JPS6124007A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS6124007A JPS6124007A JP14352284A JP14352284A JPS6124007A JP S6124007 A JPS6124007 A JP S6124007A JP 14352284 A JP14352284 A JP 14352284A JP 14352284 A JP14352284 A JP 14352284A JP S6124007 A JPS6124007 A JP S6124007A
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- Japan
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- thin film
- magnetic
- magnetic head
- film
- protective insulating
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気記録媒体中に磁化信号を効率良く記録、再
生する薄膜磁気ヘッドに関するものである。
生する薄膜磁気ヘッドに関するものである。
従来例の構成とその問題点
薄膜磁気ヘッドは半導体の製法である薄膜形成技術や写
真侵刻技術を駆使し高精度な磁気ヘッドを実現したもの
である。従来、磁気ヘッドはフェライト、センダスト等
の磁性材料を研削加工、ラッピング等の機械加工によっ
て製作していたが、高精度化、量産性に限界があシ近年
は薄膜磁気ヘッドに感心が集まっておシ一部量産もはじ
まっている。
真侵刻技術を駆使し高精度な磁気ヘッドを実現したもの
である。従来、磁気ヘッドはフェライト、センダスト等
の磁性材料を研削加工、ラッピング等の機械加工によっ
て製作していたが、高精度化、量産性に限界があシ近年
は薄膜磁気ヘッドに感心が集まっておシ一部量産もはじ
まっている。
薄膜磁気ヘッドは、薄膜形成技術、写真侵刻技術を用い
て加工するため磁気ヘッドの小型化、高精度化が容易で
あシ、さらに磁芯が薄膜で形成されるため、（１）高周
波での透磁率の劣化が少ない。
て加工するため磁気ヘッドの小型化、高精度化が容易で
あシ、さらに磁芯が薄膜で形成されるため、（１）高周
波での透磁率の劣化が少ない。
（２）記録に寄与するヘッド磁界が急峻であシ高分解能
な記録ができる、（３）マルチトラックにした場合隣接
トラックとの対向面積が非常に少ないので各ヘッド間の
クロストークがほとんど問題にならないなどの特徴があ
る。
な記録ができる、（３）マルチトラックにした場合隣接
トラックとの対向面積が非常に少ないので各ヘッド間の
クロストークがほとんど問題にならないなどの特徴があ
る。
以下に従来の薄膜磁気ヘッドの構成について第１図にも
とづき説明する。第１図は従来の薄膜磁気ヘッドの断面
図を示すものでア）、磁芯と逼る磁性薄膜１、巻線とな
る導電性薄膜２、導電性薄膜２と磁性薄膜１の絶縁材お
よびギヤ、プ材となる絶縁薄膜３、磁性薄膜１を記録媒
体４の走行による摩耗から保護する保護絶縁薄膜６をス
パッタ。
とづき説明する。第１図は従来の薄膜磁気ヘッドの断面
図を示すものでア）、磁芯と逼る磁性薄膜１、巻線とな
る導電性薄膜２、導電性薄膜２と磁性薄膜１の絶縁材お
よびギヤ、プ材となる絶縁薄膜３、磁性薄膜１を記録媒
体４の走行による摩耗から保護する保護絶縁薄膜６をス
パッタ。
電着等の方法を用いて付着し写真侵刻技術にて所定の形
状に加工している。薄膜磁気ヘッドは従来の磁気ヘッド
に比べて面積的にも体積的にも非常に微細化されておシ
、磁性薄膜１には実効透磁率の高い材料、例えばＦｅ−
旧合金、Ｆｅ−五〇 −５ｔ合金等の金属磁性材料が多
く用いられる。導電性薄膜２は微細化を考えて比抵抗の
小さいムｑ 、 ｃｕ等の材料が用いられ、絶縁薄膜３
、保護絶縁薄膜６は５ｔｏ２ 、ム２２０５等が用いら
れる。薄膜磁気ヘッドは記録媒体４の走行による摩耗を
考慮して耐摩耗性材料の基板ｅ上に薄膜を形成しガラス
、樹脂等の接着剤７によシカパー材８を接着した構成で
ある。
状に加工している。薄膜磁気ヘッドは従来の磁気ヘッド
に比べて面積的にも体積的にも非常に微細化されておシ
、磁性薄膜１には実効透磁率の高い材料、例えばＦｅ−
旧合金、Ｆｅ−五〇 −５ｔ合金等の金属磁性材料が多
く用いられる。導電性薄膜２は微細化を考えて比抵抗の
小さいムｑ 、 ｃｕ等の材料が用いられ、絶縁薄膜３
、保護絶縁薄膜６は５ｔｏ２ 、ム２２０５等が用いら
れる。薄膜磁気ヘッドは記録媒体４の走行による摩耗を
考慮して耐摩耗性材料の基板ｅ上に薄膜を形成しガラス
、樹脂等の接着剤７によシカパー材８を接着した構成で
ある。
しかしながら上記のような構成では、磁性薄膜１、導電
性薄膜２、絶縁薄膜３の形成によシ保護絶縁薄膜６上は
１６μｍ程度の凹凸が発生し、上、記凹凸はカバー材８
の接着時に接着剤層７の厚みとなる。薄膜磁気ヘッドの
カバー接着は、磁性薄膜１の実効透磁率の劣化や絶縁薄
膜３の剥離等の問題があシカバー材８の接着時に高温に
上げることが難かしく樹脂および低融点ガラスによる接
着が主流であるため接着剤層７が厚いと記録媒体４の走
行による保護絶縁薄膜６卦よび磁性薄膜１の崩れが発生
し薄膜磁気ヘッドの寿命が短かいという問題点を有して
いた。
性薄膜２、絶縁薄膜３の形成によシ保護絶縁薄膜６上は
１６μｍ程度の凹凸が発生し、上、記凹凸はカバー材８
の接着時に接着剤層７の厚みとなる。薄膜磁気ヘッドの
カバー接着は、磁性薄膜１の実効透磁率の劣化や絶縁薄
膜３の剥離等の問題があシカバー材８の接着時に高温に
上げることが難かしく樹脂および低融点ガラスによる接
着が主流であるため接着剤層７が厚いと記録媒体４の走
行による保護絶縁薄膜６卦よび磁性薄膜１の崩れが発生
し薄膜磁気ヘッドの寿命が短かいという問題点を有して
いた。
発明の目的
本発明は上記従来の問題点を解消するもので磁性薄膜、
導電性薄膜および絶縁薄膜の形成によ多発生する段差を
保護絶縁薄膜の機械加工またはプラズマ加工等によシな
くしカバー材と上記保護絶縁薄膜の接着剤層を薄くする
ことによシ記録媒体の走行による保護絶縁薄膜および磁
性薄膜の崩れをなくし寿命の長い薄膜磁気ヘッドを提供
することを目的とするものである。
導電性薄膜および絶縁薄膜の形成によ多発生する段差を
保護絶縁薄膜の機械加工またはプラズマ加工等によシな
くしカバー材と上記保護絶縁薄膜の接着剤層を薄くする
ことによシ記録媒体の走行による保護絶縁薄膜および磁
性薄膜の崩れをなくし寿命の長い薄膜磁気ヘッドを提供
することを目的とするものである。
発明の構成
本発明は基板上に磁性薄膜、導電性薄膜および絶縁薄膜
を形成し、上記磁性薄膜の記録媒体からの摩耗を考慮し
て保護絶縁薄膜を上記磁性薄膜上に形成した構成の薄膜
磁気ヘッドにおいて、上記磁性薄膜、導電性薄膜および
絶縁薄膜の形成によ多発生する段差を、上記保護絶縁薄
膜の機械加工またはプラズマ加工によシ上記段差をなく
しカバー材と上記保護絶縁薄膜の接着剤層を薄くした構
成である。この構成の薄膜磁気ヘッドは樹脂および低融
点ガラス等の接着”繭層が２μｍ以下と従来の１６μｍ
よシはるかに薄いため媒体の走行等による接着剤層の摩
耗が少なく保護絶縁薄膜、磁性薄膜の崩れをなくした長
寿命な薄膜磁気ヘッドを製作するものである。
を形成し、上記磁性薄膜の記録媒体からの摩耗を考慮し
て保護絶縁薄膜を上記磁性薄膜上に形成した構成の薄膜
磁気ヘッドにおいて、上記磁性薄膜、導電性薄膜および
絶縁薄膜の形成によ多発生する段差を、上記保護絶縁薄
膜の機械加工またはプラズマ加工によシ上記段差をなく
しカバー材と上記保護絶縁薄膜の接着剤層を薄くした構
成である。この構成の薄膜磁気ヘッドは樹脂および低融
点ガラス等の接着”繭層が２μｍ以下と従来の１６μｍ
よシはるかに薄いため媒体の走行等による接着剤層の摩
耗が少なく保護絶縁薄膜、磁性薄膜の崩れをなくした長
寿命な薄膜磁気ヘッドを製作するものである。
実施例の説明
第２図は本発明の薄膜磁気ヘッドの断面図を示すもので
あシ、本発明の実施例を第２図にもとづき説明する。フ
ェライ） 、 ５ｉｎ２等の基板１１上にスパッタ等の
方法でＦｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−ム１−ｓｔ合金等の強磁
性体を３〜６μｍ程度付着しエツチング、リフトオフ等
の方法にて下部磁性薄膜１２を形成する。５ｔＯ２，ム
Ｑ２０５ 等でへ、ドギャップとなる第１絶縁薄膜１３
を蒸着、スパッタ等の方法を用いて０．５μｍ程度付着
しその上に巻線となるＯｕ、Ａｇ等の導電体を電着、ス
パッタ等で付着し所定の導電薄膜１４を形成し導電性薄
膜１４と上部磁性薄膜１６とを電気的に絶縁するため第
２絶縁薄膜１６をフォトレジスト等で形成する。導電性
薄膜１４は小面積にて多巻線を考えて二層。
あシ、本発明の実施例を第２図にもとづき説明する。フ
ェライ） 、 ５ｉｎ２等の基板１１上にスパッタ等の
方法でＦｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−ム１−ｓｔ合金等の強磁
性体を３〜６μｍ程度付着しエツチング、リフトオフ等
の方法にて下部磁性薄膜１２を形成する。５ｔＯ２，ム
Ｑ２０５ 等でへ、ドギャップとなる第１絶縁薄膜１３
を蒸着、スパッタ等の方法を用いて０．５μｍ程度付着
しその上に巻線となるＯｕ、Ａｇ等の導電体を電着、ス
パッタ等で付着し所定の導電薄膜１４を形成し導電性薄
膜１４と上部磁性薄膜１６とを電気的に絶縁するため第
２絶縁薄膜１６をフォトレジスト等で形成する。導電性
薄膜１４は小面積にて多巻線を考えて二層。
三層と第２絶縁薄膜１６を介して重ねる場合が多く第２
絶縁薄膜１６上に下部磁性薄膜１２と後部で磁気的に接
合するように１ｌｆｉ−Ｆｅ合金、Ｆｅ−ムＸ−５ｔ合
金等の金属磁性材料をスパッタ等の方法で３〜５μｍ程
度付着し上部磁性薄膜１６を形成する。下部磁性薄膜１
２、上部磁性薄膜１６を記録媒体１７０走行による摩耗
等から守るため保護絶縁薄膜１８を２０〜３０μｍ程度
付着し薄膜の形成によシできた１６μｍ程度の凹凸をな
くすためラッピング等の機械加工またはプラズマ加工に
よシ保護絶縁薄膜１８を平坦化し記録媒体１７走行の安
定化および薄膜部の保護等のため樹脂や低融点ガラス等
の接着剤１９によシガラス等のカバー材２ｏを接着して
いる。
絶縁薄膜１６上に下部磁性薄膜１２と後部で磁気的に接
合するように１ｌｆｉ−Ｆｅ合金、Ｆｅ−ムＸ−５ｔ合
金等の金属磁性材料をスパッタ等の方法で３〜５μｍ程
度付着し上部磁性薄膜１６を形成する。下部磁性薄膜１
２、上部磁性薄膜１６を記録媒体１７０走行による摩耗
等から守るため保護絶縁薄膜１８を２０〜３０μｍ程度
付着し薄膜の形成によシできた１６μｍ程度の凹凸をな
くすためラッピング等の機械加工またはプラズマ加工に
よシ保護絶縁薄膜１８を平坦化し記録媒体１７走行の安
定化および薄膜部の保護等のため樹脂や低融点ガラス等
の接着剤１９によシガラス等のカバー材２ｏを接着して
いる。
以下に本発明の第２の実施例を第３図にもとづき説明す
る。第３図は磁性薄膜１２．１５上の保護絶縁薄膜１８
に熱膨張係数のちがう絶縁材料を用いた場合の上部磁性
薄膜１６の透磁率劣化を示すもので４ｊ）６Ｘ１０ ｄ
ｅｇ 〜１５ｘ１０ｄｅｇ の範囲を越えると透磁率
が半分以下になシ薄膜磁気ヘッドの再生能力が極度に劣
化する。従来は耐摩耗材料であシスバッタ等の付着方法
の簡単なＳ ｉ ０２等が主に用いられるが磁性薄膜１
２．１５との熱膨張係数差が大きいため磁性薄膜１２．
１５に応力がかがシ透磁率の劣化が大である。熱膨張係
数を考慮してムｌ１２０５、フォルステライト（２Ｍｇ
Ｏ・５ｔＯ２）等によシ保護絶縁薄膜１８を形成すると
応力が小さく磁性薄膜１２．１５の透磁率劣化がほとん
どなくなる。
る。第３図は磁性薄膜１２．１５上の保護絶縁薄膜１８
に熱膨張係数のちがう絶縁材料を用いた場合の上部磁性
薄膜１６の透磁率劣化を示すもので４ｊ）６Ｘ１０ ｄ
ｅｇ 〜１５ｘ１０ｄｅｇ の範囲を越えると透磁率
が半分以下になシ薄膜磁気ヘッドの再生能力が極度に劣
化する。従来は耐摩耗材料であシスバッタ等の付着方法
の簡単なＳ ｉ ０２等が主に用いられるが磁性薄膜１
２．１５との熱膨張係数差が大きいため磁性薄膜１２．
１５に応力がかがシ透磁率の劣化が大である。熱膨張係
数を考慮してムｌ１２０５、フォルステライト（２Ｍｇ
Ｏ・５ｔＯ２）等によシ保護絶縁薄膜１８を形成すると
応力が小さく磁性薄膜１２．１５の透磁率劣化がほとん
どなくなる。
ム幻０３等はスパッタ速度が遅（５ｉ０２のスノ（ツタ
に比べて４〜６倍のスパッタ時間が必要であるため保護
絶縁薄膜１８の構成を磁性薄膜１２゜１６と熱膨張係数
の近いム２２０５、フォルステライ） （２Ｍｇ０ 、
５ｉ０２ ）等によｐ５μｍ程度形成しＡｂＯ５、フォ
ルステライト上に紅２０３やフォルステライトよシもス
パッタ速度の速い５ｉ０２の二層で形成すると応力によ
る磁性薄膜１２．１５の透磁率の劣化はなくスパッタ時
間の短かい保護絶縁薄膜１８が形成できる。
に比べて４〜６倍のスパッタ時間が必要であるため保護
絶縁薄膜１８の構成を磁性薄膜１２゜１６と熱膨張係数
の近いム２２０５、フォルステライ） （２Ｍｇ０ 、
５ｉ０２ ）等によｐ５μｍ程度形成しＡｂＯ５、フォ
ルステライト上に紅２０３やフォルステライトよシもス
パッタ速度の速い５ｉ０２の二層で形成すると応力によ
る磁性薄膜１２．１５の透磁率の劣化はなくスパッタ時
間の短かい保護絶縁薄膜１８が形成できる。
以上のような構成の薄膜磁気ヘッドは基板１１上の磁性
薄膜１２．１５と略直角な面２１は記録媒体１７と当接
する面で１矢印は媒体の移動方向である。この結果導電
性薄膜１４に電流を流すことによシ誘導される磁束は上
部磁性薄膜１６よシ記録媒体１了を通って下部磁性薄膜
１２と導びかれ上部磁性薄膜１５へと戻る。記録媒体１
７と当接する面２１に露出する基板１１、保護絶縁薄膜
１８．カバー材２ｏが耐摩耗材料であシ摩耗性の劣る接
着剤層１９が２μｍ以下と薄いため磁性薄膜１２．１５
の崩れ、摩耗が少なくなシ寿命の長い薄膜磁気ヘッドが
得られる。
薄膜１２．１５と略直角な面２１は記録媒体１７と当接
する面で１矢印は媒体の移動方向である。この結果導電
性薄膜１４に電流を流すことによシ誘導される磁束は上
部磁性薄膜１６よシ記録媒体１了を通って下部磁性薄膜
１２と導びかれ上部磁性薄膜１５へと戻る。記録媒体１
７と当接する面２１に露出する基板１１、保護絶縁薄膜
１８．カバー材２ｏが耐摩耗材料であシ摩耗性の劣る接
着剤層１９が２μｍ以下と薄いため磁性薄膜１２．１５
の崩れ、摩耗が少なくなシ寿命の長い薄膜磁気ヘッドが
得られる。
発明の効果
本発明の薄膜磁気ヘッドは、薄膜形成によって発生する
段差をラッピング等の機械加工またはドライプラズマ加
工等によシ保護絶縁薄膜を平坦化し現状薄膜磁気ヘッド
で一番の欠点である磁性薄膜の崩れや摩耗を減らし信頼
性の高い長寿命な薄膜磁気ヘッドが製作できその実用的
効果は大きい。
段差をラッピング等の機械加工またはドライプラズマ加
工等によシ保護絶縁薄膜を平坦化し現状薄膜磁気ヘッド
で一番の欠点である磁性薄膜の崩れや摩耗を減らし信頼
性の高い長寿命な薄膜磁気ヘッドが製作できその実用的
効果は大きい。
第１図は従来の薄膜磁気ヘッドの断面図、第２図は本発
明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの断面図、第３図
は保護絶縁薄膜の熱膨張係数差による透磁率の劣化状態
を示す図である。 ６．１１・・・・・・基板、１．１２．１５・・・・・
・磁性薄膜、２，１４・・・・・・導電性薄膜、３，１
３．１６・°。 ・・・絶縁薄膜、４，１７・・・・・・記録媒体、５，
１８・・・・・・保護絶縁薄膜、７，１９・・・・・・
接着剤、８，２０・・・−・・カバー材。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名＠１
図 第２図 第３図
明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの断面図、第３図
は保護絶縁薄膜の熱膨張係数差による透磁率の劣化状態
を示す図である。 ６．１１・・・・・・基板、１．１２．１５・・・・・
・磁性薄膜、２，１４・・・・・・導電性薄膜、３，１
３．１６・°。 ・・・絶縁薄膜、４，１７・・・・・・記録媒体、５，
１８・・・・・・保護絶縁薄膜、７，１９・・・・・・
接着剤、８，２０・・・−・・カバー材。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名＠１
図 第２図 第３図
Claims (3)
- （１）基板上に磁性薄膜、導電性薄膜および絶縁薄膜を
形成し、保護絶縁薄膜を上記磁性薄膜上に形成し、上記
保護絶縁薄膜を平面状に加工し、カバー材と上記保護絶
縁薄膜間に接着剤層を設けたことを特徴とする薄膜磁気
ヘッド。 - （２）保護絶縁薄膜の熱膨張係数が６×１０＾−＾６ｄ
ｅｇ＾−＾１〜１５×１０＾−＾６ｄｅｇ＾−＾１の非
磁性材料からなる特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気
ヘッド。 - （３）保護絶縁薄膜が、酸化アルミニウムまたはフォル
ステライトからなる３〜１０μｍの第１層膜と、前記第
１層膜上の酸化珪素からなる第２層膜とで構定された特
許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14352284A JPS6124007A (ja) | 1984-07-11 | 1984-07-11 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14352284A JPS6124007A (ja) | 1984-07-11 | 1984-07-11 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6124007A true JPS6124007A (ja) | 1986-02-01 |
| JPH0349131B2 JPH0349131B2 (ja) | 1991-07-26 |
Family
ID=15340692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14352284A Granted JPS6124007A (ja) | 1984-07-11 | 1984-07-11 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6124007A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6216218A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| US7460335B2 (en) | 2002-12-06 | 2008-12-02 | Hitachi Global Technologies Japan, Ltd. | Magnetic head having first and second protective films with different coefficients of linear expansion |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS524806U (ja) * | 1975-06-24 | 1977-01-13 | ||
| JPS60138714A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | Canon Inc | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS524806B2 (ja) * | 1971-11-29 | 1977-02-07 |
-
1984
- 1984-07-11 JP JP14352284A patent/JPS6124007A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS524806U (ja) * | 1975-06-24 | 1977-01-13 | ||
| JPS60138714A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | Canon Inc | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6216218A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPH0664710B2 (ja) * | 1985-07-15 | 1994-08-22 | 株式会社日立製作所 | 薄膜磁気ヘツド |
| US7460335B2 (en) | 2002-12-06 | 2008-12-02 | Hitachi Global Technologies Japan, Ltd. | Magnetic head having first and second protective films with different coefficients of linear expansion |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0349131B2 (ja) | 1991-07-26 |
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