部の膜減りは起きない。また、ギャップ
材を形成後の素子形成工程、例えば上部磁性体をイオン
ミリング等で、パターニングしても、ギャップ部は下部
磁性体で覆われているため、露出されることはなく、ミ
リングによるダメージはない。従って本構造によれば、
ギャップ部が露出されたまま素子形成時のイオンミリン
グ等による、ギャップ部の膜減りはなく、ヘッドギャッ
プ部は、膜形成時（例えばスパッタリング法）の膜厚精
度のみでギャップ長が決まるため、電気特性のバラツキ
の少ない高精度な薄膜磁気へラドの形成が可能になる。
第４図は本発明の他の実施例を示す断面図である。セラ
ミック基板上１に、下地膜２、下部磁性体３を順次形成
後に、導体コイルを形成する下側に無機材料からなる絶
縁Ｎ８３（例えばアルミナ）を形成する。次いで、導体
コイルパターン４、さらに第１のギャップとして、無機
材料からなる絶縁層６１を下部磁性体３の先端上、及ヒ
導体コイルパターン４の上に形成する。次いで、その上
に有機絶縁層５を所定形状に形成し、径に、第１のギャ
ップとして形成された先端部のギャップ部を覆うように
第２のギャップとして、無機材料からなる絶縁層６２を
形成させて構成したものである。本実施例は、ギャップ
材形成を２回に分けて行なった薄膜磁気ヘッドであり、
第１図と同様な効果の他に、導体コイルパターンを埋設
した台形断面を有する絶縁層に一部無機材料を併用させ
て、有機絶縁層の膜体積を少な（し、素子形成工程時の
熱ストレスによる有機材料からの膨れの防止と、導体コ
イルを無機材料で完全に覆うことによって、有機材料か
らの吸湿による導体膜の腐食の防止を計る効果がある。
ミック基板上１に、下地膜２、下部磁性体３を順次形成
後に、導体コイルを形成する下側に無機材料からなる絶
縁Ｎ８３（例えばアルミナ）を形成する。次いで、導体
コイルパターン４、さらに第１のギャップとして、無機
材料からなる絶縁層６１を下部磁性体３の先端上、及ヒ
導体コイルパターン４の上に形成する。次いで、その上
に有機絶縁層５を所定形状に形成し、径に、第１のギャ
ップとして形成された先端部のギャップ部を覆うように
第２のギャップとして、無機材料からなる絶縁層６２を
形成させて構成したものである。本実施例は、ギャップ
材形成を２回に分けて行なった薄膜磁気ヘッドであり、
第１図と同様な効果の他に、導体コイルパターンを埋設
した台形断面を有する絶縁層に一部無機材料を併用させ
て、有機絶縁層の膜体積を少な（し、素子形成工程時の
熱ストレスによる有機材料からの膨れの防止と、導体コ
イルを無機材料で完全に覆うことによって、有機材料か
らの吸湿による導体膜の腐食の防止を計る効果がある。
薄膜磁気ヘッドの上部磁性体層の真下に形成する無機材
料をヘッドギャップとすることを特徴とする本発明によ
れば、ギャップ形成後の素子形成工程で、ギャップ膜減
りを起こす工程がないため、ヘッドギャップ長は膜形成
時の膜厚精度のみで得られ、かつ、高精度に制御するこ
とが可能なため磁気ヘッドの特性のバラツキを低減でき
る。
料をヘッドギャップとすることを特徴とする本発明によ
れば、ギャップ形成後の素子形成工程で、ギャップ膜減
りを起こす工程がないため、ヘッドギャップ長は膜形成
時の膜厚精度のみで得られ、かつ、高精度に制御するこ
とが可能なため磁気ヘッドの特性のバラツキを低減でき
る。
第１図は本発明の一実施例に係わる薄膜磁気ヘッドの断
面図、第２図、第５図は従来の薄膜磁気ヘッドの断面図
、第４図は本発明の他の実施例に係わる薄膜磁気ヘッド
の断面図である。 １・・・基板、 ５．５１．５２．５３・・
・有機絶縁層、８、８１．８２．８５・・・無機絶縁層
、９．９１・・・タンタル層、 ２・・・下地膜。 ３・・・下部磁性体、 ６．６１．６２・・・ギャ
ップ材、ａ、 ａｌ、 ４２．４３・・・導体フィル、
７・・・上部磁性体、 １０・・・保護膜。 第 １ 図
面図、第２図、第５図は従来の薄膜磁気ヘッドの断面図
、第４図は本発明の他の実施例に係わる薄膜磁気ヘッド
の断面図である。 １・・・基板、 ５．５１．５２．５３・・
・有機絶縁層、８、８１．８２．８５・・・無機絶縁層
、９．９１・・・タンタル層、 ２・・・下地膜。 ３・・・下部磁性体、 ６．６１．６２・・・ギャ
ップ材、ａ、 ａｌ、 ４２．４３・・・導体フィル、
７・・・上部磁性体、 １０・・・保護膜。 第 １ 図
Claims (1)
- １、薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、基板上に下部
磁性体を形成し、該下部磁性体上に当該下部磁性体の先
端部分を除いた部分に導体コイルおよび該導体コイルを
覆う絶縁層を形成し、すくなくとも前記下部磁性体上の
先端部分にギャップ層を形成し、該ギャップ層および前
記導体コイル上に上部磁性体を形成し、前記先端部分と
反対側の後部において下部磁性体と上部磁性体を磁気的
に結合してなることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3636685A JPS61196415A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3636685A JPS61196415A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61196415A true JPS61196415A (ja) | 1986-08-30 |
Family
ID=12467833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3636685A Pending JPS61196415A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61196415A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63293712A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
-
1985
- 1985-02-27 JP JP3636685A patent/JPS61196415A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63293712A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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