JP2596070B2 - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘッドの製造方法Info
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ビデオテープレコーダ（VTR）等の搭載さ
れる電磁誘導型の磁気ヘッドの製造方法に関し、特にア
ジマス記録方式に好適なアジマス付磁気ヘッドの製造方
法に関するものである。
れる電磁誘導型の磁気ヘッドの製造方法に関し、特にア
ジマス記録方式に好適なアジマス付磁気ヘッドの製造方
法に関するものである。
本発明は、磁気薄膜をコア材とするアジマス記録方式
の磁気ヘッドを製造するに際し、作動ギャップのアジマ
ス角の規制を基板上に形成した非磁性材層に対して行う
ことにより、アジマス精度の向上を図るとともに、同時
に狭ギャップ化，狭トラック化を図ろうとするものであ
る。
の磁気ヘッドを製造するに際し、作動ギャップのアジマ
ス角の規制を基板上に形成した非磁性材層に対して行う
ことにより、アジマス精度の向上を図るとともに、同時
に狭ギャップ化，狭トラック化を図ろうとするものであ
る。
磁気記録の分野においては、高密度記録化に伴い磁気
記録媒体が高抗磁力化の方向にあり、記録再生波長も短
波長化の一途をたどっている。
記録媒体が高抗磁力化の方向にあり、記録再生波長も短
波長化の一途をたどっている。
したがって、磁気ヘッドにおいても高飽和磁束密度を
有するヘッドコア材料を用い、また狭ギャップ化を進め
る等、上述の高密度記録化への対応を図っている。
有するヘッドコア材料を用い、また狭ギャップ化を進め
る等、上述の高密度記録化への対応を図っている。
例えば、従来VTRのヘッドコア材料として多用されて
いたフェライト材は高透磁率であるものの飽和磁束密度
が低いため、高抗磁力磁気記録媒体への記録が不十分で
あった。そこで、上記ヘッドコア材として、Fe−Al−Si
系合金や強磁性非晶質合金等の強磁性金属薄膜を用いた
磁気ヘッド、例えば複合型磁気ヘッドや薄膜磁気ヘッド
等が提案されている。
いたフェライト材は高透磁率であるものの飽和磁束密度
が低いため、高抗磁力磁気記録媒体への記録が不十分で
あった。そこで、上記ヘッドコア材として、Fe−Al−Si
系合金や強磁性非晶質合金等の強磁性金属薄膜を用いた
磁気ヘッド、例えば複合型磁気ヘッドや薄膜磁気ヘッド
等が提案されている。
さらに近年では、より一層の高密度記録化を目指すべ
く研究が進められており、隣接する記録トラック間のガ
ードバンドを無くして記録を行ういわゆるアジマス記録
方式が提案され実用化されている。これによれば、記録
トラックの高密度記録化が達成される。
く研究が進められており、隣接する記録トラック間のガ
ードバンドを無くして記録を行ういわゆるアジマス記録
方式が提案され実用化されている。これによれば、記録
トラックの高密度記録化が達成される。
一般に、上述のアジマス記録方式に対応した磁気ヘッ
ドは、作動ギャップが磁気記録媒体の走行方向に対して
所要角度傾いた構造をなしている。
ドは、作動ギャップが磁気記録媒体の走行方向に対して
所要角度傾いた構造をなしている。
この種の磁気ヘッドを作製するには、先ず、一対のヘ
ッドコアブロックをギャップ長に相当する膜厚のギャッ
プスペーサを介してガラスボンディング法にて接合一体
化し所定トラック幅の作動ギャップを形成する。その
後、上記作動ギャップにアジマスをもたせるために、各
ヘッドチップに切り出す際に基準面となる作動ギャップ
形成面に対して所定のアジマス角だけ傾けてスライシン
グ加工を施している。
ッドコアブロックをギャップ長に相当する膜厚のギャッ
プスペーサを介してガラスボンディング法にて接合一体
化し所定トラック幅の作動ギャップを形成する。その
後、上記作動ギャップにアジマスをもたせるために、各
ヘッドチップに切り出す際に基準面となる作動ギャップ
形成面に対して所定のアジマス角だけ傾けてスライシン
グ加工を施している。
ところで、上述の如く斜めにスライシング加工を施し
た場合には、上記スライシング面を精度よく研磨してア
ジマス精度を確保する必要がある。このため、上記スラ
イシング加工及び研磨加工は極めて高い精度が要求され
る。したがって、製造工程が煩雑となり歩留りが低下す
る等の問題が生ずる。
た場合には、上記スライシング面を精度よく研磨してア
ジマス精度を確保する必要がある。このため、上記スラ
イシング加工及び研磨加工は極めて高い精度が要求され
る。したがって、製造工程が煩雑となり歩留りが低下す
る等の問題が生ずる。
また、作動ギャップをガラスボンディング等の接合技
術にて形成しているので、上記接合条件によりギャップ
スペーサの膜厚とヘッドのギャップ長とが異なる虞れが
あり、ギャップ長の制御に困難をきたし歩留りの低下の
原因となっている。
術にて形成しているので、上記接合条件によりギャップ
スペーサの膜厚とヘッドのギャップ長とが異なる虞れが
あり、ギャップ長の制御に困難をきたし歩留りの低下の
原因となっている。
このため、本願出願人はこれらの問題を解消するべく
先に特願昭61−176305号明細書に金型を用いてアジマス
角規制を高精度に行う磁気ヘッドの製造方法を開示して
いる。これによれば、容易かつ高精度にアジマス規制が
行え、しかもギャップ長の制御も高精度に行える。
先に特願昭61−176305号明細書に金型を用いてアジマス
角規制を高精度に行う磁気ヘッドの製造方法を開示して
いる。これによれば、容易かつ高精度にアジマス規制が
行え、しかもギャップ長の制御も高精度に行える。
しかしながら上記製造方法では、金型の作製に高精度
な加工が要求されるとともに、金型にアジマス角を規制
する溝を形成した後、そのアジマス角規制溝を樹脂等に
より写し取り、写し取った樹脂層を今度は剥がし取る
等、工程が煩雑化し生産性や作業性等の点では問題が多
い。
な加工が要求されるとともに、金型にアジマス角を規制
する溝を形成した後、そのアジマス角規制溝を樹脂等に
より写し取り、写し取った樹脂層を今度は剥がし取る
等、工程が煩雑化し生産性や作業性等の点では問題が多
い。
そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案され
たものであって、アジマス精度の向上が図れ、狭ギャッ
プ化，狭トラック化が容易且つ高精度に行え、しかも歩
留りの向上、製造工程の簡略化が図れる磁気ヘッドの製
造方法を提供することを目的とするものである。
たものであって、アジマス精度の向上が図れ、狭ギャッ
プ化，狭トラック化が容易且つ高精度に行え、しかも歩
留りの向上、製造工程の簡略化が図れる磁気ヘッドの製
造方法を提供することを目的とするものである。
本発明は、上記の目的を達成するために、基板上に形
成された非磁性材層に対し所要アジマス角を有する傾斜
面をもった凹部を形成する工程と、前記非磁性材層の凹
部内に第１の磁性薄膜を形成する工程と、前記第１の磁
性薄膜上に第１の保護板を接合する工程と、上記基板及
び非磁性材層を除去する工程と、上記第１の磁性薄膜上
にギャップスペーサを介して第２の磁性薄膜を形成する
工程と、上記第１の保護板とは反対側の面に第２の保護
板を接合することを特徴とするものである。
成された非磁性材層に対し所要アジマス角を有する傾斜
面をもった凹部を形成する工程と、前記非磁性材層の凹
部内に第１の磁性薄膜を形成する工程と、前記第１の磁
性薄膜上に第１の保護板を接合する工程と、上記基板及
び非磁性材層を除去する工程と、上記第１の磁性薄膜上
にギャップスペーサを介して第２の磁性薄膜を形成する
工程と、上記第１の保護板とは反対側の面に第２の保護
板を接合することを特徴とするものである。
本発明では、作動ギャップのアジマス角を基板上の非
磁性材層に形成した凹部の傾斜面により規制しているの
で、作動ギャップのアジマス角は高精度に規制される。
磁性材層に形成した凹部の傾斜面により規制しているの
で、作動ギャップのアジマス角は高精度に規制される。
また、磁性薄膜やギャップスペーサは薄膜形成技術に
より積層形成されるので、ギャップ長及びトラック幅制
御は容易かつ高精度に規制され、狭ギャップ化，狭トラ
ック化が達成される。
より積層形成されるので、ギャップ長及びトラック幅制
御は容易かつ高精度に規制され、狭ギャップ化，狭トラ
ック化が達成される。
さらに、上記作動ギャップが基準面（保護板の上面）
に対して所要アジマス角を有して形成されているので、
ヘッドチップに切り出すスライシング加工は上記基準面
に対して単に直交方向に行うことで、アジマス付磁気ヘ
ッドが容易に作製される。
に対して所要アジマス角を有して形成されているので、
ヘッドチップに切り出すスライシング加工は上記基準面
に対して単に直交方向に行うことで、アジマス付磁気ヘ
ッドが容易に作製される。
以下、本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法をその
工程順にしたがって図面を参照しながら説明する。な
お、以下の図面では適宜上基板の一部分を拡大して示す
が、実際は複数のヘッドチップを一括して形成できる大
きな基板とする。
工程順にしたがって図面を参照しながら説明する。な
お、以下の図面では適宜上基板の一部分を拡大して示す
が、実際は複数のヘッドチップを一括して形成できる大
きな基板とする。
本発明方法により磁気ヘッドを作製するには、先ず、
第１図に示すように、ガラスセラミックス等からなる基
板（１）上にSiO2,Al2O3等よりなる非磁性材層（２）を
真空薄膜形成技術，例えばスパッタリング法や蒸着法に
より形成する。上記非磁性材層（２）の膜厚Ｌは、少な
くとも磁気ヘッドのトラック幅よりも大きくなるように
形成し、好ましくはトラック幅と略同じになるように形
成する。
第１図に示すように、ガラスセラミックス等からなる基
板（１）上にSiO2,Al2O3等よりなる非磁性材層（２）を
真空薄膜形成技術，例えばスパッタリング法や蒸着法に
より形成する。上記非磁性材層（２）の膜厚Ｌは、少な
くとも磁気ヘッドのトラック幅よりも大きくなるように
形成し、好ましくはトラック幅と略同じになるように形
成する。
なお、上記基板（１）に耐熱性に優れた非磁性材料を
用いれば、磁性薄膜として600℃〜700℃程度のアニール
処理が必要な強磁性材料を使用することができる。これ
によれば、高密度記録化に対応した磁気ヘッドが得られ
る。
用いれば、磁性薄膜として600℃〜700℃程度のアニール
処理が必要な強磁性材料を使用することができる。これ
によれば、高密度記録化に対応した磁気ヘッドが得られ
る。
次いで、上記非磁性材層（２）上に後述の磁性薄膜コ
ア（第１の磁性薄膜及び第２の磁性薄膜）幅に略等しい
幅W1及び間隔W2でフォトレジスト等からなるエッチング
マスク（３）を形成する。
ア（第１の磁性薄膜及び第２の磁性薄膜）幅に略等しい
幅W1及び間隔W2でフォトレジスト等からなるエッチング
マスク（３）を形成する。
なお、本実施例では第１の磁性薄膜と第２の磁性薄膜
の幅を同じとするため、上記エッチングマスク（３）間
の間隔W2を当該エッチングマスク（３）を幅W1と略等し
くした。
の幅を同じとするため、上記エッチングマスク（３）間
の間隔W2を当該エッチングマスク（３）を幅W1と略等し
くした。
続いて、第２図に示すように、上記非磁性材層（２）
に対してエッチングを施す。
に対してエッチングを施す。
上記エッチングにはRIE（反応性イオンエッチング）
等のエッチング技術を用いてアジマス角規制を行う。す
なわち、所要アジマス角θとなるようにエッチングを施
し、当該アジマス角θを有する傾斜面（4a）をもった凹
部（４）をエッチングマスク（３），（３）間に形成す
る。なお、上記エッチングに際しては、エッチング深さ
を略トラック幅に相当する深さで行う。上記傾斜面（4
a）はエッチング技術により形成されるので、極めて高
精度にアジマス角θが規制され、何ら煩雑な工程を含ま
ずに容易にアジマス角θが決定できる。
等のエッチング技術を用いてアジマス角規制を行う。す
なわち、所要アジマス角θとなるようにエッチングを施
し、当該アジマス角θを有する傾斜面（4a）をもった凹
部（４）をエッチングマスク（３），（３）間に形成す
る。なお、上記エッチングに際しては、エッチング深さ
を略トラック幅に相当する深さで行う。上記傾斜面（4
a）はエッチング技術により形成されるので、極めて高
精度にアジマス角θが規制され、何ら煩雑な工程を含ま
ずに容易にアジマス角θが決定できる。
ここで、得られた傾斜面（4a）のなす角度θは作動ギ
ャップのアジマスを規制し、上記傾斜面（4a）はトラッ
ク幅を規制する。そして、上記凹部（４）は、後述の第
１の磁性薄膜を形成するための溝となる。
ャップのアジマスを規制し、上記傾斜面（4a）はトラッ
ク幅を規制する。そして、上記凹部（４）は、後述の第
１の磁性薄膜を形成するための溝となる。
なお、本実施例では上記凹部（４）の両側にアジマス
角θをもった傾斜面（4a）を形成しているが、上記傾斜
面（4a）は何れかに一方にのみ形成すれば足りる。
角θをもった傾斜面（4a）を形成しているが、上記傾斜
面（4a）は何れかに一方にのみ形成すれば足りる。
次に、第３図に示すように、前記非磁性材層（２）上
及び凹部（４）内に第１の磁性薄膜（５）を形成する。
上記第１の磁性薄膜（５）は、少なくとも上記凹部
（５）を完全に充填する如く形成し、好ましくは上記凹
部（５）の溝深さを若干越える程度の膜厚とする。
及び凹部（４）内に第１の磁性薄膜（５）を形成する。
上記第１の磁性薄膜（５）は、少なくとも上記凹部
（５）を完全に充填する如く形成し、好ましくは上記凹
部（５）の溝深さを若干越える程度の膜厚とする。
上記第１の磁性薄膜（５）には、高い飽和磁束密度を
有し且つ軟磁気特性に優れた強磁性材料が使用される
が、かかる強磁性材料としては従来から公知のものがい
ずれも使用でき、Fe−Al−Si系合金、Fe−Al系合金、Fe
−Si−Co系合金、Fe−Ni系合金、Fe−Al−Ge系合金、Fe
−Ga−Ge系合金、Fe−Si−Ge系合金、Fe−Co−Si−Al系
合金等の強磁性金属材料、あるいはFe−Ga−Si系合金、
さらには、上記Fe−Ge−Si系合金の耐蝕性や耐摩耗性の
一層の向上を図るために、Fe,Ga,Co（Feの一部をCoで置
換したものを含む。）,Siを基本組成とする合金に、Ti,
Cr,Mn,Zn,Nb,Mo,Ta,W,Ru,Os,Rh,Ir,Re,Ni,Pb,Pt,Hf,Vの
少なくとも一種を添加したものであってもよい。
有し且つ軟磁気特性に優れた強磁性材料が使用される
が、かかる強磁性材料としては従来から公知のものがい
ずれも使用でき、Fe−Al−Si系合金、Fe−Al系合金、Fe
−Si−Co系合金、Fe−Ni系合金、Fe−Al−Ge系合金、Fe
−Ga−Ge系合金、Fe−Si−Ge系合金、Fe−Co−Si−Al系
合金等の強磁性金属材料、あるいはFe−Ga−Si系合金、
さらには、上記Fe−Ge−Si系合金の耐蝕性や耐摩耗性の
一層の向上を図るために、Fe,Ga,Co（Feの一部をCoで置
換したものを含む。）,Siを基本組成とする合金に、Ti,
Cr,Mn,Zn,Nb,Mo,Ta,W,Ru,Os,Rh,Ir,Re,Ni,Pb,Pt,Hf,Vの
少なくとも一種を添加したものであってもよい。
また、強磁性非晶質金属合金、いわゆるアモルファス
合金（例えばFe,Ni,Coの１つ以上の元素とP,C,B,Siの１
つ以上の元素とからなる合金、またはこれを主成分とし
Al,Ge,Be,Sn,In,Mo,W,Ti,Mn,Cr,Zr,Hf,Nb等を含んだ合
金等のメタル−メタロイド系アモルファス合金、あるい
はCo,Hf,Zr等の遷移元素や希土類元素を主成分とするメ
タル−メタル系アモルファス合金）等を使用される。
合金（例えばFe,Ni,Coの１つ以上の元素とP,C,B,Siの１
つ以上の元素とからなる合金、またはこれを主成分とし
Al,Ge,Be,Sn,In,Mo,W,Ti,Mn,Cr,Zr,Hf,Nb等を含んだ合
金等のメタル−メタロイド系アモルファス合金、あるい
はCo,Hf,Zr等の遷移元素や希土類元素を主成分とするメ
タル−メタル系アモルファス合金）等を使用される。
これら磁性薄膜の成膜方法としては、真空蒸着法，ス
パッタリング法，イオンプレーティング法，クラスター
・イオンビーム法等に代表される真空薄膜形成技術が採
用される。またこの他、メッキ等により形成しても差し
支えない。
パッタリング法，イオンプレーティング法，クラスター
・イオンビーム法等に代表される真空薄膜形成技術が採
用される。またこの他、メッキ等により形成しても差し
支えない。
なお上記第１の磁性薄膜（５）は、強磁性合金材料の
単層膜であってもよいが、例えばSiO2,Al2O3,ZnO2,Si3N
4等の絶縁膜を介して積層した多層膜としてもよい。
単層膜であってもよいが、例えばSiO2,Al2O3,ZnO2,Si3N
4等の絶縁膜を介して積層した多層膜としてもよい。
次に、第４図に示すように、上記第１の磁性薄膜
（５）を機械的手段により研磨し、当該第１の磁性薄膜
（５）の上面（5a）を平坦化する。上記平坦化は、略ト
ラック幅に相当する厚みまで行う。なお本実施例では、
平坦化する手段としてラップ法を用いた。
（５）を機械的手段により研磨し、当該第１の磁性薄膜
（５）の上面（5a）を平坦化する。上記平坦化は、略ト
ラック幅に相当する厚みまで行う。なお本実施例では、
平坦化する手段としてラップ法を用いた。
この結果、一方の磁気コア半体〔第１の磁性薄膜
（５）〕が形成される。
（５）〕が形成される。
次に、上記平坦化された面上（5a）に第５図に示すよ
うに、エッチングの終点を検出するための終点検出膜
（６）を形成する。かかる終点検出膜（６）にはエッチ
ング終点が明瞭に検出されることが要求されるので、例
えば他の材料に比べコントラストの高いもの又は反射率
の高いもの等の条件を満たす材料が好適である。かかる
材料としては、例えばCr,Ti等が挙げられる。
うに、エッチングの終点を検出するための終点検出膜
（６）を形成する。かかる終点検出膜（６）にはエッチ
ング終点が明瞭に検出されることが要求されるので、例
えば他の材料に比べコントラストの高いもの又は反射率
の高いもの等の条件を満たす材料が好適である。かかる
材料としては、例えばCr,Ti等が挙げられる。
そして、上記終点検出膜（６）上にSiO2等よりなる膜
を保護（７）として形成し、その上に第１の保護膜
（８）を接合する。
を保護（７）として形成し、その上に第１の保護膜
（８）を接合する。
上記保護板（８）の材料としては、耐摩耗性に優れた
ものが好適で、例えば非磁性フェライト，あるいはチタ
ン酸バリウム等のセラミックス等が使用できる。
ものが好適で、例えば非磁性フェライト，あるいはチタ
ン酸バリウム等のセラミックス等が使用できる。
次に、前述の基板（１）が図中上方となるように裏返
し、アジマス角θを規制する非磁性材層（２）を除去す
る。
し、アジマス角θを規制する非磁性材層（２）を除去す
る。
すなわち、先ず、第６図に示すように、上記基板
（１）を機械的研削手段，例えば回転砥石KT等により前
記第１の磁性薄膜（５）の上面（5a）が露出するまで切
削する。なお、上記第１の磁性薄膜（５）を削るにはラ
ッピ法で用いてもよい。
（１）を機械的研削手段，例えば回転砥石KT等により前
記第１の磁性薄膜（５）の上面（5a）が露出するまで切
削する。なお、上記第１の磁性薄膜（５）を削るにはラ
ッピ法で用いてもよい。
次いで、第７図に示すように、上記第１の磁性薄膜
（５）を保護するためにフォトレジスト等によりエッチ
ングマスク（９）を上記第１の磁性薄膜（５）上面に形
成する。
（５）を保護するためにフォトレジスト等によりエッチ
ングマスク（９）を上記第１の磁性薄膜（５）上面に形
成する。
次に、第８図に示すように、上記非磁性材層（２）に
対してやはりRIE等のエッチング技術を用いてエッチン
グを施し、当該非磁性材層（２）を除去する。
対してやはりRIE等のエッチング技術を用いてエッチン
グを施し、当該非磁性材層（２）を除去する。
すると、第１の磁性薄膜（５）のみが残存し、前記非
磁性材層（２）が形成されていた部分に第２の磁性薄膜
が形成される凹溝（10）が形成された形となる。この残
存した第１の磁性薄膜（５）の側面（10a）には、前記
非磁性材層（２）の凹部（４）の傾斜面（4a）の傾斜
角，すなわちアジマス角θが写し取られ、当該側面（10
a）がアジマス角θを有する傾斜面となる。
磁性材層（２）が形成されていた部分に第２の磁性薄膜
が形成される凹溝（10）が形成された形となる。この残
存した第１の磁性薄膜（５）の側面（10a）には、前記
非磁性材層（２）の凹部（４）の傾斜面（4a）の傾斜
角，すなわちアジマス角θが写し取られ、当該側面（10
a）がアジマス角θを有する傾斜面となる。
なお、上記エッチング工程では、エッチングの終点を
検出するための終点検出膜（６）が形成されているの
で、当該終点検出膜（６）が露出したときがエッチング
終了時となる。これによれば、エッチング終点が容易に
判断でき、オーバーエッチングによる保護板（８）の侵
食が防止できる。また、上記保護膜（７）には先の非磁
性材層（２）よりもエッチング選択比の高い材料を選択
して使用してあるので、例え若干のオーバーエッチング
となった場合でも当該保護膜（７）が保護板（８）のエ
ッチングを阻止する役割を果たし信頼性が確保される。
検出するための終点検出膜（６）が形成されているの
で、当該終点検出膜（６）が露出したときがエッチング
終了時となる。これによれば、エッチング終点が容易に
判断でき、オーバーエッチングによる保護板（８）の侵
食が防止できる。また、上記保護膜（７）には先の非磁
性材層（２）よりもエッチング選択比の高い材料を選択
して使用してあるので、例え若干のオーバーエッチング
となった場合でも当該保護膜（７）が保護板（８）のエ
ッチングを阻止する役割を果たし信頼性が確保される。
次に、第９図に示すように、前記第１の磁性薄膜
（５）上及び前記凹溝（10）内を含めギャップスペーサ
（11）を薄膜形成技術により形成した後、前記第１の磁
性薄膜（５）の形成と同様、第２の磁性薄膜（12）を形
成する。
（５）上及び前記凹溝（10）内を含めギャップスペーサ
（11）を薄膜形成技術により形成した後、前記第１の磁
性薄膜（５）の形成と同様、第２の磁性薄膜（12）を形
成する。
この時、上記ギャップスペーサ（11）の膜厚ｍは作動
ギャップのギャップ長となるように形成する。一方、第
２の磁性薄膜（12）の膜厚は、前記第１の磁性薄膜
（５）の膜厚よりも若干厚くなるように形成する。な
お、上記ギャップスペーサ（11）としては、SiO2,Ta
2O5,ZrO2等が使用され、また第２の磁性薄膜（12）とし
ては、先の第１の磁性薄膜（５）と同様のものが使用で
きる。
ギャップのギャップ長となるように形成する。一方、第
２の磁性薄膜（12）の膜厚は、前記第１の磁性薄膜
（５）の膜厚よりも若干厚くなるように形成する。な
お、上記ギャップスペーサ（11）としては、SiO2,Ta
2O5,ZrO2等が使用され、また第２の磁性薄膜（12）とし
ては、先の第１の磁性薄膜（５）と同様のものが使用で
きる。
上記ギャップスペーサ（11）や磁性薄膜（５），（1
2）は薄膜形成技術にて形成されるので、ガラスボンデ
ィング等の接合技術を用いることなく作動ギャップが形
成でき、ギャップ長及びトラック幅の制御が高精度かつ
容易に行える。また、アジマス精度も良好なものとな
り、歩留りが格段に向上する。
2）は薄膜形成技術にて形成されるので、ガラスボンデ
ィング等の接合技術を用いることなく作動ギャップが形
成でき、ギャップ長及びトラック幅の制御が高精度かつ
容易に行える。また、アジマス精度も良好なものとな
り、歩留りが格段に向上する。
次に、第10図に示すように、上記第２の磁性薄膜（1
2）を例えばラッピング等により除去し、当該第２の磁
性薄膜（12）の上面（12a）を平坦化する。
2）を例えばラッピング等により除去し、当該第２の磁
性薄膜（12）の上面（12a）を平坦化する。
この結果、他方の磁気コア半体〔第２の磁性薄膜（1
2）〕が形成される。また、上記平坦化によりトラック
幅が決定される。
2）〕が形成される。また、上記平坦化によりトラック
幅が決定される。
次に、第11図に示すように、前記第１の保護板（８）
とは反対側の前記平坦化された面上に保護膜としてCr膜
（13）,SiO2膜（14）を順次形成した後、前記第１の保
護板（８）と略同じ大きさの第２の保護板（15）を接合
する。
とは反対側の前記平坦化された面上に保護膜としてCr膜
（13）,SiO2膜（14）を順次形成した後、前記第１の保
護板（８）と略同じ大きさの第２の保護板（15）を接合
する。
この時点で、アジマスギャップｇを有するヘッドコア
ブロック（16）が完成する。なお、上記第２の保護板
（15）は、先の第１の保護板（８）と同様の材料が使用
できる。
ブロック（16）が完成する。なお、上記第２の保護板
（15）は、先の第１の保護板（８）と同様の材料が使用
できる。
そして、超音波加工やレーザ加工等によりヘッドコア
ブロック（16）の所定位置，すなわち磁気ギャップのデ
プスを規制する位置を合わせコイルを巻装するための巻
線溝（17）を形成する。次いで、第11図中Ａ−Ａ線及び
Ａ′−Ａ′線で示す位置でスライシング加工を施し、複
数個のヘッドチップを切り出す。そして、必要に応じて
磁気記録媒体対接面（18）を円筒研磨し、前記巻線溝
（17）にコイル（19）を巻装して第12図に示す磁気ヘッ
ドを完成する。
ブロック（16）の所定位置，すなわち磁気ギャップのデ
プスを規制する位置を合わせコイルを巻装するための巻
線溝（17）を形成する。次いで、第11図中Ａ−Ａ線及び
Ａ′−Ａ′線で示す位置でスライシング加工を施し、複
数個のヘッドチップを切り出す。そして、必要に応じて
磁気記録媒体対接面（18）を円筒研磨し、前記巻線溝
（17）にコイル（19）を巻装して第12図に示す磁気ヘッ
ドを完成する。
このように本実施例では、スライシング加工前のヘッ
ドコアブロック（16）の状態で作動ギャップｇが所定の
アジマスを有しているので、ヘッドコアブロック（16）
に対して単に直交方向にスライシングすることによりア
ジマス付作動ギャップｇを容易に形成することができ
る。したがって、従来は斜めにスライシングし、さらに
作動ギャップｇのアジマス精度を確保するためにスライ
シング面を精度良く研磨する必要があったが、本発明で
はこのような煩雑な工程が不要となり、製造工程の簡略
化が図れる。また同時に、アジマス精度や加工歩留りが
大幅に向上する。
ドコアブロック（16）の状態で作動ギャップｇが所定の
アジマスを有しているので、ヘッドコアブロック（16）
に対して単に直交方向にスライシングすることによりア
ジマス付作動ギャップｇを容易に形成することができ
る。したがって、従来は斜めにスライシングし、さらに
作動ギャップｇのアジマス精度を確保するためにスライ
シング面を精度良く研磨する必要があったが、本発明で
はこのような煩雑な工程が不要となり、製造工程の簡略
化が図れる。また同時に、アジマス精度や加工歩留りが
大幅に向上する。
また本実施例では、磁気回路を構成する磁性薄膜
（５），（12）としてセンダストやアモルファス等の強
磁性金属材料を使用しているので、高密度記録化に対応
した高抗磁力磁気記録媒体に対しても、良好な記録再生
特性を示す磁気ヘッドが得られる。
（５），（12）としてセンダストやアモルファス等の強
磁性金属材料を使用しているので、高密度記録化に対応
した高抗磁力磁気記録媒体に対しても、良好な記録再生
特性を示す磁気ヘッドが得られる。
以上の説明からも明らかなように、本発明方法によれ
ば、作動ギャップのアジマス角を基板上の非磁性材層に
形成した凹部の傾斜面により規制しているので、作動ギ
ャップのアジマスが高精度に規制され当該アジマス精度
は格段に向上する。
ば、作動ギャップのアジマス角を基板上の非磁性材層に
形成した凹部の傾斜面により規制しているので、作動ギ
ャップのアジマスが高精度に規制され当該アジマス精度
は格段に向上する。
また、磁気コア半体となる磁性薄膜やギャップスペー
サを薄膜形成技術にて形成した積層構造としているの
で、ギャップ長及びトラック幅の制御が容易かつ高精度
に行え、しかも狭ギャップ化，狭トラック化も同時に達
成される。
サを薄膜形成技術にて形成した積層構造としているの
で、ギャップ長及びトラック幅の制御が容易かつ高精度
に行え、しかも狭ギャップ化，狭トラック化も同時に達
成される。
さらに本発明では、ヘッドチップに切り出す際に、ヘ
ッドコアブロックと単に直交方向にスライシングするこ
とのみで、アジマス精度に優れた磁気ヘッドが容易に得
られる。したがって、生産性や歩留りの向上が図れる。
ッドコアブロックと単に直交方向にスライシングするこ
とのみで、アジマス精度に優れた磁気ヘッドが容易に得
られる。したがって、生産性や歩留りの向上が図れる。
第１図ないし第12図は本発明を適用した磁気ヘッドの製
造工程をその工程順に従って示す概略的な斜視図であ
り、第１図は非磁性材層形成及びエッチングマスク形成
工程、第２図はエッチング工程、第３図は第１の磁性薄
膜形成工程、第４図は平坦化工程、第５図は第１の保護
板接合工程、第６図は第１の保護板除去工程、第７図は
エッチングマスク形成工程、第８図はエッチング工程、
第９図は第２の磁性薄膜形成工程、第10図は平坦化工
程、第11図は巻線溝形成及びスライシング加工工程、第
12図は完成した磁気ヘッドをそれぞれ示す。 １……基板 ２……非磁性材層 ４……凹部 ５……第１の磁性薄膜 ８……第１の保護板 11……ギャップスペーサ 12……第２の磁性薄膜 15……第２の保護板
造工程をその工程順に従って示す概略的な斜視図であ
り、第１図は非磁性材層形成及びエッチングマスク形成
工程、第２図はエッチング工程、第３図は第１の磁性薄
膜形成工程、第４図は平坦化工程、第５図は第１の保護
板接合工程、第６図は第１の保護板除去工程、第７図は
エッチングマスク形成工程、第８図はエッチング工程、
第９図は第２の磁性薄膜形成工程、第10図は平坦化工
程、第11図は巻線溝形成及びスライシング加工工程、第
12図は完成した磁気ヘッドをそれぞれ示す。 １……基板 ２……非磁性材層 ４……凹部 ５……第１の磁性薄膜 ８……第１の保護板 11……ギャップスペーサ 12……第２の磁性薄膜 15……第２の保護板
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に形成された非磁性材層に対し所要
アジマス角を有する傾斜面をもった凹部を形成する工程
と、 前記非磁性材層の凹部内に第１の磁性薄膜を形成する工
程と、 前記第１の磁性薄膜上に第１の保護板を接合する工程
と、 上記基板及び非磁性材層を除去する工程と、 上記第１の磁性薄膜上にギャップスペーサを介して第２
の磁性薄膜を形成する工程と、 上記第１の保護板とは反対側の面に第２の保護板を接合
することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16349588A JP2596070B2 (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16349588A JP2596070B2 (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0214411A JPH0214411A (ja) | 1990-01-18 |
| JP2596070B2 true JP2596070B2 (ja) | 1997-04-02 |
Family
ID=15774952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16349588A Expired - Fee Related JP2596070B2 (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2596070B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2661030B1 (fr) * | 1990-04-13 | 1995-04-07 | Thomson Csf | Tete magnetique d'enregistrement/lecture et procedes de realisation. |
| FR2664729B1 (fr) * | 1990-07-11 | 1992-09-18 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de tete magnetique possedant un entrefer presentant un azimut controlable. |
-
1988
- 1988-06-30 JP JP16349588A patent/JP2596070B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0214411A (ja) | 1990-01-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |