JPS61182618A - 薄膜磁気ヘツドのギヤツプ深さ検出法 - Google Patents

薄膜磁気ヘツドのギヤツプ深さ検出法

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Publication number
JPS61182618A
JPS61182618A JP2093785A JP2093785A JPS61182618A JP S61182618 A JPS61182618 A JP S61182618A JP 2093785 A JP2093785 A JP 2093785A JP 2093785 A JP2093785 A JP 2093785A JP S61182618 A JPS61182618 A JP S61182618A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gap depth
thin film
resistor
resistance
magnetic head
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2093785A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigetomo Sawada
沢田 茂友
Yoshio Koshikawa
越川 誉生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2093785A priority Critical patent/JPS61182618A/ja
Publication of JPS61182618A publication Critical patent/JPS61182618A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3163Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
    • G11B5/3166Testing or indicating in relation thereto, e.g. before the fabrication is completed

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気ディスク装置の薄膜磁気ヘッドに関し、特
にその製造時におけるギャップ深さ検出方法に関するも
のである。
薄膜磁気ヘッドは、第2図の断面図に示す如く、セラミ
ック、ガラス等の基板1の上に薄膜技術により軟磁性体
のコア2,2′および導体のコイル3を形成したのち端
面Aを研磨したものである。
このような薄膜磁気ヘッドにおいて、コア2,2のギャ
ップ5の深さWはその特性に影響することが大きい。こ
のため薄膜磁気ヘッドの製造時にはギャップ深さWの高
精度の加工が要求される。
〔従来の技術〕
従来の薄膜磁気ヘッドの製造時のギャップ深さ検出法は
第3図の如く、薄膜磁気ヘッド6と同時に基板1の加工
面近(に抵抗体7を設けておき、この抵抗体7が基板1
の加工につれてその電気抵抗値が増加して行くのを観測
し、所定の抵抗値になったとき所定のギャップ深さにな
ったものとしていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記のギャップ深さ検出方法においては、抵抗体7の膜
厚が基板間でバラツキやすいためギヤップ深さの検出値
に誤差を生じ、高精度なギャップ深さ形成加工を行なう
ことができないという問題があった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、上記問題点を解消した薄膜磁気ヘッドのギャ
ップ深さ検出法を提供するもので、その手段は、基板上
に薄膜磁気ヘッドを形成し、ギャップ部端面を基板と共
に研磨して所定のギャップ深さとする薄膜磁気ヘッドの
製造方法において、基板上にギャップ深さ検出用の抵抗
体とダミー用の抵抗体とを同時に形成しておき、加工の
進行に伴って変化するギャップ深さ検出用抵抗体の抵抗
値をダミー用抵抗体の抵抗値と比較してギャップ深さを
検出することを特徴とする薄膜磁気ヘッドのギャップ深
さ検出法によってなされる。
〔作 用〕
上記薄膜磁気ヘッドのギャップ深さ検出法は、基板上に
ギャップ深さ検出用抵抗体とダミー用抵抗体とを形成し
ておき、ギヤツブ部端面研磨時に、加工の進行に伴って
変化するギャップ深さ検出用抵抗体の抵抗値をダミー用
抵抗体の抵抗値と比較することにより、抵抗体の膜厚に
関係なくギャップ深さを検出することができる。
〔実施例〕
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
第1図は本発明の一実施例を説明するための図である。
図において、基板10上に薄膜磁気ヘッド11が多数並
んだチップ12の片側の面Bがギャップ深さの加工開始
面であり、破線で示す′4IAAが加工終了線である。
ギャップ深さ検出用の抵抗体15はこの加工終了線Aの
上に配置され、その近傍で且つ加工の影響を受けないと
ころにダミー用抵抗体16が配置され、両抵抗体15 
、16は同時にスパッタリング或いは蒸着により形成さ
れる。ギャップ部端面の加工時には、ギャップ深さ検出
用の抵抗体15は加工の進行に伴って徐々に削り取られ
、その抵抗値が増大して行く。
ここでダミー用抵抗体16の抵抗値をRdとすると、こ
れは膜厚t1に反比例するから抵抗体のパターン形状に
依存する定数をαとしてRd=α/1+ とおける。
一方ギャップ深さ検出用の抵抗体15においてギヤ・7
プ深さが正確に得られた時の抵抗値Ra、膜厚をt2と
すると、やはりβを定数としてRa=β/12 とおける。ところで同一基板内の、しかも近接して設け
られた両抵抗体15 、16間においては膜厚が同一と
みなせるので ti=t2 となる。従って、ギャップ深さ検出用抵抗体15の目標
値Raは膜厚tに依存せず Ra=β/αRd と求まる。
而して、定数α、βは抵抗体のパターン形状により決定
されるのでRaを正確に定めるには抵抗体のパターンを
高精度に形成する必要があるが、現在のりソグラフィ技
術によれば問題ない。
本実施例によればダミー用抵抗体16を設けて参照する
ことにより膜厚変化の影響を受けることなく検出用抵抗
15の正確な目標値Raを定めることができる。
なお第1図のようにチップ12の両側にそれぞれギャッ
プ深さ検出用抵抗体15 、15 ’およびダミー抵抗
体16 、16 ’を設けておけばギャップ検出用抵抗
体15 、15 ”の抵抗値から加工面の傾を知ること
ができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、基板上にギャップ
深さ検出用抵抗体とダミー用抵抗体とを形成しておき、
ギャップ端面研磨時に、加工の進行に伴って変化するギ
ャップ深さ検出用抵抗体の抵抗値をダミー用抵抗体の抵
抗値と比較することにより、抵抗体膜厚に関係なくギャ
ップ深さを検出することができ、高記録密度の薄膜磁気
ヘッドを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の薄膜磁気ヘッドのギャップ深さ検出法
を説明するための図、第2図は従来の薄膜磁気ヘッドを
示す断面図、第3図は従来のギャップ深さ検出法を説明
するための図である。 図中、10は基板、11は薄膜磁気ヘッド、12はチッ
プ、Bはギャップ深さの加工面、Aは加工終了線、15
 、15 ′はギャップ深さ検出用抵抗体、16 、1
6 ’はダミー用抵抗体をそれぞれ示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、基板上に薄膜磁気ヘッドを形成し、そのギャップ部
    端面を基板と共に研磨して所定のギャップ深さとする薄
    膜磁気ヘッドの製造方法において、基板上にギャップ深
    さ検出用の抵抗体とダミー用の抵抗体とを同時に形成し
    ておき、加工の進行に伴って変化するギャップ深さ検出
    用抵抗体の抵抗値をダミー用抵抗体の抵抗値と比較して
    ギャップ深さを検出することを特徴とする薄膜磁気ヘッ
    ドのギャップ深さ検出法。
JP2093785A 1985-02-07 1985-02-07 薄膜磁気ヘツドのギヤツプ深さ検出法 Pending JPS61182618A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0357203A2 (en) * 1988-08-31 1990-03-07 Quantum Corporation Electrical guide for tight tolerance machining
JPH02236811A (ja) * 1989-03-09 1990-09-19 Sony Corp 薄膜磁気ヘッドの製造方法
US5175938A (en) * 1988-08-31 1993-01-05 Digital Equipment Corporation Electrical guide for tight tolerance machining
US5913550A (en) * 1995-11-09 1999-06-22 Fujitsu Limited Method for fabricating magnetic head

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