JPS5817521A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS5817521A JPS5817521A JP11298081A JP11298081A JPS5817521A JP S5817521 A JPS5817521 A JP S5817521A JP 11298081 A JP11298081 A JP 11298081A JP 11298081 A JP11298081 A JP 11298081A JP S5817521 A JPS5817521 A JP S5817521A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- insulating layer
- magnetic
- nonmagnetic insulating
- lower magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気特性を向上させるとともに製造時の歩留
シを改善する薄膜磁気ヘッドを提供しようとするもので
ある。
シを改善する薄膜磁気ヘッドを提供しようとするもので
ある。
第１図および第２図をもちいて従来例を説明する。従来
、薄膜磁気ヘッドで巻線型ヘッドをつくる場合、基板１
上に非磁性絶縁層２を形成した後下部磁性層３が形成さ
れる。この下部磁性層３の形状と厚みによシ、必然的に
段差が形成される。
、薄膜磁気ヘッドで巻線型ヘッドをつくる場合、基板１
上に非磁性絶縁層２を形成した後下部磁性層３が形成さ
れる。この下部磁性層３の形状と厚みによシ、必然的に
段差が形成される。
通常、下部磁性層３の厚みは磁気的飽和を避けるためヨ
ーク部において３〜５μｍという厚みを有する。このよ
うな高段差がその後につづくプロセスにおいて問題を生
じる。即ち、その後、下部磁性層３上にはギャップ材と
々るＳ ｔ ０２等の非磁性絶縁層４が形成されたのち
、非磁性絶縁層５が形成されるが下部磁性層３で形成さ
れた段差を吸収することが極めてむずかしかった。従っ
てその上部に形成される導体層のコイル部６は比較的微
細パターンであるため、−母ターン形成が難しく、プロ
セスの歩留りを著しく低下させる要因となっていた。
ーク部において３〜５μｍという厚みを有する。このよ
うな高段差がその後につづくプロセスにおいて問題を生
じる。即ち、その後、下部磁性層３上にはギャップ材と
々るＳ ｔ ０２等の非磁性絶縁層４が形成されたのち
、非磁性絶縁層５が形成されるが下部磁性層３で形成さ
れた段差を吸収することが極めてむずかしかった。従っ
てその上部に形成される導体層のコイル部６は比較的微
細パターンであるため、−母ターン形成が難しく、プロ
セスの歩留りを著しく低下させる要因となっていた。
さらに又、その後側の非磁性絶縁層７を積層した後、上
部磁性層８を形成するが、前記高段差構造のため、上部
磁性層８のマスク合せ時のズレが若干でも発生すると、
その端部近傍において、上部磁性層８は折れ曲シ部をも
っことになシ、磁気特性として良好なものが得られにく
いという欠点があった。
部磁性層８を形成するが、前記高段差構造のため、上部
磁性層８のマスク合せ時のズレが若干でも発生すると、
その端部近傍において、上部磁性層８は折れ曲シ部をも
っことになシ、磁気特性として良好なものが得られにく
いという欠点があった。
する。
Ａｔ２０．−ＴｉＣなどの非磁性基板９上に必要に応じ
て８１０２等の非磁性絶縁層１ｏが形成される。ワいて
下部磁性層１１が形成される。ついでイヤッゾ材となる
５ｉｎ２等の非磁性絶縁層１２が形成される。
て８１０２等の非磁性絶縁層１ｏが形成される。ワいて
下部磁性層１１が形成される。ついでイヤッゾ材となる
５ｉｎ２等の非磁性絶縁層１２が形成される。
ついで第５図に示すように、下部磁性層１１に隣接する
所定の領域１３に第１の非磁性絶縁層１４が、下部磁性
層１１の厚みと略同程度の厚みで形成される０この第１
の非磁性絶縁層１４としてホトレジストのような有機材
料を用いると端部が極めて滑らかに形成される。この場
合ホトレジストは以降の熱履歴に耐えるようにするため
比較的高温でポストベークされる。この際ホトレジスト
は一般に、体積収縮をおこし、厚みが減少する〇（この
減少率をαとする。）従ってデストペーク前の状態での
ホトレジストの厚み１１（μｍ）は０．１μｍ以内の平
坦化を実現するためには次式を満足する必要がある。
所定の領域１３に第１の非磁性絶縁層１４が、下部磁性
層１１の厚みと略同程度の厚みで形成される０この第１
の非磁性絶縁層１４としてホトレジストのような有機材
料を用いると端部が極めて滑らかに形成される。この場
合ホトレジストは以降の熱履歴に耐えるようにするため
比較的高温でポストベークされる。この際ホトレジスト
は一般に、体積収縮をおこし、厚みが減少する〇（この
減少率をαとする。）従ってデストペーク前の状態での
ホトレジストの厚み１１（μｍ）は０．１μｍ以内の平
坦化を実現するためには次式を満足する必要がある。
Ｉαｔ、−ｔ２１≦０．１
ここでｔ２は、下部磁性層１１の厚′みである。（単位
はｔｗ’ ） 今、ｔ２が４μｍの場合を考えると α＝０８の時、４．９（μｍ）≦ｔ、≦５．１（μｍ）
であることが必要となる。これはホトレジストの粘性お
よび、スピン塗布時の回転数を調整することにょシ精度
よく実現出来る。
はｔｗ’ ） 今、ｔ２が４μｍの場合を考えると α＝０８の時、４．９（μｍ）≦ｔ、≦５．１（μｍ）
であることが必要となる。これはホトレジストの粘性お
よび、スピン塗布時の回転数を調整することにょシ精度
よく実現出来る。
このようにした後、第２の非磁性絶縁層１５が所定の領
域１３および下部磁性層１１上に形成される。この面は
極めて平坦であシ、この第２の非磁性絶縁層１５上にコ
イル部となる導体層１６が形成されるが極めて良好なパ
ターン形成が可能となる。ついで導体層１６上に第３の
非磁性絶縁層１７、上部磁性層１８ 、５ｉｎ２等の保
護層１９が積層され所定のギャップ深さになるよう機械
加工が施され、磁気ヘッドとなる。
域１３および下部磁性層１１上に形成される。この面は
極めて平坦であシ、この第２の非磁性絶縁層１５上にコ
イル部となる導体層１６が形成されるが極めて良好なパ
ターン形成が可能となる。ついで導体層１６上に第３の
非磁性絶縁層１７、上部磁性層１８ 、５ｉｎ２等の保
護層１９が積層され所定のギャップ深さになるよう機械
加工が施され、磁気ヘッドとなる。
尚上記説明においては第１の非磁性絶縁層１４としてホ
トレジストのような有機材料を用いる例を示したが、す
７トオフ法などのプロセスを用いれば５ｉ０２等の無機
材料をもちいることは可能である。但し、現状の技術に
おいてはそのような無機材料をもちいた方法ではその端
部があまり滑らかにならず又、下部磁性層１１の端部近
傍で微少な凹部が残存する。
トレジストのような有機材料を用いる例を示したが、す
７トオフ法などのプロセスを用いれば５ｉ０２等の無機
材料をもちいることは可能である。但し、現状の技術に
おいてはそのような無機材料をもちいた方法ではその端
部があまり滑らかにならず又、下部磁性層１１の端部近
傍で微少な凹部が残存する。
さらに又、第２．第３の非磁性絶縁層１５゜１７として
はホトレジスト等の有機材料、あるいは８ｉ０２等の無
機材料が選択されうるが、ここでも上述したと同様、ホ
トレジスト等の有機材料の方がその端部が滑らかに仕上
る好ましい特徴を有し、且つ第３の非磁性絶縁層１７と
して用いることによっては、導体層１６で生じる凹凸を
も吸収する特徴を有する。
はホトレジスト等の有機材料、あるいは８ｉ０２等の無
機材料が選択されうるが、ここでも上述したと同様、ホ
トレジスト等の有機材料の方がその端部が滑らかに仕上
る好ましい特徴を有し、且つ第３の非磁性絶縁層１７と
して用いることによっては、導体層１６で生じる凹凸を
も吸収する特徴を有する。
以上のように本発明によれば、
■コイル部となる導体層を極めて平坦な面上に形成でき
るため、微細−ぐターン形成も容易になシ且つ製造時の
歩留シを向上させる効果がある〇 ■上部磁性層も必然的に段差部となるギャップ部近傍を
除いて、平坦な面上に形成することが出来るため透磁率
の低下が少なく良好な磁気特性を維持する効果がある。
るため、微細−ぐターン形成も容易になシ且つ製造時の
歩留シを向上させる効果がある〇 ■上部磁性層も必然的に段差部となるギャップ部近傍を
除いて、平坦な面上に形成することが出来るため透磁率
の低下が少なく良好な磁気特性を維持する効果がある。
第１図は従来例を示す平面図、第２図は第１図における
Ａ −Ａ’断面図、第３図は本発明構成に・おける平面
図、第４図は第３図のＡ−Ａ’断面図、第５図は本発明
構成におけるプロセス途中の状態を示す平面図であ、る
◇ 第６図）を第３図のＢ −Ｂ’断面図１゛アル。 ９・・・非磁性基板、１０・・・非磁性絶縁層、１１゜
１８・・・磁性層、１２，１４，１５．１７・・・非磁
性絶縁層、１６・・・導体層。 第１図 第２Ｍ 一 第４図 Ｑ
Ａ −Ａ’断面図、第３図は本発明構成に・おける平面
図、第４図は第３図のＡ−Ａ’断面図、第５図は本発明
構成におけるプロセス途中の状態を示す平面図であ、る
◇ 第６図）を第３図のＢ −Ｂ’断面図１゛アル。 ９・・・非磁性基板、１０・・・非磁性絶縁層、１１゜
１８・・・磁性層、１２，１４，１５．１７・・・非磁
性絶縁層、１６・・・導体層。 第１図 第２Ｍ 一 第４図 Ｑ
Claims (2)
- （１）非磁性基板上に下部磁性層、複数層の非磁性絶縁
層、コイル部となる導体層を積層後、上部磁性層、保護
層を形成してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、下部磁性層
に隣接する所定の領域において、下部磁性層上略同等の
厚みを有する第１の非磁性絶縁層が形成され、ついで、
該下部磁性層上および該第１の非磁性絶縁層上に第２の
非磁性絶縁層が形成され、該第２の非磁性絶縁層にコイ
ル部となる導体層が積層された事を特徴とする薄膜磁気
ヘッド。 - （２） 前記第１．第２の非磁性絶縁層がホトレジス
トである事を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載
の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11298081A JPS5817521A (ja) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11298081A JPS5817521A (ja) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5817521A true JPS5817521A (ja) | 1983-02-01 |
Family
ID=14600380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11298081A Pending JPS5817521A (ja) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5817521A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6111914A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-01-20 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPH01146110A (ja) * | 1987-12-02 | 1989-06-08 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| JPH04103008A (ja) * | 1990-08-23 | 1992-04-06 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘッド |
| US6757133B1 (en) | 1999-01-13 | 2004-06-29 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin Film magnetic head |
-
1981
- 1981-07-21 JP JP11298081A patent/JPS5817521A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6111914A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-01-20 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPH01146110A (ja) * | 1987-12-02 | 1989-06-08 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| JPH04103008A (ja) * | 1990-08-23 | 1992-04-06 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘッド |
| US6757133B1 (en) | 1999-01-13 | 2004-06-29 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin Film magnetic head |
| US6941643B2 (en) | 1999-01-13 | 2005-09-13 | Alps Electric Co., Ltd. | Method of producing a thin film magnetic head |
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