JPS6174124A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘツドの製造方法

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JPS6174124A
JPS6174124A JP19754384A JP19754384A JPS6174124A JP S6174124 A JPS6174124 A JP S6174124A JP 19754384 A JP19754384 A JP 19754384A JP 19754384 A JP19754384 A JP 19754384A JP S6174124 A JPS6174124 A JP S6174124A
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JP
Japan
Prior art keywords
thin film
insulating layer
resist film
resin insulating
layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP19754384A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Kakehi
筧 朗
Yoshio Takahashi
良夫 高橋
Hitoshi Takagi
均 高木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS6174124A publication Critical patent/JPS6174124A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3163Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気ディスク装置等に用いられる薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法に係り、特に薄膜磁気ヘッドの微細な薄膜
コイルを精度良く形成するために、その下地層となる樹
脂絶縁層を、平坦に形成し得る方法に関するものである
近来、磁気ディスク装置等に用いられてい・る磁気ヘッ
ドとしては、磁気ディスク記録媒体に対する高記録密度
化及び高速転送化が図られ、その形状も益々小型化され
ると共に、高精度化され、記録に寄与する磁極先端部で
のヘッド磁界分布が急峻で、高密度な記録を可能とする
小型な種々のタイプの薄膜磁気ヘッドが既に提案され、
実用化が進められている。
上記した薄膜磁気ヘッドは、第5図の平面図及び第5図
に示すA−A’ 切断線に沿った第6図の要部断面図に
示すように、例えば、A7203・TiC等からなる非
磁性基板l上に、Ni−Feパーマロイからなる下部磁
極層2が設けられ、該下部磁極層2上を含む基板1上の
所定領域に、5i02からなるギャップ層3を介してレ
ジスト膜等を所定パターンにパターニングし、熱硬化し
て形成された樹脂絶縁層4が配設されている。
又、該樹脂絶縁層4上には、銅(Cu)等からなる微細
な薄膜コイル5パターンが設けられ、この薄膜コイル5
を含む樹脂絶縁層4上に、該樹脂絶縁層4と同材質の樹
脂絶縁層6を介してNi−Feパーマロイからなる上部
磁極層7が配設されて、前記下部磁極層2と上部磁極層
7からなる磁極によりギャップ層3及び薄膜コイル5が
挟まれた形に構成されている。
このような薄膜磁気へ・ノドを製造するに際しては、微
細な薄膜コイル5を高精度にパターニング形成するため
に、その下地層となる前記樹脂絶縁層4の平坦化が極め
て重要となる。
従ってM膜コイルを形成すべき下地絶縁層、即ち前記樹
脂絶縁層4は比較的平坦化し易いレジスト剤等の樹脂材
を用いて形成しているが、熱硬化処理後の該絶縁層4表
面の中央部領域が凹んでしまうという現象があり、かか
る現象のない平坦面を有する樹脂絶縁層の形成方法が要
望されている。
〔従来の技術〕
従来、薄膜磁気ヘッドの製造において、薄膜コイル5を
形成すべき下地絶縁層となる樹脂絶縁層4を形成する方
法としては、第7図(alの平面図及び第7図(alに
示すA−A″切断線に沿った第7図(blの要部断面図
に示すように、例えばNi−Feパーマロイからなる下
部磁極層2及び5i02からなるギャップFI3が順に
所定パターンに積層形成されたAl2O3・TiC等か
らなる基板1上にレジス日臭を塗布する。
次に該レジスト膜をフォトリソグラフィ工程により所定
パターンにパターニングし、更に該レジスト膜の略中央
部分に下部磁極層2上に達する上部磁極層との接続穴1
2を設ける。
しかる後、該レジスト膜パターンを熱処理して硬化させ
、前記基板1上の所定領域に、図示のように樹脂絶縁層
4を形成している。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし上記の如き従来の樹脂絶縁層4の形成方法にあっ
ては、熱硬化処理を施して形成された樹脂絶縁層4表面
の中央部領域が、部分的な硬化速度の違いから第7図の
矢印Cで示すように凹部状に凹んだ状態になるという問
題がある。
従ってこのような表面状態の樹脂絶縁層4上に、薄膜コ
イル形成用のレジスト膜を設けた際に、レジスト膜の厚
さが不均一になり、該レジスト膜を所定パターンにパタ
ーニングする際の適正露光条件が部分的に異なることに
なり、その結果、微細な薄膜コイルパターンを精度良く
形成することが困難となる欠点があった。
〔問題点を解決するための手段〕
従って上記問題点は、下部磁極層が形成された基板上の
所定領域に、ギヤツブ層を介してレジスト膜パターンを
形成し、熱硬化を行って樹脂絶縁層を形成した後、該樹
脂絶縁層上に薄膜コイルを形成する薄膜磁気ヘッドの製
造方法において、上記樹脂絶縁層上に薄膜コイルを形成
するに先立って、熱硬化処理により凹部状となった該樹
脂絶縁層表面の中央部分に、膜厚補正用のレジスト膜パ
ターンを選択的に形成し、該レジスト膜パターンを熱硬
化して、平坦な薄膜コイル形成面を有する樹脂絶縁層を
形成するようにした本発明による薄膜磁気ヘッドの製造
方法によって解決される。
〔作用〕 即ち、薄膜コイルを形成すべき下地層となる樹脂絶縁層
を形成した後、該樹脂絶縁層上に更にレジスト膜を被着
し、該レジスト膜をその樹脂絶縁層表面の中央部凹部状
領域に対応するパターンにパターニングして膜厚補正用
のレジスト膜パターンを選択的に形成し、そのレジスト
膜パターン(ネガ形レジスト膜により形成されている場
合)を熱硬化することにより、前記樹脂絶縁層表面の中
央部凹部状領域が膜厚補正用のレジスト膜パターンによ
り補正され、平坦な薄膜コイル形成面を有する樹脂絶縁
層を得ることが可能となる。
又、前記膜厚補正用のレジスト膜パターンがポジ形レジ
スト膜により形成されている場合には、該レジスト膜パ
ターンを充分に露光した後、熱硬化することにより、同
様に前記樹脂絶縁層表面の中央部凹部状領域が平坦に補
正されて、平坦な薄膜コイル形成面を有する樹脂絶縁層
を得ることが可能となる。
従ってこのようにして形成された樹脂絶縁層上に、微細
な薄膜コイルを精度良くパターン形成することができる
〔実施例〕
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
第1図(al、 ff1)乃至第4図(a)、 (b)
は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施例を
工程順に示す図であり、各図(alは平面図、又各図(
b)は各図(a)に示すA−A’切断線に沿った要部断
面図である。
まず第1図(Jl)、 (b)に示すように、従来と同
様の工程により、例えばNi−Feパーマロイからなる
下部磁極層2及び5i02からなるギャップ層3が、順
に所定パターンに積層形成されたAl2O3・TiC等
からなる非磁性基板I上に、ポジ形レジスト剤を用いて
スピンコード法等によりレジスト膜を形成する。
次に該レジスト膜をフォトリソグラフィ工程により所定
パターンにバターニングし、更に該レジスト膜の略中央
部分に下部磁極層2上に達する上部磁極層との接続穴1
2も同時に設ける。
引続き、上記レジスト膜パターンを熱処理して硬化させ
、前記基板1上の所定領域に、図示のように樹脂絶縁層
4を形成する。
このようにして形成された樹脂絶縁層40表面は図中、
矢印Cで示すように中央部領域が凹部状に凹むが、本発
明では第2図(a)、 (b)に示すように前記樹脂絶
縁層4上に、更にポジ形のレジスト剤を用い、スピンコ
ード法等によりレジスト膜31ヲ塗布する。
しかる後第3図(al、 (b)に示すように該レジス
ト膜31を、フォトリソグラフィ工程により、その直下
の樹脂絶縁N4表面の中央部凹部状領域に対応するパタ
ーンにバターニングして、膜厚補正用のレジスト膜パタ
ーン32を選択的に形成する。
次に前記膜厚補正用レジスト膜パターン32を露光処理
により充分に感光させた後、引続き熱処理を行う。
かくすれば、前記膜厚補正用レジスト膜パターン32は
露光処理を行わなかった場合に比べて熱処理時に軟化流
動しやすくなり、樹脂絶縁層4表面の中央部凹部状領域
に充満され、かつ硬化されて第4図(al、 (blに
示すように前記樹脂絶縁層4表面を容易に平坦化するこ
とが可能となる。
尚、以上の実施例では単層コイル構造の薄膜磁気ヘッド
における、薄膜コイルを形成すべき下地層となる樹脂絶
縁層の形成方法について説明したが、本発明はこれに限
定されるものではなく、例えば多層コイル構造のff1
lil磁気ヘツドにおける薄膜コイルを形成すべき下地
層となる樹脂絶縁層の形成や、コイル層間樹脂絶縁層の
形成にも適用可能なことは云うまでもない。
又、本実施例においては、膜厚補正用のレジスト膜パタ
ーンをポジ形レジスト膜によって形成した場合の例につ
いて説明したが、ネガ形レジスト膜によって形成するよ
うにしても良く、熱硬化を行う際に露光処理する必要は
ない。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように、本発明に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法によれば、下部磁極層上に設けた樹脂
絶縁層の薄膜コイル形成面を容易に平坦化することが出
来る優れた利点を有する。
従ってかかる樹脂絶縁層上に微細な薄膜コイルパターン
を高精度に形成することが可能となる等、この種の単層
構造の薄膜コイル、或いは2層構造の薄膜コイル等を有
する薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用して極めて有利で
ある。
又、その他の平坦面を必要とする樹脂絶縁層の形成に通
用して優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図(al、 (bl乃至第4図(al、 (b)は
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施例を工
程順に示す図であり、各図(alは平面図、又各図(b
lは各図ta+に示すA−A’切断線に沿った要部断面
図、第5図は薄膜磁気ヘッドの構造を説明するための平
面図、 第6図は第5図に示すA−A’切断線に沿った要部断面
図、 第7図(a)、 (b)は従来の薄膜磁気ヘッドの製造
方法を説明するための図であり、図fatは平面図、又
図中)は図(a)に示すA−A’切断線に沿った要部断
面図である。 図中、■は非磁性基板、2は下部磁極層、3はギャップ
層、4は樹脂絶縁層、12は接続穴、31はレジスト膜
、32は膜厚補正用レジスト膜パターン層をそれぞれ示
す。 第1図(Ql 第2図((1) 第3図(Ql 第4図FQ+ 第5図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)下部磁極層が形成された基板上の所定領域に、ギ
    ャップ層を介してレジスト膜パターンを形成し、熱硬化
    を行って樹脂絶縁層を形成した後、該樹脂絶縁層上に薄
    膜コイルを形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において
    、上記樹脂絶縁層上に薄膜コイルを形成するに先立って
    、熱硬化処理により凹部状となった該樹脂絶縁層表面の
    中央部に、膜厚補正用のレジスト膜パターンを形成し、
    該レジスト膜パターンを熱硬化して、平坦な薄膜コイル
    形成面を有する樹脂絶縁層を形成することを特徴とする
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  2. (2)上記膜厚補正用のレジスト膜パターンが、ネガ形
    レジスト膜により形成されて成ることを特徴とする特許
    請求の範囲第(1)項に記載した薄膜磁気ヘッドの製造
    方法。
  3. (3)上記膜厚補正用のレジスト膜パターンが、ポジ形
    レジスト膜により形成され、該レジスト膜パターンを熱
    硬化するに先立って露光を施すことを特徴とする特許請
    求の範囲第(1)項に記載した薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
JP19754384A 1984-09-19 1984-09-19 薄膜磁気ヘツドの製造方法 Pending JPS6174124A (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5574065A (en) * 1978-11-20 1980-06-04 Inst Gas Technology Anode for fuel battery
JPS57185678A (en) * 1981-04-27 1982-11-15 Energy Res Corp High temperature fuel battery assembly

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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