JPH02236811A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気ディスク装置等に用いられる薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法に関する。

〔発明の概要〕

本発明は、薄膜からなる磁気ヘッド部を有する薄膜磁気
ヘッドの製造方法において、上記磁気ヘッド部に隣接す
る第１、第２の抵抗体パターンを形成し、その後の研摩
加工の際、上記第１の抵抗体パターンの抵抗値と、上記
磁気ヘッド部のギャップデプス研摩と同時に研摩されて
変化する上記第２の抵抗体パターンの抵抗値の比を比較
して、上記磁気ヘッド部の規定のギャップデプスを検出
することにより、上記磁気ヘッド部の規定のギャップデ
プスを高精度に形成できるようにし、もって薄膜磁気ヘ
ッドの信頼性を図るようにしたものである。

〔従来の技術〕

一般に、磁気ギャップを有するインダクティブ型の薄膜
磁気ヘッドにおいては、磁気ギャップデプスの精度が記
録・再生特性に大きく影響する。

このため、薄膜磁気ヘッドの製造時における磁気ギャッ
プデブスの形成を高精度に、かつ容易に実現できる製造
方法が必要とされる。

従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、第３図に示すよう
に、スライダとなるセラミック、ガラス等の基板（２ｌ
》上に薄膜加工技術を用いて、例えば同図Ａに示すよう
に、下部磁性層（２２）、ギャップ層（２３）、層間絶
縁層（２４）、該層間絶′縁層（２４）で挟まれた導体
コイル（２５）及び上部磁性層（２６）、更に絶縁保護
層（２７）を順に積層して薄膜磁気ヘッドを構成する磁
気ヘッド部（２８）を形成する。このとき、その同一基
板《２１》上に上記下部及び上部磁性層《２２》及び（
２６）の先端に揃えて図示の如く磁気ギヤップデプスＷ
を検出するための抵抗体パターン（２９）も同時に形成
しておく。この抵抗体パターン《２９》は、略逆Ｕ字状
の形状を有し、抵抗体部（３０）を基準にその両側から
引出し端子（３１ａ），　（３ｌｂ）　が延出して形成
されている。

そして、記録媒体《図示せず》と対向する磁気ヘッド部
（２８）の磁気ギャップ端面を上記基板（２１）の端面
（３２）と共に研摩加工して規定のギャップデブスＷに
するわけであるが、このとき、上記抵抗体パターン（２
９）も同時に研摩され、その抵抗体パターン《２９》の
抵抗値Ｒが増加する。この様子を研摩加工中において観
測し、第４図の特性図に示すように、予め規定のギャッ
プデプスＷと相関関係がとられている所定の抵抗値Ｒに
なった時に、上記研摩加工を終了させて、規定のキャッ
プデプスＷを得るようにしている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、従来の製造方法においては、規定のギヤ
ップデプスＷの検出に関する精度上、抵抗体パターン《
２９》の抵抗率及び膜厚等が大きく影響し、磁気ヘッド
部（２８）及び抵抗体パターン（２９）の形成時に生じ
るばらつき、即ち、１つの基板（２ｌ）内又は複数の基
板（２ｌ》間における抵抗体パターン《２９》の抵抗率
や膜厚のばらつき等によって、１つの基板（２１）内又
は複数の基板《２１》間における抵抗体パターン（２９
）の同一研摩加工深さでの抵抗値Ｒに誤差が生じ、その
結果、規定のギャップデブスＷを精度良く形成できず、
薄膜磁気ヘッドの信頼性が低下するという不都合があっ
た。

従来の方法で磁気ヘッド部（２８）のギャップデプスを
規定の深さＷに研摩加工するためには、抵抗率が全て同
一の抵抗体パターン（２９》を用意する必要があると共
に、基板（２１）上の抵抗体パターン（２９》を形成す
る際、その膜厚を一つの基板（２ｌ）内のみならず複数
の基板《２ｌ》間において全て同一にしなければならず
、製造上、非常に困難となり、薄膜磁気ヘッドの量産に
向かないという不都合があった。

本発明は、このような点に鑑み成されたもので、その目
的とするところは、抵抗体パターンに関する抵抗率及び
膜厚のばらつき等に影響されずに、規定のギヤ“ツブデ
プスを高精度に形成し得、薄膜磁気ヘッドの高信頼性を
図ることができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する
ことにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の製造方法は、薄膜からなる磁気ヘッド部（１）
を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法に右いて、磁気ヘッ
ド部（１）に隣接する第１１第２の抵抗体ノくクーン（
２ａ）及び（２ｂ》を形成し、その後の研摩加工の際、
第１の抵抗体パターン（２ａ》の抵抗値Ｒ，と、磁気ヘ
ッド部（１）のギャップデプス研摩と同時に研摩されて
変化する第２の抵抗体パターン（２ｂ》の抵抗値Ｒ２の
比Ｒ，／Ｒ２を比較して、上記磁気ヘッド部（１）の規
定のギャップデプスＷを検出する。

〔作用〕

上述の本発明の製造方法によれば、第１の抵抗体パター
ン《２ａ》の抵抗値Ｒ１　と、磁気ヘッド部（１）のギ
ャップデプス研摩と同時に研摩されて変化する第２の抵
抗体パターン《２ｂ》の抵抗値Ｒ２の比Ｒ，／Ｒ．によ
り、ギャップデプスＷを検出するので、抵抗体パターン
（２ａ）及び《２ｂ）に関する抵抗率や膜厚等のばらつ
き等に影響されずに、高精度にかつ容易に規定のギャッ
プデブスＷを検出することができる。従って、規定のギ
ャップデプスＷを高精度に形成することができ、その結
果、薄膜磁気ヘッドの高信頼性化を図ることができると
共にその量産化をも実現させることができる。

〔実施例〕

以下、第１図〜第３図を参照しながら本発明の実施例を
説明する。

第１図Ａは、本実施例に係る薄膜磁気ヘッドを構成する
磁気ヘッド部（１）を示す断面図であり、同図Ｂは、磁
気ヘッド部（１）と該磁気ヘッド部（１）の磁気ギャッ
プデプスを検出するための媒体である抵抗体パターン（
２）を示す平面図である。尚、（３）はスライダとなる
セラミック、ガラス等からなる基板である。

そして、この基板（３）上に薄膜加工技術を用いて、従
来と同様に、下部磁性層（４）、ギャップ層（５）、層
間絶縁層（６）、該層間絶縁層〔６〕で挟まれた導体コ
イル（７）及び上部磁性層（８）、更に絶縁保護層（９
）を順に積層して複数の磁気ヘッド部（Ｉａ），　＜ｌ
ｂ）　　を形成する。その後、再び薄膜加工技術を用い
て、基板（３）上に、上記磁気ヘッド部（１）に隣接（
図示の例では、磁気ヘッド部（１ｂ）の左側に隣接）さ
せて抵抗体パターン（２）を形成する。本実施例では、
２つの磁気ヘッド部（Ｉａ）．　（ｌｂ）　　に対して
１つの検出用抵抗体パターン（２）が形成され、これら
が基板（３）上において複数組、例えば２０組形成され
る。尚、上記磁気ヘッド部（１）のデブス零のラインを
作成するマスクと、抵抗体パターン（２）を作成するた
めのマスクは別々であり、特に、抵抗体パターン（２〕
の形成の際のマスク合せは、マーカー（図示せず》によ
り位置合せがなされる。このとき、抵抗体パターン（２
）は、磁気ヘッド部（１）のデブス零の位置に対して充
分な精度で位置決めされる。

上記抵抗体パターン（２〕は、第１の抵抗体パターン（
２ａ）と第２の抵抗体パターン（２ｂ）により一体に形
成されてなる。第１の抵抗体パターン（２ａ）は、抵抗
体本体（即ち、抵抗センサ部）　（１０ａ）と引出し部
（ｌｌａ）．　（ｌｌｃ）　　と端子（１２ａ）．　（
１２ｃ）　　から成り、第２の抵抗体パターン（２ｂ）
は、抵抗体本体（即ち、抵抗センサ部）（１０ｂ）と引
出し部（ｌｌｂ），　（ＩＩｃ）　　（！：　Ｑ”ａ子
（１２ｂ）．　（１２ｃ）　から成る。引出し部（ＩＩ
Ｃ＞　及び端子（１２Ｃ）　　は、第１及び第２の抵抗
体パターン（２ａ）及び（２ｂ）の共通の引出し部及び
端子として用いられる。また、引出し部（Ｉｌａ）及び
（ｌｌｂ）　　には、各抵抗体本体（１０ａ）．　｛１
０ｂ）　　との境界線ｍの近傍においてそれぞれ三角状
の切欠き（１３ａ）．　（１３ｂ）が設けられ、共通の
引出し部（ＩＩＣ）　　にも境界線ｍ近傍において三角
状の切欠き（１３ｃ）が２つの設けられている。また、
第１の抵抗体パターン（２ａ）の抵抗体本体（１０ａ）
　の幅Ｗ，が、第２の抵抗体パターン（２ｂ）の抵抗体
本体（１０ｂ）　の幅Ｗ２よりも小に形成されて（Ｗ＋
＜Ｗ２）、境界線ｍを基準として抵抗体本体（１０ｂ）
　　の端面（１４ｂ）　が、抵抗体本体（１０ａ）　　
の端面（１４ａ）　　よりも基板（３）の一端面（１５
）側に突出したかたちに成される。また、各抵抗体本体
（１０ａ），（１０ｂ）　の横方向長さは、それぞれ！
−，Ｉ！ｔ　に設定されてある。そして、上述の磁気ヘ
ッド部（１）のデブス零との位置関係は、第１の抵抗体
パターン（２ａ）の抵抗体本体（１０ａ）　　の幅Ｗ１
　方向中央と該デプス零とがほぼ一致するように、基準
線ｎ上に位置決めされている。尚、この実施例での具体
的寸法は、抵抗体本体（１０ａ）　　の幅Ｗ１　が２μ
ｍ１抵抗体本体（１０ｂ）　　の幅Ｗ２　が１６μので
あり、即ちデブス零の位置（基準線ｎ）から抵抗体本体
（１０ａ）　の端面（１４ａ）　までの距離が１μｍ１
抵抗体本体（１０ｂ）の端面（１４ｂ）　　までの距離
が１５μｍに設定されている。

ここで、各抵抗体パターン（２ａ），　（２ｂ）　　の
各抵抗体（１０ａ）．　（１０ｂ）　　の抵抗値Ｒｌ．
Ｒ２　は次式で表わされる。

ｌ． 尚、ρは各抵抗体パターン（２ａ）．　（２ｂ）　　を
形成する材料の抵抗率、ｔは膜厚である。

そして、所望のギャップデプスを有する薄膜磁気ヘッド
を形成する場合、上記磁気ヘッド部（１）の磁気ギャッ
プ端面を基板（３）の一端面（１５）と共に研摩するこ
とにより行なわれる。この研摩の過程において、第２の
抵抗体パターン（２ｂ）の抵抗体本体（ｆｏｂ）　　も
同時に研摩され、その幅ｗ２が短くなり、第２の抵抗体
パターン（２ｂ）の抵抗体本体（１０ｂ）　　の抵抗値
Ｒ２　は、上式（２）からもわかるように徐々に増加す
る。第１の抵抗体パターン（２ａ）は、その抵抗体本体
（１０ａ）が研摩されないため、その幅Ｗ＋は変化せず
上記（１）式からわかるようにその抵抗値Ｒ１　　も変
化しない。

しかして本実施例では、上記研摩加工を行なう際、各抵
抗体パターン（２ａ）．　（２ｂ）　の各抵抗値Ｒ　Ｉ
ｎＲ２の比Ｒ．／Ｒ２　をモニタしながら、磁気ヘッド
部（１）に対して規定のギヤップデプスＷを得るように
する。抵抗値Ｒｌ，Ｒ２の比Ｒ，／Ｒ．は、上記（ｌ）
，（２）式から容易に導かれる。

Ｒ　２１　ｚ　Ｗ　ｌ ここで、規定のギヤップデプスＷを考えると、（３）式
は となる。ａはデプス零の位置（基準線ｎ》から境界線ｍ
までの距離である（図示の例では、ａ＝Ｗ，／２である
）。

上記（４）式において、ｌ．，ｌ２，Ｗ．及びａは既知
の値であるため、所望とする規定のギヤップデプスＷの
値を定めれば目標とする抵抗値の比Ｒｌ／Ｒ２が算出さ
れる。そして、このように予め求めておいた目標とする
抵抗値の比Ｒｌ／Ｒ２　となる時点まで研摩加工を行な
って終了することにより、磁気ヘッド部（１）に対し、
規定のギヤップデプスＷを高精度に形成することができ
る。

次に、各抵抗体本体（１０ａ）　及び（１０ｂ）　のそ
れぞれの長さ！，及びＩｌ２の相関関係による各抵抗体
（１０ａ）及び（１０ｂ）の抵抗値Ｒ１　及びＲａ　（
Ｄ変化を第２図の特性図に基づいて説明する。

第２図Ａに示す特性図は、各抵抗体本体（１０ａ）及び
（１０ｂ）のそれぞれの長さｌ，及び！，が同一寸法の
場合を示すものである（ｐ．＝Ｌ）。曲線！は、上記研
摩加工時での第１の抵抗体パターン《２ａ）の抵抗体本
体（１０ａ）　　における抵抗値Ｒ１　の変化を示し、
曲線■は、第２の抵抗体パターン（２ｂ）の抵抗体本体
（１０ｂ）　　における抵抗値Ｒ，の変化を示す。この
とき、上述したように、抵抗体本体（１０ｂ）　の端面
（１４ｂ）　から研摩されていくわけであるが、その研
摩により抵抗体本体（１０ｂ）　の抵抗値Ｒ，が徐々に
増加していく。第１の抵抗体パターン（２ａ》の抵抗体
本体（１０ａ）　　における抵抗値Ｒ＋　は、抵抗体本
体（１０ａ）への研摩が開始されるまで一定である。そ
して、該抵抗体本体（１０ａ）　　に対して研摩が始ま
ると、第１及び第２の抵抗体パターン《２ａ》及び《２
ｂ》の各抵抗体本体（１０ａ）及び（１０ｂ）が共に研
摩されることになり、それぞれの抵抗体本体（１０ａ）
及び（１０ｂ）　の抵抗値Ｒ，及びＲ２の変化は一致す
る（この領域では、曲線Ｉと■とが一致する）。

上記研摩加工に先立って、例えば規定のギャップデプス
Ｗが第１の抵抗体パターン（２ａ）の端面（１４＆＞か
ら第２の抵抗体パターン（２ｂ）の端面（１４ｂ）まで
の間に存するとき、即ち本実施゛例の寸法で記せば１μ
ｍ＜Ｗ＜１５μｍ′であった場合、区間Ｉの曲線Ｉ及び
■を用いて、規定のギヤップデプスＷでの抵抗値Ｒｌ　
及びＲ，の比Ｒ＋／Ｒｔを割出したのち、上記の絣摩を
行ない、その研摩の過程において、抵抗値の比が割出し
た比Ｒ＋／Ｒａ　となったとき、研摩を゛止めるように
する。

次に、規定のギャップデプスＷが１μｍ，即ち第１の抵
抗体パターン《２ａ》の端面（１４ａ）　　と一致する
場合は、曲線Ｉと■とが交わった点、即ち点Ａにおける
抵抗値ＲＩＡ．Ｒ．Ａの比《この場合、抵抗値ＲＩＡｅ
　　ＲａＡはどちらもＲ．となり、比は１となる》に基
いて研摩を行なう。

第２図Ｂに示す特性図は、各抵抗体本体（１０ａ）及び
（１０ｂ）　の長さｌ＋＞Ｉｍの場合を示すものである
。曲線■は、抵抗体本体（１０ａ）の抵抗値Ｒ，の変化
を示し、曲線■が抵抗体本体（１０ｂ）　の抵抗値Ｒ２
の変化を示す。この場合は、規定のギヤップデプスＷが
抵抗体本体（１０ａ）　の端面（１４ａ）　から抵抗体
本体（１０ｂ）　の端面（１４ｔｌ）　　までの間にあ
るとき《ｌμｍ＜Ｗ＜１５μｍ》のみ使用でき、曲線■
と■を用いて規定のギャップデブスＷでの抵抗値Ｒｔ，
Ｒ２の比Ｒ＋／Ｒ２を割出し、その抵抗値の比Ｒｒ／Ｒ
２　に基いて研摩を行なう。

第２図Ｃに示す特性図は、各抵抗体本体（１０ａ）及び
（１０ｔｌ）　の長さｌ．及び１２の関係がＩｌ，＜β
，の場合を示すものである。曲線Ｖは、抵抗体本体（１
０ａ）　　の抵抗値（Ｒ１）の変化を示し、曲線■は、
抵抗体本体（１０ｂ）　　の抵抗値Ｒ２　の変化を示す
。まず、規定のギャップデプスＷが抵抗″体本体（１０
ａ）の端面（１４ａ）カら抵抗体本体（１０ｂ）　　ノ
ｔ’ａ面（１４ｂ）までの間にあるときく１μｍ＜Ｗ＜
１５μｍ）、区間■における曲線Ｖ及び■を用いて規定
のギヤップデプスＷでの抵抗値Ｒｌ，Ｒ２の比Ｒｌ／Ｒ
２を割出して、その抵抗値の比Ｒｌ／Ｒ２　に基いて研
摩を行なう。特に、規定のギャップデプスＷが点Ｂ（曲
線Ｖと■とが交わる点）に対応する長さである場合は、
抵抗値の比＝１に基いて研摩を行なう。また、規定のギ
ヤップデプスＷが抵抗体本体（１０ａ）　　の端面（１
４ａ）　　と一致する場合であれば、ポイント（一点鎖
線で示す）Ｐでの抵抗値Ｒ｝Ｐ＋　　Ｒ２Ｆの比に基い
て研摩を行なう。

上述の如く本例によれば、第１の抵抗体パターン（２ａ
）の抵抗体本体（１０ａ）　の抵抗値Ｒ１　　と、磁気
ヘッド部（１）のギャップデプス研摩と同時に研摩され
て変化する第２の抵抗体パターン（２ｂ）の抵抗体本体
（１０ｂ）　の抵抗値Ｒ２　の比Ｒｌ／Ｒ２　により、
規定のギャップデプスＷを検出するので、上式（３）及
び（４）からもわかるように、上記比Ｒ’，／Ｒ．は抵
抗体パターン（２）に関する抵抗率ρや膜厚ｔに関与し
ないため、抵抗率ρや膜厚ｔにばらつき等が生じても、
そのばらつきに影響されることなく高精度に規定のギャ
ップデブスＷを検出することができる。また、研摩加工
の際、予め規定のギヤップデプスＷにおける各抵抗体本
体（１０ａ）及び（１０ｂ）　　の抵抗値Ｒ　ｒ，−　
Ｒ　２　の比Ｒｌ／Ｒ２を割出し、その比Ｒ＋／Ｒ２を
目標に研摩すればよいため、容易に規定のギャップデブ
スＷを形成することができる。

また、抵抗体パターン（２）を基板（３）上に形成する
際、第１の抵抗体パターン（２ａ）の抵抗体本体（１０
ａ）の幅Ｗ１　方向ほぼ中央を磁気ヘッド部（１）のデ
プス零に位置合せして形成するようにしたので、抵抗体
パターン（２）の形成上の誤差、例えばマスク合せ後に
行なわれるエッチングによって形状誤差が生じても、次
工程である規定のギャップデプスＷの形成のための研摩
加工に関する寸法誤差を軽減させることができる。原理
的には、境界線ｍをデブス零の基準線ｎに合わせて抵抗
体パターン（２）の形成を可とするも、上記の如き誤差
を考慮したときには、本実施例のように形成するとよい
。

従って、本例の製造方法により薄膜磁気ヘッドを形成す
れば、規定のギヤップデプスＷが高精度に形成された高
信頼性のある薄膜磁気ヘッドを得ることができると共に
、該薄膜磁気ヘッドの量産化をも図ることができる。

〔発明の効果〕

本発明に係る製造方法は、薄膜からなる磁気ヘッド部を
有する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、上記磁気ヘ
ッド部に隣接する第１１第２の抵抗体パターンを形成し
、その後の研摩加工の際、上記第１の抵抗体パターンの
抵抗値と、上記磁気ヘッド部のギャップデプス研摩と同
時に研摩されて変化する第２の抵抗体パターンの抵抗値
の比を比較して、上記磁気ヘッド部の規定のギャップデ
プスを検出並びに形成するようにしたので、上記磁気ヘ
ッド部の規定のギャップデブスを製造誤差等に影響され
ることな《、高精度かつ容易に検出並びに形成でき、薄
膜磁気ヘッドの高信頼性を図ることができると共に、そ
の量産化をも図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本実施例に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を示
す説明図であり、同図Ａは磁気ヘッド部の断面図、同図
Ｂは要部平面図である。第２図Ａ，Ｂ及びＣは抵抗体パ
ターンの長さ関係がそれぞれ１ｒ＝１ｚ，１＋＞Ｉｌ２
　及びｌ，＜１２，のときの抵抗値の変化を示す特性図
、第３図は従来例を示す説明図であり、同図Ａは磁気ヘ
ッド部の断面図、同図Ｂは要部平面図である。第４図は
従来例による抵抗値の変化を示す特性図である。 （１）は磁気ヘッド部、（２）は抵抗体パターン、（２
ａ）は第１の抵抗体パターン、（２ｂ）は第２の抵抗体
パターン、（３）は基板、（４）は下部磁性層、（５）
はギャップ層、（６）は層間絶縁層、（７）は導体コイ
ル、（８）は上部磁性層、（９）ハ絶縁保護層、（１０
ａ）．　（１０ｂ）　　は抵抗体本体、（ｌｌａ）．　
（１゜ｌｂ）．　（ｌｌｃ）　　は引出し部、（１２ａ
），（１２ｂ），（１２ｃ） は端子、 （１３ａ）．　（１３ｂ）．　（１３ｃ）は切欠 き、 （１４ａ）．（１４ｂ） は端面である。 代 理 人 松 隈 秀 盛 従来制１：ｔ３低ｒ？Ｌ値の喪化をホＴ特柱口第４図 （ｗ　・ｉプデプス（７ｍ） Ａ イヤップヂブス Ｂ （μｍ》 Ｃ ＊＊４ｔｎｌｉ　イビ．ｔｔ，−（　｝Ｖ＋ｚＢ第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　薄膜からなる磁気ヘッド部を有する薄膜磁気ヘッドの
   製造方法において、 上記磁気ヘッド部に隣接する第１、第２の抵抗体パター
   ンを形成し、上記第１の抵抗体パターンの抵抗値と、上
   記磁気ヘッド部のギャップデプス研摩と同時に研摩され
   て変化する上記第２の抵抗体パターンの抵抗値の比を比
   較することにより、上記磁気ヘッド部のギャップデプス
   を検出することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法
   。